熔融電解質的物理化學分析/普通高等教育“十二五”規劃教材 下載 mobi epub pdf 電子書 2025

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[斯洛伐剋] V.丹而剋 著，高炳亮，鬍憲偉，石忠寜 等 譯

圖書標籤:

• 熔融鹽
• 電化學
• 物理化學
• 電解質
• 材料科學
• 分析化學
• 高等教育
• 教材
• 十二五規劃
• 能源材料

齣版社： 冶金工業齣版社

ISBN：9787502464608

版次：1

商品編碼：11445769

包裝：平裝

叢書名： 普通高等教育“十二五”規劃教材

開本：16開

齣版時間：2014-03-01

用紙：膠版紙

頁數：276

字數：441000

正文語種：中文

內容簡介

　　《熔融電解質的物理化學分析/普通高等教育“十二五”規劃教材》總結瞭作者及斯洛伐剋科學院無機化學研究所在熔鹽物理化學研究方麵取得的成果，對國際上主要在近三十年以來發錶的關於熔鹽物理化學分析的重要論文、論著進行綜述，涉及熔鹽的基本理論、重要的物理化學性質和結構方麵，對各研究所涉及的理論背景、實驗方法和研究成果進行瞭詳細的介紹（包括一些重要的熔渣體係）。
　　《熔融電解質的物理化學分析/普通高等教育“十二五”規劃教材》包括熔鹽物理化學性質的測量和計算方麵的精選專題，闡述瞭作為高溫電解質的熔鹽不同物理化學性質的特徵、實驗設備和計算，包括相平衡、密度（摩爾體積）、焓（量熱法）、錶麵張力、蒸氣壓、電導率、黏度等章節，並簡要介紹瞭如X射綫衍射、紅外和Raman光譜以及NMR的直接高溫測量技術。
　　《熔融電解質的物理化學分析/普通高等教育“十二五”規劃教材》適閤於從事熔鹽研究的科研工作者、大專院校有關專業的師生進行閱讀，通過《熔融電解質的物理化學分析/普通高等教育“十二五”規劃教材》，讀者可以瞭解感興趣的熔鹽物理化學研究方嚮的相關進展，也可以參考和藉鑒所介紹的研究和分析方法。

內頁插圖

目錄

1 簡介

2 熔鹽體係的主要特徵
2.1 含有多價態金屬的熔鹽結梅
2.1.1 一價電解質體係
2.1.2 含有二價陽離子的體係
2.1.3 包含三價陽離子的係統
2.1.4 包含四價陽離子的係統
2.1.5 包含五價陽離子的係統
2.1.6 包含六價陽離子的係統
2.1.7 含有鹵化物和氧化物的係統
2.1.8 包含階躍電子的係統
2.1.9 矽酸鹽熔體的係統
2.1.10 堿金屬硼酸鹽的係統
2.1.11 冶金爐渣係統

3 相平衡
3.1 熱力學原理
3.1.1 吉布斯相律
3.1.2 杠杆規則
3.1.3 溶液熱力學
3.1.4 熔鹽的熱力學模型
3.2 凝聚體係的相圖
3.2.1 二元係
3.2.2 三元係
3.2.3 四元係
3.2.4 CaO-A12O3-SiO2體係
3.3 實驗方法
3.3.1 熱分析
3.3.2 冰點測定法
3.3.3 差熱分析
3.4 相圖計算
3.4.1 熱力學和相圖數據聯閤分析
3.4.2 四元係KF-KCl-KBF4-K2TiF6相圖的計算

4 焓
4.1 熱力學原理
4.1.1 蓋斯定律
4.1.2 基爾霍夫定律
4.1.3 反應焓
4.1.4 熔化焓的估算
4.1.5 焓平衡
4.2 實驗方法.
4.2.1 量熱法

5 密度
5.1 理論背景
5.1.1 摩爾體積
5.1.2 偏摩爾體積
5.1.3 二元和三元體係中的應用
5.2 實驗方法
5.2.1 流體靜力稱重法
5.2.2 最大氣泡壓力法

6 錶麵張力
6.1 熱力學原理
6.1.1 吉布斯方程
6.1.2 理想和嚴格正規二元混閤物的錶麵吸附量
6.1.3 三元體係的錶麵張力
6.1.4 錶麵張力模型
6.2 實驗方法
6.2.1 毛細管法
6.2.2 最大氣泡壓力法
6.2.3 脫離法
6.2.4 液滴法
6..3 接觸角
6.3.1 接觸角的測量
6.4 界麵張力
6.4.1 實驗方法

7 蒸氣壓
8 電導率
9 黏度
10 熔鹽結構的直接研究法
11 復閤物理化學分析

前言/序言

好的，這是一份針對您提供的書名《熔融電解質的物理化學分析/普通高等教育“十二五”規劃教材》之外的、內容詳盡的圖書簡介，側重於其他領域的嚴肅學術或專業教材。 --- 《高精度半導體器件物理與製造工藝》 深入探索微觀世界的前沿指南 本書簡介： 《高精度半導體器件物理與製造工藝》是一部麵嚮電子工程、材料科學、物理學及相關領域高年級本科生、研究生以及一綫研發工程師的綜閤性專著。本書旨在係統、深入地剖析現代集成電路（IC）製造中，特彆是麵嚮摩爾定律極限和後摩爾時代需求下的關鍵器件結構、底層物理機製以及前沿製造技術。全書內容嚴謹、邏輯清晰，力求在理論深度與工程實用性之間達成完美的平衡。 第一部分：前沿半導體器件物理基礎（約 5000 字內容概述） 本部分聚焦於理解和預測現代半導體器件的工作特性所必需的量子力學和固體物理基礎。我們摒棄瞭傳統教材中對簡單PN結的冗長敘述，直接切入限製現代CMOS性能的關鍵物理現象。 1. 載流子輸運的非理想效應： 詳細闡述瞭在極小尺寸下，載流子輸運不再遵循簡單的漂移-擴散模型。內容涵蓋瞭高場效應下的載流子飽和、速度過衝現象（Velocity Overshoot）的精確建模，以及量子隧穿效應在亞10納米節點中的顯著影響。我們引入瞭玻爾茲曼輸運方程（BTE）在實際器件模擬中的數值求解方法，重點討論瞭弛豫時間近似（RTA）與更精確的濛特卡洛模擬（Monte Carlo Simulation）之間的差異及其適用場景。 2. 溝道工程與界麵態的精確控製： 深入探討瞭FinFET、Gate-All-Around (GAA) 晶體管結構中，靜電控製能力（Electrostatic Integrity）的關鍵參數——亞閾值擺幅（Subthreshold Swing, SS）的物理極限。教材詳盡分析瞭界麵缺陷態（Interface Traps）對閾值電壓（$V_{th}$）波動和隨機缺陷誘發變異（Random Telegraph Noise, RTN）的影響機製，並引入瞭有效功函數工程（Effective Work Function Engineering）來優化柵極堆疊的勢壘高度。 3. 新型材料與器件結構： 區彆於傳統的矽基體係，本書專門開闢章節介紹III-V族半導體（如InGaAs）在高性能異質結雙極性晶體管（HBT）和應變矽/鍺（Strained Si/Ge）技術中的應用潛力。重點解析瞭二維材料（2D Materials），如過渡金屬硫族化閤物（TMDs），在構建超薄溝道和實現完美界麵方麵的獨特優勢與挑戰。 第二部分：高精度製造工藝與過程控製（約 6000 字內容概述） 本部分是本書的工程核心，詳細描繪瞭從晶圓準備到最終封裝測試中，為實現納米級精度所采用的尖端製造技術。 1. 先進製程中的光刻技術突破： 聚焦於極紫外光刻（EUV Lithography）。內容不僅包括EUV光源（如激光等離子體源LPP）的基本原理和挑戰，更深入到掩模（Mask）的缺陷檢測與修復技術。此外，還對浸入式深紫外光刻（DUV Immersion）在多重曝光（Multiple Patterning）技術中的應用，如SADP（Self-Aligned Double Patterning）的工藝流程和套刻誤差（Overlay Error）的最小化策略進行瞭詳盡的數學建模和流程分析。 2. 薄膜沉積與刻蝕的原子級控製： 區彆於傳統的化學氣相沉積（CVD），本書重點講解原子層沉積（ALD）在超薄高介電常數（High-k）柵氧化物、金屬柵電極以及先進封裝中的應用。對ALD的自限製（Self-limiting）機理、生長速率的溫度依賴性以及錶麵粗糙度控製進行瞭深入探討。在刻蝕方麵，本書詳述瞭反應離子刻蝕（RIE）和深矽刻蝕（DRIE，如Bosch工藝）中等離子體鞘層（Plasma Sheath）的控製，以及側壁鈍化層（Passivation Layer）對刻蝕輪廓（Profile）的決定性影響。 3. 後段製程（Back-End-of-Line, BEOL）的互連挑戰： 隨著層數的增加，互連延遲成為主要瓶頸。本書詳細分析瞭大馬士革工藝（Damascene Process）中銅的電化學沉積（ECD）過程，特彆是如何控製晶粒尺寸和界麵的阻礙效應，以降低RC延遲。同時，對低介電常數（Low-k）材料的集成、微孔（Pore）的形成及其對材料機械強度和電學性能的權衡進行瞭細緻的分析。 第三部分：器件錶徵、可靠性與未來展望（約 4000 字內容概述） 本部分著眼於如何量化器件性能，並確保其在實際應用中的長期穩定性和可靠性。 1. 納米級器件的精密電學錶徵： 超越基礎的$I-V$測量，本書強調瞭小信號分析在提取等效電路參數（如$f_T, f_{max}$）中的應用。重點介紹瞭瞬態測量技術在分析陷阱電荷捕獲和釋放過程中的重要性，以及低溫輸運測量用於區分不同散射機製的實驗方法。 2. 長期可靠性與失效物理： 深入探討瞭影響半導體壽命的關鍵物理機製，包括熱載流子注入（HCI）、柵氧化層擊穿（TDDB）的統計模型和電場依賴性。對電遷移（Electromigration）在納米金屬綫中的新形態（如晶界控製）進行瞭建模，並引入瞭加速測試的設計（Design of Experiments, DoE）方法來預測産品壽命。 3. 異構集成與先進封裝： 探討瞭3D集成電路（3D IC）中芯片堆疊（Chip Stacking）的技術挑戰，特彆是矽通孔（TSV）的製造、熱管理（Thermal Management）的復雜性，以及堆疊結構帶來的串擾（Crosstalk）問題。 --- 目標讀者定位： 緻力於集成電路設計、半導體設備研發、先進封裝技術以及材料科學領域的研究人員和工程師。本書的深度足以作為博士階段研究生的核心參考書，同時其清晰的結構也適閤有一定基礎的工程師用於知識體係的更新與拓寬。 本書特色： 理論推導嚴密，配有大量原創的能帶圖、輸運模型示意圖及關鍵工藝流程圖，確保讀者能將抽象的物理概念與具體的工程實現緊密結閤。全書對近年（2018年至今）的國際頂級會議（ISSCC, IEDM, VLSI Symposium）的前沿成果進行瞭係統性梳理和吸收。

評分☆☆☆☆☆

拿到這本教材，我首先感受到的是它的莊重感。“普通高等教育‘十二五’規劃教材”這個標簽，在我看來，意味著這本書代錶瞭國傢在相關領域教育上的頂層設計和標準。我期待這本書能夠為我們提供一個紮實的理論基礎，幫助我們理解熔融電解質作為一種特殊的介質，其獨特的物理化學性質是如何形成的，又如何影響著相關的應用。我猜想，書中會詳細闡述熔融電解質在電化學、材料科學、高溫化學等多個學科中的交叉和融閤，並可能介紹一些前沿的研究方嚮和未來的發展潛力。如果它還能提供一些引導性的思考題或者討論區，鼓勵我們獨立思考和深入探究，那就更完美瞭。

評分☆☆☆☆☆

這本書給我的第一印象是它非常厚實，這讓我不禁聯想到其中可能包含瞭大量深入的研究和詳實的案例。封麵上“普通高等教育‘十二五’規劃教材”的字樣，也讓我意識到這是一本經過國傢層麵認可和規劃的高等教育用書，其內容的權威性和係統性應該毋庸置疑。我好奇書中是否會涵蓋瞭熔融電解質在不同領域的應用，例如在新能源、新材料、甚至是一些前沿的科學研究中扮演的角色。我猜想，作為一本教材，它應該會從基礎理論齣發，逐步深入到實際應用，為學生構建一個完整的知識體係。我非常期待瞭解它在理論講解的深度和廣度上能達到什麼程度，以及它是否會提供一些最新的研究進展和發展趨勢的介紹，這對於我們這些希望跟上時代步伐的學生來說至關重要。

評分☆☆☆☆☆

從書名來看，“熔融電解質的物理化學分析”這個課題本身就顯得相當專業和具有挑戰性。我猜測這本書的內容可能會涉及到熔融鹽的熱力學性質、動力學行為、結構以及它們在各種化學反應中的作用機製。我特彆好奇書中是否會詳細介紹各種分析方法，例如光譜分析、電化學分析等在熔融電解質體係中的應用。畢竟，對這類體係進行準確的分析是深入研究其物理化學性質的基礎。我想，一本優秀的教材應該能夠清晰地闡釋復雜的概念，並且能夠通過圖錶、公式等輔助手段，幫助讀者更好地理解。我期待這本書能夠提供一些實際的實驗操作指導或者相關的案例分析，這樣我纔能更好地將理論知識與實際相結閤。

評分☆☆☆☆☆

這本書的封麵設計非常簡潔大氣，封麵的顔色搭配也十分沉穩，給人一種專業、嚴謹的感覺。當我第一次拿到這本書時，就被它厚重的質感所吸引，感覺裏麵一定蘊含著豐富的知識。翻開書頁，紙張的觸感也相當不錯，印刷清晰，排版也很閤理，閱讀起來不會感到吃力。雖然我對書中的具體內容還不太瞭解，但僅僅從這本書的外觀和手感上，就能感受到齣版方在圖書製作上的用心。我想，一本好的教材，除瞭內容本身之外，良好的閱讀體驗也是非常重要的，而這本書在這方麵無疑做得非常齣色。我尤其喜歡它裝幀的設計，整體風格非常符閤學術書籍的定位，沒有那些花裏鬍哨的裝飾，一切都以內容為核心，這讓我對這本書所承載的知識更加充滿瞭期待。我忍不住在手中把玩瞭一下，感覺它是一本值得細細品味的書籍。

評分☆☆☆☆☆

這本書的標題“熔融電解質的物理化學分析”帶給我一種探索未知領域的興奮感。我腦海中立刻浮現齣各種高溫、高活性的熔融體係，以及如何用嚴謹的科學方法去揭示它們的奧秘。我好奇書中是否會深入探討熔融電解質的相平衡、相變等熱力學行為，以及離子的遷移、傳質等動力學過程。同時，我希望這本書能夠係統地介紹用於錶徵熔融電解質物理化學性質的各種先進技術和儀器，並解釋這些技術如何幫助我們理解熔融電解質的微觀結構和宏觀性質之間的聯係。對於我來說，如果書中能夠提供一些經典實驗的詳細步驟和數據處理方法，那將是極大的幫助。