半导体激光器能带结构和光增益的量子理论下册

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郭长志编著 著



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发表于2024-12-25

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图书介绍

店铺: 文轩网旗舰店
出版社: 科学出版社
ISBN:9787030473806
商品编码:10404129123
出版时间:2016-03-01


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图书描述

作  者:郭长志 编著 定  价:168 出 版 社:科学出版社 出版日期:2016年03月01日 装  帧:精装 ISBN:9787030473806 总序
第2章半导体能带之间的跃迁
2.3光跃迁的量子力学
2.3.3连续能态在能级跃迁中的作用
2.3.4带内弛豫及其谱线展宽
2.3.5量子阱结构的带间光跃迁谱
2.3.6光跃迁动量矩阵元的计算
2.3.7间接带隙半导体的带间光跃迁
2.3.8与杂质有关的光跃迁一无七选择定则
2.3.9能带的非抛物性及其影响
2.3.10多体相互作用的能带隙重整化
2.3.11量子阱中的能带混合效应及其影响
2.3.12大应变对增益的影响
2.3.13应变程度的极限
2.3.14量子阱微分增益及其作用
2.3.15折射率(势垒)渐变分别量子阱的增益
2.3.16量子阱激光器的激射阈值
2.4温度对阈值的影响——T0问题
2.4.1总论
2.4.2俄歇复合过程的量子理论
部分目录

内容简介

本书讨论了达到设计所需精度的量子阱、量子线、和量子点的电子能带和能级的量子理论和设计计算,带间和子带间光跃迁几率和光增益的半径典量子理论和设计,应变效应及其对各维能带结构的影响、温度效应T0问题的物理机制,特别是俄歇复合的量子理论及其服方案和设计,量子阱间耦合、载流子落入和逃逸时间的理论和设计。子带间量子级联激光器的理论和设计,其真正优点和局限性。
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