晶体管原理(第2版)

晶体管原理(第2版) pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

郭澎,张福海,刘永 著
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出版社: 国防工业出版社
ISBN:9787118107715
版次:2
商品编码:11956286
包装:平装
开本:16开
出版时间:2016-04-01
用纸:胶版纸
页数:366
字数:473000
正文语种:中文

具体描述

内容简介

  《晶体管原理(第2版)》主要讲述双极型晶体管和场效应晶体管的基本工作原理及其频率特性、功率特性、开关特性,并描述这些特性的相关参数。讲述了新型半导体器件包括新发明的石墨烯场效应晶体管和常温单电子晶体管的结构和特性。为适应计算机辅助设计仿真的需求,书中介绍了半导体器件特别是国产军品器件创建模型的方法。
  《晶体管原理(第2版)》适合作为“微电子科学与工程”“集成电路设计与集成系统”等专业的本科教材,也适用于“光电子(信息)工程”等相关专业的研究生教材,以及从事微电子、光电子(信息)专业相关工作的科研与工程技术人员阅读参考。

目录

第1章 半导体物理与工艺概要
1.1 晶体结构和能带结构
1.1.1 理想晶体的结构
1.1.2 理想晶体的能带结构
1.1.3 晶格振动和杂质原子对半导体性质的影响
1.2 半导体中的载流子
1.2.1 平衡载流子的统计
1.2.2 半导体中的非平衡载流子
1.3 载流子的运动
1.3.1 漂移运动
1.3.2 扩散运动
1.4 半导体中的基本控制方程组
1.4.1 电流密度方程
1.4.2 连续性方程
1.5 PN结的电学特性
1.5.1 PN结直流伏安特性
1.5.2 势垒电容和扩散电容
1.5.3 击穿特性
1.6 基本器件工艺
1.6.1 衬底制备和外延生长
1.6.2 氧化和光刻
1.6.3 扩散与离子注入
习题
参考文献

第2章 晶体管的直流特性
2.1 晶体管的基本结构及其杂质分布
2.1.1 基本结构
2.1.2 晶体管工艺与杂质分布
2.1.3 均匀基区晶体管和缓变基区晶体管
2.2 晶体管的放大机理
2.2.1 晶体管的电流传输作用
2.2.2 晶体管端电流的组成
2.2.3 描述晶体管电流传输作用和放大性能的参数
2.2.4 晶体管的放大能力
2.3 晶体管的直流伏安特性
2.3.1 均匀基区晶体管的伏安特性
2.3.2 缓变基区晶体管有源放大区的伏安特性
2.4 直流电流增益
2.4.1 理想晶体管的直流增益
2.4.2 影响直流增益的一些因素
2.5 反向电流和击穿电压
2.5.1 反向电流
2.5.2 击穿电压
2.5.3 穿通电压
2.6 基极电阻
2.6.1 梳状晶体管
2.6.2 圆形晶体管
2.7 特性曲线
2.7.1 输入特性曲线
2.7.2 输出特性曲线
2.7.3 晶体管的直流小信号参数
2.8 晶体管模型
2.8.1 埃伯斯一莫尔模型
2.8.2 晶体管各工作区的模型
习题
参考文献

第3章 晶体管的频率特性
3.1 基本概念

第4章 双极型晶体管的功率特性
第5章 开关特性
第6章 结型场效应晶体管
第7章 MOS场效应晶体管
第8章 石墨烯场效应晶体管
第9章 新型半导体器件的仿真模型

前言/序言


《晶体管原理(第2版)》图书简介 前言 在现代电子技术的浩瀚星空中,晶体管无疑是最耀眼的恒星之一。它小巧的身躯蕴藏着巨大的能量,彻底颠覆了人类对信息处理和控制的认知,催生了无数革命性的科技产品,深刻地改变了我们的生活方式。从最初笨重的电子管,到如今集成在微小芯片中的数十亿晶体管,晶体管的发展史是一部波澜壮阔的科学进步史,也是人类智慧不断突破极限的生动写照。 本书,《晶体管原理(第2版)》,正是为了揭示这颗“电子世界的圣杯”背后的奥秘而生。它并非仅仅罗列枯燥的技术参数,而是力求以一种深入浅出、系统严谨的方式,带领读者一步步走进晶体管的奇妙世界。我们希望通过本书,让您不仅了解晶体管是什么,更能理解它为何是这样,以及它将如何继续引领未来的科技潮流。 本书内容概览 《晶体管原理(第2版)》共分为[此处请您自行填充,根据您的实际书籍内容,例如:十七章]部分,每一部分都紧密相连,层层递进,旨在构建一个完整而坚实的晶体管知识体系。 第一部分:电子世界的基石——半导体材料与PN结 在深入探索晶体管之前,我们首先需要了解其赖以生存的土壤——半导体材料。本部分将详细介绍硅、锗等常见半导体材料的原子结构、能带理论以及载流子(电子和空穴)的产生与复合机制。我们将探讨本征半导体和外延半导体的区别,以及杂质掺杂如何巧妙地改变半导体的导电性能,从而为PN结的形成奠定基础。 随后,我们将聚焦于电子学中最基本也最核心的结构之一:PN结。读者将学习到PN结的形成过程,理解其内部存在的内建电场和势垒,以及当PN结外加正向偏压和反向偏压时,载流子在PN结两侧的扩散和漂移行为。本部分将深入剖析PN结的伏安特性曲线,解释其单向导电性原理,为后续理解二极管和三极管的工作机制提供关键的理论依据。 第二部分:控制电流的艺术——二极管家族 PN结的单向导电性赋予了它作为“电子阀门”的能力,这便是二极管的基本功能。本部分将系统介绍各种类型的二极管,包括但不限于: 普通PN结二极管: 详细分析其正反向特性,工作原理,以及在整流、滤波、限幅等电路中的应用。 稳压二极管(齐纳二极管): 深入研究其反向击穿区域的特性,以及如何利用这一特性实现稳定的电压输出,在稳压电源和参考电压电路中的重要作用。 发光二极管(LED): 探索其发光机理,不同的发光材料和颜色,以及在显示、照明和信号指示等领域的广泛应用。 光电二极管: 阐述其光电转换原理,以及在光传感器、光通信等方面的应用。 通过对这些不同类型二极管的深入讲解,读者将对半导体器件的功能多样性有一个初步的认识。 第三部分:电子开关与放大器——三极管(BJT)的奥秘 本部分将是本书的重头戏之一,我们将全面揭示双极结型三极管(BJT)的工作原理。读者将深入理解三极管的结构(NPN型和PNP型),以及它的三个重要终端:基极(Base)、集电极(Collector)和发射极(Emitter)。 我们将详细讲解三极管的工作区域,包括截止区、放大区和饱和区。通过分析基极电流与集电极电流之间的关系,引入电流放大系数(β)的概念,深入理解三极管作为放大器的工作原理。此外,我们还将探讨三极管作为电子开关的特性,解释如何通过控制基极电流来控制集电极电流的通断,这为数字电路的设计奠定了基础。 本部分还将涉及三极管的各种基本放大电路组态(共发射、共集电极、共基极),分析它们的输入输出特性、电压增益、电流增益以及输入输出阻抗,为读者提供设计放大电路的实用方法。 第四部分:场控的革命——场效应晶体管(FET) 与BJT不同,场效应晶体管(FET)是依靠电场来控制导电沟道的,它具有输入阻抗高等优点,在许多现代电子电路中扮演着不可或缺的角色。本部分将系统介绍几种主要的FET类型: 结型场效应晶体管(JFET): 讲解其工作原理,沟道区域的形成,以及栅极电压如何控制沟道的导电性。 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET): 这是当前应用最广泛的晶体管类型。我们将深入剖析MOSFET的结构(NMOS和PMOS),其三种工作模式(截止、线性/欧姆区、饱和区),以及阈值电压(Vt)的关键作用。读者将理解MOSFET如何实现高输入阻抗、低功耗以及快速开关的特性。 本部分还将对比BJT和FET的异同,分析它们各自的优缺点,以及在不同应用场景下的选择依据。 第五部分:集成电路的基石——晶体管的实际应用与设计考量 在掌握了各类晶体管的基本原理后,本部分将带领读者将其知识应用于实际电路设计。我们将探讨晶体管在各种经典电子电路中的应用,例如: 放大器电路: 各种单级和多级放大器的设计与分析,包括运算放大器的基本构成原理。 振荡器电路: 利用晶体管的放大和反馈特性产生特定频率的信号。 开关电路与数字逻辑门: 如何利用晶体管构建基本的逻辑门(AND, OR, NOT等),以及它们在微处理器和数字系统中的核心作用。 电源管理电路: 晶体管在稳压、滤波、开关电源等方面的应用。 此外,本部分还将关注晶体管在实际工作中的一些关键设计考量,如: 偏置电路的设计: 如何为晶体管提供合适的工作点,以保证其在放大区稳定工作。 频率响应: 晶体管在高频下的性能衰减以及相关的设计技巧。 功耗与散热: 如何在设计中权衡性能和功耗,保证器件的可靠工作。 噪声分析: 晶体管电路中噪声的来源及抑制方法。 通过这些实际应用和设计考量的讲解,本书将引导读者从理论走向实践,具备初步的电子电路设计能力。 第六部分:晶体管技术的未来展望 在本书的结尾,我们将放眼未来,探讨晶体管技术的前沿发展趋势,包括: 更小尺寸、更高集成度的挑战与机遇: 摩尔定律的演进,新材料、新结构的探索。 新型晶体管技术: 例如自旋电子学、量子点晶体管等,以及它们可能带来的革命性影响。 人工智能与计算的未来: 晶体管在推动AI硬件发展中的核心地位。 我们相信,通过对这些前沿领域的探讨,读者将能够更深刻地理解晶体管技术的生命力与无限潜力。 本书特色 理论与实践并重: 本书不仅深入讲解了晶体管的理论基础,还结合大量的实例和应用场景,帮助读者将理论知识转化为实际的工程能力。 由浅入深,循序渐进: 章节安排合理,内容难度逐渐增加,适合初学者入门,也适合有一定基础的读者深入学习。 图文并茂,生动形象: 大量精美的插图、示意图和电路图,帮助读者直观理解抽象的物理概念和电路原理。 语言严谨且易懂: 避免使用过于晦涩的专业术语,力求用清晰、准确的语言阐述复杂的概念。 致读者 掌握晶体管原理,不仅是学习电子工程的必修课,更是理解现代信息社会运行机制的钥匙。本书的目标是为您提供一把打开这扇大门的钥匙,让您能够自信地探索和运用晶体管技术。无论您是电子工程的学生,还是对电子技术充满好奇的爱好者,亦或是希望在相关领域深入研究的专业人士,我们相信本书都将为您提供宝贵的知识和启迪。 我们真诚地希望,《晶体管原理(第2版)》能够成为您在电子技术学习道路上的良师益友,陪伴您在探索科学的道路上不断前进,共同迎接更加智能、互联的未来。

用户评价

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我通常在学习技术书籍时,更倾向于那种能够引发我思考,而不是简单罗列知识的书籍。《晶体管原理(第2版)》恰恰就是这样一本让我爱不释手的书。它没有使用过于晦涩的术语,也没有堆砌大量的公式,而是通过大量生动形象的比喻和清晰的逻辑链条,将复杂的半导体物理概念娓娓道来。我尤其喜欢书中在讲解“晶体管的开关特性”时,将其比作一个精密的“电子阀门”,形象地展现了其控制电流的能力。此外,书中对“不同封装对器件性能的影响”的分析,也让我受益匪浅。我之前总是认为只要选对了核心器件,设计就已经成功了一半,但这本书让我意识到,外部环境和封装方式同样对最终性能有着不可忽视的影响。这种“举一反三”的教学方式,让我能够将学到的知识灵活地运用到实际问题中。

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我一直觉得,学习任何一门科学,最重要的就是要抓住其“灵魂”。对于晶体管这个改变了世界的神奇器件,它的灵魂究竟在哪里?是 PN 结的形成,还是载流子的注入和扩散?《晶体管原理(第2版)》这本书,以一种极其宏大而又细腻的视角,为我揭示了晶体管的“灵魂”所在。它不仅仅是简单地介绍结构和工作原理,更是从量子力学的基本概念出发,一步步构建起对半导体材料和器件的深刻理解。书中对“能带理论”和“费米能级”的阐述,让我对晶体管的内在机制有了前所未有的清晰认识。当我读到关于“多量子阱结构”和“量子点器件”的章节时,我更是被书中展现出的前沿科技所震撼,仿佛看到了半导体技术未来的发展方向。这本书的深度和广度,足以让我在晶体管领域进行更深层次的探索。

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我最近正着迷于模拟电路的设计,尤其是那些需要精细调控的放大器和滤波器。之前接触的一些资料,虽然也能讲清楚基本原理,但总感觉缺乏一种“触类旁通”的深度,比如对不同偏置方式对晶体管性能的影响,还有寄生参数是如何悄无声息地干扰信号的。这次拿到《晶体管原理(第2版)》,我抱着试试看的心态翻阅了几页,结果立刻就被其中对“器件模型精细化”的论述所吸引。它不仅仅停留在理论层面,而是深入到不同工艺下晶体管的物理机制,并辅以大量的公式推导和图示,让我对BJT和MOSFET的内部运作有了更立体的认识。特别是关于“沟道长度调制效应”和“亚阈值区行为”的讲解,条理清晰,逻辑严密,这对于我理解低功耗模拟电路的设计至关重要。这本书的语言风格也比较朴实,但每一句话都言之有物,不含糊其辞,让人感觉作者是真正花心思去将复杂的概念讲透彻的。

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初次拿到《晶体管原理(第2版)》,我最直观的感受就是它的厚重感和纸张的质感,那种印刷的油墨香混合着纸张特有的清冽气息,瞬间就点燃了我对知识的渴望。翻开目录,密密麻麻的章节标题就如同星辰大海般铺展开来,每一个都透露着严谨和深度。我尤其对其中关于“掺杂浓度对载流子行为的影响”那一章充满了期待,因为在之前的学习过程中,这个问题总是让我觉得有些模糊不清,希望这本书能给我带来醍醐灌顶般的解答。同时,我也被其中对“MOSFET的阈值电压漂移”的深入探讨所吸引,这在实际应用中是一个非常关键但又容易被忽视的参数,能够对其有更透彻的理解,无疑能极大地提升我设计和分析电路的水平。这本书的排版也相当用心,字里行间流露出一种沉静而专注的学术氛围,让人愿意沉下心来,逐字逐句地去品味其中的奥秘。对于任何一个渴望在半导体领域有所建树的工程师或学生来说,这无疑是一笔宝贵的精神财富。

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作为一名在电子产品研发一线摸爬滚打多年的工程师,我深知理论知识与实际应用之间的差距。我们常常在设计中遇到各种各样的问题,比如器件的可靠性、不同工作条件下的性能衰减,以及如何选择最适合特定应用的晶体管型号。《晶体管原理(第2版)》这本书,在我看来,就像一位经验丰富的老工匠,用最朴实的语言,却揭示了最核心的秘密。我特别关注书中关于“晶体管的噪声特性”的章节,这在许多高灵敏度应用中是至关重要的考量因素。书中对不同噪声源(如热噪声、散粒噪声)的分析,以及它们与器件结构和工作点的关系,让我豁然开朗。此外,书中对“器件的可靠性与失效机制”的探讨,也给予了我宝贵的指导,让我能更早地预见到潜在的设计风险,并采取相应的预防措施。这本书的实践指导意义,远超出了我之前的预期。

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非常实用,巴适得很,走过路过机会不要错过,又起来看,走起来买,买到就是赚到。

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挺好

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