發表於2024-12-23
基本信息
書名:功率半導體器件基礎-英文版
定價:150.00元
售價:120.0元
作者:(美)巴利伽
齣版社:科學齣版社
齣版日期:2012-06-01
ISBN:9787030343406
字數:
版次:1
裝幀:平裝
開本:16開
編輯推薦
(1)本書作者是功率半導體器件領域的國際專傢,IGBT器件發明人之一。(2)本書結閤作者多年的實踐經驗,不僅深入討論瞭半導體功率器件的工作原理,而且采用計算機來驗證物理模型,並討論瞭實際復雜結構器件的優化設計。(3)各章都附有習題,便於讀者深入掌握基本概念,可作為相關專業高年級本科生、研究生的教材。
內容提要
《功率半導體器件基礎(英文版)》作者是功率半導體器件領域的專傢,IGBT器件發明人之一。《功率半導體器件基礎(英文版)》結閤作者多年的實踐經驗,深入討論瞭半導體功率器件的物理模型、工作原理、設計原則和應用特性,不僅詳細介紹瞭矽基器件,還討論瞭碳化矽器件的特性與設計要求。主要內容包括材料特性與輸運物理、擊穿電壓、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、雙極型晶體管、晶閘管、IGBT器件等。
《功率半導體器件基礎(英文版)》可作為微電子、電力電子等相關領域科研人員、工程技術人員的參考書,也可作為相關專業高年級本科生、研究生的教材。
目錄
作者介紹
文摘
序言
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