阻變存儲器：器件、材料、機理、可靠性及電路 下載 mobi epub pdf 電子書 2024

☆☆☆☆☆
簡體網頁||繁體網頁



點擊這裡下載

類似圖書 點擊查看全場最低價

---

內容簡介

林殷茵、宋雅麗、薛曉勇著的《阻變存儲器--器件材料機理可靠性及電路》係統總結、歸納和對比瞭近來國際上在阻變存儲器核心技術上研究的最新成果以及發展趨勢，全書共分8章，包括阻變存儲器核心技術近年來的發展趨勢概述，2D存儲單元結構，阻變材料和機理，阻變讀寫性能的優化，可靠性的優化，讀寫電路技術，提高良率以及可靠性的電路輔助技術．3D集成及相關電路技術。
本書可作為高等院校電子科學與技術、電子與信息工程、材料科學與工程等專業的高年級本科生和研究生的選修課教材，也可供從事這一領域研究的科研和工程技術人員參考。希望這本書會對有興趣的讀者深入瞭解阻變存儲器這一國際熱點研究領域的進展、聚焦問題以及發展趨勢有所幫助。

目錄

前言 第1章  RRAM概述    參考文獻  第2章  2D RRAM的存儲單元結構    2.1  1T1R單元     2.1.1  單元結構     2.1.2  單極和雙極操作   2.2  采用二極管作為選通器件的單元     2.2.1  單極操作的1D1R單元     2.2.2  采用雙嚮二極管作為選通器件的RRAM單元   2.3  自整流RRAM單元     2.3.1  混閤型RRAM存儲單元     2.3.2  互補型RRAM器件   參考文獻 第3章  RRAM的阻變機理   3.1  導電細絲的類型及其相應的阻變過程      3.1.1  金屬導電絲型RRAM        3.1.2  氧空位導電絲RRAM      3.2  RRAM的FORMING過程   3.3  導電細絲的微縮化及其對性能的影響     參考文獻 第4章  影響RRAM讀寫性能的主要因素和優化方法   4.1  降低RESET電流的方法     4.1.1  構建多層結構     4.1.2  通過控製限流降低功耗   4.2  操作算法提高RRAM讀寫特性     4.2.1  自適應寫操作算法提高寫成功率和Roff／Ron窗口     4.2.2  操作算法提高參數一緻性   4.3  工藝方法提高讀寫參數一緻性      4.3.1  電極效應     4.3.2  插入緩衝層和構建雙層結構     4.3.3  嵌入金屬來控製導電通路     參考文獻  第5章  RRAM的可靠性   5.1  保持特性當前的測試方法   5.2  保持特性的模型和改善方法      5.2.1  RRAM保持特性失效模型     5.2.2  通過形成高密度的氧空位CF改善保持特性     5.2.3  通過動態自適應寫操作算法改善保持特性   5.3  耐久性模型和改善方法     5.3.1  耐久性失效模型      5.3.2  高耐久性的器件結構      5.3.3  通過編程算法提高耐久性      參考文獻  第6章  提高RRAM讀寫速度及帶寬的電路技術   6.1  提高讀速度的電路技術     6.1.1  基於反饋調節的位綫偏壓方案      6.1.2  PTADB方案    6.2  提高讀帶寬的電路技術     6.2.1  片上所有sA同時工作      6.2.2  交替頁訪問並結閤DDR接口輸齣    6.3  加快寫速度及帶寬的電路技術   參考文獻  第7章  提高RRAM讀寫良率和可靠性的電路技術    7.1  提高讀良率的電路技術     7.1.1  PSRC方案      7.1.2  SARM方案      7.1.3  BDD-CSA方案      7.1.4  TABB方案      7.1.5  SSC-CSA方案    7.2  提高寫良率降低寫功耗的電路技術      7.2.1  自適應寫模式      7.2.2  帶反饋的自定時寫方案    7.3  提高耐久性和保持特性的電路技術      7.3.1  兩步FORMING方案     7.3.2  阻值驗證寫方案      7.3.3  動態自適應寫方法    參考文獻  第8章  3D RRAM集成及電路技術   8.1  傳統交叉點架構的漏電通路及功耗問題    8.2  基於lTXR的3D RRAM       8.2.1  lTXR單元及陣列架構     8.2.2  剋服寫乾擾的編程算法     8.2.3  剋服讀乾擾的措施   8.3  基於1D1R單元的3D RRAM      8.3.1  陣列架構      8.3.2  可以補償漏電流來精確檢測阻態變化的寫電路技術     8.3.3  采用位綫電容隔離來加快sA翻轉的讀電路   8.4  采用雙嚮二極管作為選通器件的3D RRAM     8.4.1  陣列架構      8.4.2  lBDlR陣列的編程條件      8.4.3  采用冗餘單元的多位寫架構    8.5  具有較低光刻成本的竪直3D堆疊方式      8.5.1  單元和陣列的截麵圖     8.5.2  光刻方麵的成本優勢   參考文獻

前言/序言

阻變存儲器：器件、材料、機理、可靠性及電路 下載 mobi epub pdf txt 電子書 格式

評分☆☆☆☆☆

評分☆☆☆☆☆

評分☆☆☆☆☆

評分☆☆☆☆☆

評分☆☆☆☆☆

評分☆☆☆☆☆

評分☆☆☆☆☆

評分☆☆☆☆☆

評分☆☆☆☆☆

類似圖書 點擊查看全場最低價