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基本信息

书名：功率半导体器件基础-英文版

定价：150.00元

作者： B.Jayant Baliga

出版社：科学出版社

出版日期：2012-06-01

ISBN：9787030343406

字数：

页码：1065

版次：1

装帧：平装

开本：16开

商品重量：1.503kg

编辑推荐

《国外信息科学与技术图书系列：功率半导体器件基础（英文版）》深入讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性，不仅详细介绍了硅基器件，还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。本书可作为微电子、电力电子等相关领域科研人员、工程技术人员的参考书，也可作为相关专业高年级本科生、研究生的教材。

内容提要

《国外信息科学与技术图书系列：功率半导体器件基础（英文版）》作者B.Jayant Baliga是功率半导体器件领域的专家，IGBT器件发明人之一。本书结合作者多年的实践经验，深入讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性，不仅详细介绍了硅基器件，还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。
　　《国外信息科学与技术图书系列：功率半导体器件基础（英文版）》可作为微电子、电力电子等相关领域科研人员、工程技术人员的参考书，也可作为相关专业高年级本科生、研究生的教材。

目录

Preface
Chapter 1 Introduction
1.1 Ideal and Typical Power Switching Waveforms
1.2 Ideal and Typical Power Device Characteristics
1.3 Unipolar Power Devices
1.4 Bipolar Power Devices
1.5 MOS-Bipolar Power Devices
1.6 Ideal Drift Regiofor Unipolar Power Devices
1.7 Charge-Coupled Structures: Ideal Specific On-Resistance
1.8 Summary
Problems
References

Chapter 2 Material Properties and Transport Physics
2.1 Fundamental Properties
2.1.1 Intrinsic Carrier Concentration
2.1.2 Bandgap Narrowing
2.1.3 Built-iPotential
2.1.4 Zero-Bias DepletioWidth
2.1.5 Impact IonizatioCoefficients
2.1.6 Carrier Mobility
2.2 Resistivity
2.2.1 Intrinsic Resistivity
2.2.2 Extrinsic Resistivity
2.2.3 NeutroTransmutatioDoping
2.3 RebinatioLifetime

Chapter 3 BreakdowVoltage
Chapter 4 Schottky Rectifiers
Chapter 5 P-i-N Rectifiers
Chapter 6 Power Mosfets
Chapter 7 Bipolar JunctioTransistors
Chapter 8 Thyristors
Chapter 9 Insulated Gate Bipolar Transistors
Chapter 10 Synopsis
Index

作者介绍

文摘

序言

Preface
Chapter 1 Introduction
1.1 Ideal and Typical Power Switching Waveforms
1.2 Ideal and Typical Power Device Characteristics
1.3 Unipolar Power Devices
1.4 Bipolar Power Devices
1.5 MOS-Bipolar Power Devices
1.6 Ideal Drift Regiofor Unipolar Power Devices
1.7 Charge-Coupled Structures: Ideal Specific On-Resistance
1.8 Summary
Problems
References

Chapter 2 Material Properties and Transport Physics
2.1 Fundamental Properties
2.1.1 Intrinsic Carrier Concentration
2.1.2 Bandgap Narrowing
2.1.3 Built-iPotential
2.1.4 Zero-Bias DepletioWidth
2.1.5 Impact IonizatioCoefficients
2.1.6 Carrier Mobility
2.2 Resistivity
2.2.1 Intrinsic Resistivity
2.2.2 Extrinsic Resistivity
2.2.3 NeutroTransmutatioDoping
2.3 RebinatioLifetime

Chapter 3 BreakdowVoltage
Chapter 4 Schottky Rectifiers
Chapter 5 P-i-N Rectifiers
Chapter 6 Power Mosfets
Chapter 7 Bipolar JunctioTransistors
Chapter 8 Thyristors
Chapter 9 Insulated Gate Bipolar Transistors
Chapter 10 Synopsis
Index