发表于2024-11-24
基本信息
书名:功率半导体器件基础-英文版
定价:150.00元
售价:120.0元
作者:(美)巴利伽
出版社:科学出版社
出版日期:2012-06-01
ISBN:9787030343406
字数:
版次:1
装帧:平装
开本:16开
编辑推荐
(1)本书作者是功率半导体器件领域的国际专家,IGBT器件发明人之一。(2)本书结合作者多年的实践经验,不仅深入讨论了半导体功率器件的工作原理,而且采用计算机来验证物理模型,并讨论了实际复杂结构器件的优化设计。(3)各章都附有习题,便于读者深入掌握基本概念,可作为相关专业高年级本科生、研究生的教材。
内容提要
《功率半导体器件基础(英文版)》作者是功率半导体器件领域的专家,IGBT器件发明人之一。《功率半导体器件基础(英文版)》结合作者多年的实践经验,深入讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性,不仅详细介绍了硅基器件,还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。
《功率半导体器件基础(英文版)》可作为微电子、电力电子等相关领域科研人员、工程技术人员的参考书,也可作为相关专业高年级本科生、研究生的教材。
目录
作者介绍
文摘
序言
BF:功率半导体器件基础-英文版 (美)巴利伽 科学出版社 9787030343406 下载 mobi pdf epub txt 电子书 格式 2024
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