发表于2024-11-16
商品基本信息,请以下列介绍为准 | |
商品名称: | 半导体照明技术 电子与通信 书籍 |
作者: | 方志烈 |
定价: | 79.0 |
出版社: | 电子工业出版社 |
出版日期: | 2018-05-01 |
ISBN: | 9787121340369 |
印次: | |
版次: | 2 |
装帧: | 平装-胶订 |
开本: | 16开 |
内容简介 | |
本书在介绍半导体照明器件———发光二极管的材料、机理及其制造技术的同时,详细讲解了器件的光 电参数测试方法,器件的可靠性分析、驱动和控制方法,以及各种半导体照明的应用技术。本书内容系统、 全面,通过理论联系实际,突出了 “半导体照明”主题,反映了国内外*的应用技术。 |
目录 | |
第1章光视觉颜色 1��1光 1��1��1光的本质 1��1��2光的产生和传播 1��1��3人眼的光谱灵敏度 1��1��4光度学及其测量 1��2视觉 1��2��1作为光学系统的人眼 1��2��2视觉的特征与功能 1��3颜色 1��3��1颜色的性质 1��3��2照明委员会色度学系统 1��3��3色度学及其测量 第2章光源 2��1自然光源 2��1��1太阳 2��1��2月亮和行星 2��2人工光源 2��2��1人工光源的发明与发展 2��2��2白炽灯 2��2��3卤钨灯 2��2��4荧光灯 2��2��5低压钠灯 2��2��6高压放电灯 2��2��7无电极放电灯 2��2��8发光二极管 2��2��9照明的经济核算 第3章半导体发光材料晶体导论 3��1晶体结构 3��1��1空间点阵 3��1��2晶面与晶向 3��1��3闪锌矿结构、金刚石结构和纤锌矿结构 3��1��4缺陷及其对发光的影响 3��2能带结构 3��3半导体晶体材料的电学性质 3��3��1费米能级和载流子 3��3��2载流子的漂移和迁移率 3��3��3电阻率和载流子浓度 3��3��4寿命 3��4半导体发光材料的条件 3��4��1带隙宽度合适 3��4��2可获得电导率高的p型和n型晶体 3��4��3可获得完整性好的优质晶体 3��4��4发光复合概率大 第4章半导体的激发与发光 4��1pn结及其特性 4��1��1理想的pn结 4��1��2实际的pn结 4��2注入载流子的复合 4��2��1复合的种类 4��2��2辐射型复合 4��2��3非辐射型复合 4��3辐射与非辐射复合之间的竞争 4��4异质结构和量子阱 4��4��1异质结构 4��4��2量子阱 第5章半导体发光材料体系 5��1砷化镓 5��2磷化镓 5��3磷砷化镓 5��3��1GaAs0��60P0��40/GaAs 5��3��2晶体中的杂质和缺陷对发光效率的影响 5��4镓铝砷 5��5铝镓铟磷 5��6铟镓氮 第6章半导体照明光源的发展和特征参量 6��1发光二极管的发展 6��2发光二极管材料生长方法 6��3高亮度发光二极管芯片结构 6��3��1单量子阱(SQW)结构 6��3��2多量子阱(MQW)结构 6��3��3分布布拉格反射(DBR)结构 6��3��4透明衬底技术(Transparent Substrate,TS) 6��3��5镜面衬底(Mirror Substrate,MS) 6��3��6透明胶质黏结型 6��3��7表面纹理结构 6��4照明用LED的特征参数和要求 6��4��1光通量 6��4��2发光效率 6��4��3显色指数 6��4��4色温 6��4��5寿命 6��4��6稳定性 6��4��7热阻 6��4��8抗静电性能 第7章磷砷化镓、磷化镓、镓铝砷材料生长 7��1磷砷化镓氢化物气相外延生长(HVPE) 7��2氢化物外延体系的热力学分析 7��3液相外延原理 7��4磷化镓的液相外延 7��4��1磷化镓绿色发光材料外延生长 7��4��2磷化镓红色发光材料外延生长 7��5镓铝砷的液相外延 第8章铝镓铟磷发光二极管 8��1AlGaInP金属有机物化学气相沉积通论 8��1��1源材料 8��1��2生长条件 8��1��3器件生长 8��2外延材料的规模生产问题 8��2��1反应器问题:输送和排空处理 8��2��2均匀性的重要性 8��2��3源的质量问题 8��2��4颜色控制问题 8��2��5生产损耗问题 8��3电流扩展 8��3��1欧姆接触的改进 8��3��2p型衬底上生长 8��3��3电流扩展窗层 8��3��4氧化铟锡(ITO) 8��4电流阻挡结构 8��5光的取出 8��5��1上窗设计 |
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