发表于2024-11-09
国外电子与通信教材系列 半导体制造技术 | ||
定价 | 79.00 | |
出版社 | 电子工业出版社 | |
版次 | 1 | |
出版时间 | 2015年06月 | |
开本 | 16开 | |
作者 | (美)夸克,(美)瑟达,韩郑生 等译 | |
装帧 | 平装 | |
页数 | 0 | |
字数 | 0 | |
ISBN编码 | 9787121260834 |
第1章 半导体产业介绍
目标
1.1 引言
1.2 产业的发展
1.3 电路集成
1.4 集成电路制造
1.5 半导体趋势
1.6 电子时代
1.7 在半导体制造业中的职业
1.8 小结
第2章 半导体材料特性
目标
2.1 引言
2.2 原子结构
2.3 周期表
2.4 材料分类
2.5 硅
2.6 可选择的半导体材料
2.7 小结
第3章 器件技术
目标
3.1 引言
3.2 电路类型
3.3 无源元件结构
3.4 有源元件结构
3.5 CMOS器件的闩锁效应
3.6 集成电路产品
3.7 小结
第4章 硅和硅片制备
目标
4.1 引言
4.2 半导体级硅
4.3 晶体结构
4.4 晶向
4.5 单晶硅生长
4.6 硅中的晶体缺陷
4.7 硅片制备
4.8 质量测量
4.9 外延层
4.10 小结
第5章 半导体制造中的化学品
目标
5.1 引言
5.2 物质形态
5.3 材料的属性
5.4 工艺用化学品
5.5 小结
第6章 硅片制造中的沾污控制
目标
6.1 引言
6.2 沾污的类型
6.3 沾污的源与控制
6.4 硅片湿法清洗
6.5 小结
第7章 测量学和缺陷检查
目标
7.1 引言
7.2 集成电路测量学
7.3 质量测量
7.4 分析设备
7.5 小结
第8章 工艺腔内的气体控制
目标
8.1 引言
8.2 真空
8.3 真空泵
8.4 工艺腔内的气流
8.5 残气分析器
8.6 等离子体
8.7 工艺腔的沾污
8.8 小结
第9章 集成电路制造工艺概况
目标
9.1 引言
9.2 CMOS工艺流程
9.3 CMOS制作步骤
9.4 小结
第10章 氧化
目标
10.1 引言
10.2 氧化膜
10.3 热氧化生长
10.4 高温炉设备
10.5 卧式与立式炉
10.6 氧化工艺
10.7 质量测量
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