电子封装技术丛书--先进倒装芯片封装技术 唐和明（Ho-Ming Tong） 化学工业出版 下载 mobi epub pdf 电子书 2024

基本信息

书名：电子封装技术丛书--先进倒装芯片封装技术

定价：198.00元

作者：唐和明（Ho-Ming Tong）

出版社：化学工业出版社

出版日期：2017-02-01

ISBN：9787122276834

字数：

页码：447

版次：1

装帧：平装

开本：16开

商品重量：0.4kg

编辑推荐

适读人群 ：本书适合从事倒装芯片封装技术以及其他先进电子封装技术研究的工程师、科研人员和技术管理人员阅读，也可以作为电子封装相关专业高年级本科生、研究生和培训人员的教材和参考书。
倒装芯片（flip chip）封装技术自从问世以后一直在集成电路封装领域占据着重要的地位。尤其是近年来随着先进封装技术向着微型化、薄型化趋势的发展，该技术已经成为集成电路封装的主要形式。有关倒装芯片技术的书籍近年来也是层出不穷，但涉及面往往局限于单一的设计、制造技术。尚没有一本系统介绍倒装芯片技术研究发展现状、未来发展趋势以及倒装芯片设计、制造以及相关材料的书籍。而上述内容对于从事集成电路封装技术研究的学者、工程师、教师以及学生均具有重要的参考价值，本书则满足了相关从业工作者的需求。 n
本书深入浅出地介绍了倒装芯片技术的市场（章）、技术发展趋势（第2章）、设计与制造技术（第3、4、8、9章）、可靠性（0、11章）以及封装材料（第5、6章）等。 n
从事该书章节撰写的人员或是来自国外倒装芯片知名公司（如Amkor技术公司、IBM公司、汉高公司等）、或是从事倒装芯片研究的知名学者。 n
本书由美国工程院、中国工程院双院士CPWong（汪正平）教授主编，集新颖性、实用性以及全面性为一身，对从事倒装芯片研究的各类人员均具有重要的参考价值，对于推动倒装芯片技术的普及与发展也具有重要的推动作用。

内容提要

本书由倒装芯片封装技术领域专家撰写而成，系统总结了过去十几年倒装芯片封装技术的发展脉络和新成果，并对未来的发展趋势做出了展望。内容涵盖倒装芯片的市场与技术趋势、凸点技术、互连技术、下填料工艺与可靠性、导电胶应用、基板技术、芯片�卜庾耙惶寤�电路设计、倒装芯片封装的热管理和热机械可靠性问题、倒装芯片焊锡接点的界面反应和电迁移问题等。 n
本书适合从事倒装芯片封装技术以及其他先进电子封装技术研究的工程师、科研人员和技术管理人员阅读，也可以作为电子封装相关专业高年级本科生、研究生和培训人员的教材和参考书。

目录

作者介绍

汪正平（CP Wong）教授，美国工程院院士、中国工程院外籍院士，被誉为“现代半导体封装之父”。现任中科院深圳先进技术研究院电子封装材料方向首席科学家、香港中文大学工学院院长、美国佐治亚理工学院封装中心副主任、校董事教授，是佐治亚理工学院的两个chairprofessor之一。国际电子电气工程师协会会士（IEEEFellow）、美国贝尔实验室高级会士(Fellow)。他拥有50多项美国，发表了1000多篇文章，独自或和他人一起出版了10多本专著。他曾多次获国际电子电气工程师协会、制造工程学会、贝尔实验室、美国佐治亚理工学院等颁发的特殊贡献奖。 n
汪正平院士长期从事电子封装研究，因几十年来在该领域的开创性贡献，被IEEE授予电子封装领域高级荣誉奖——IEEE元件、封装和制造技术奖，获得业界普遍认可。 n
　　汪正平院士是塑封技术的开拓者之一。他创新地采用硅树脂对栅控二极管交换机（GDX）进行封装研究，实现利用聚合物材料对GDX结构的密封等效封装，显著提高封装可靠性，此塑封技术克服了传统陶瓷封装重量大、工艺复杂、成本高等问题，被Intel、IBM等全面推广，目前塑封技术占世界集成电路封装市场的95%以上。他还解决了长期困扰封装界的导电胶与器件界面接触电阻不稳定问题，该创新技术在Henkel（汉高）等公司的导电胶产品中使用至今。汪院士在业界研发了无溶剂、高Tg的非流动性底部填充胶，简化倒装芯片封装工艺，提高器件的优良率和可靠性，被Hitachi（日立）等公司长期使用。

文摘

序言

章市场趋势：过去、现在和将来1 n
1.1倒装芯片技术及其早期发展2 n
1.2晶圆凸点技术概述2 n
1.3蒸镀3 n
1.3.1模板印刷3 n
1.3.2电镀4 n
1.3.3焊坝4 n
1.3.4预定义结构外电镀6 n
1.4晶圆凸点技术总结6 n
1.5倒装芯片产业与配套基础架构的发展7 n
1.6倒装芯片市场趋势9 n
1.7倒装芯片的市场驱动力11 n
1.8从IDM到SAT的转移13 n
1.9环保法规对下填料、焊料、结构设计等的冲击16 n
1.10贴装成本及其对倒装芯片技术的影响16 n
参考文献16 n
第2章技术趋势：过去、现在和将来17 n
2.1倒装芯片技术的演变18 n
2.2一级封装技术的演变20 n
2.2.1热管理需求20 n
2.2.2增大的芯片尺寸20 n
2.2.3对有害物质的限制21 n
2.2.4RoHS指令与遵从成本23 n
2.2.5Sn的选择23 n
2.2.6焊料空洞24 n
2.2.7软错误与阿尔法辐射25 n
2.3一级封装面临的挑战26 n
2.3.1弱BEOL结构26 n
2.3.2C4凸点电迁移27 n
2.3.3Cu柱技术28 n
2.4IC技术路线图28 n
2.53D倒装芯片系统级封装与IC封装系统协同设计31 n
2.6PoP与堆叠封装32 n
2.6.1嵌入式芯片封装34 n
2.6.2折叠式堆叠封装34 n
2.7新出现的倒装芯片技术35 n
2.8总结37 n
参考文献37 n
第3章凸点制作技术40 n
3.1引言41 n
3.2材料与工艺41 n
3.3凸点技术的新进展57 n
3.3.1低成本焊锡凸点工艺57 n
3.3.2纳米多孔互连59 n
3.3.3倾斜微凸点59 n
3.3.4细节距压印凸点60 n
3.3.5液滴微夹钳焊锡凸点60 n
3.3.6碳纳米管（T）凸点62 n
参考文献63 n
第4章倒装芯片互连：过去、现在和将来66 n
4.1倒装芯片互连技术的演变67 n
4.1.1高含铅量焊锡接点68 n
4.1.2芯片上高含铅量焊料与层压基板上共晶焊料的接合68 n
4.1.3无铅焊锡接点69 n
4.1.4铜柱接合70 n
4.2组装技术的演变71 n
4.2.1晶圆减薄与晶圆切割71 n
4.2.2晶圆凸点制作72 n
4.2.3助焊剂及其清洗74 n
4.2.4回流焊与热压键合75 n
4.2.5底部填充与模塑76 n
4.2.6质量保证措施78 n
4.3C4NP技术79 n
4.3.1C4NP晶圆凸点制作工艺79 n
4.3.2模具制作与焊料转移81 n
4.3.3改进晶圆凸点制作良率81 n
4.3.4C4NP的优点：对多种焊料合金的适应性83 n
4.4Cu柱凸点制作83 n
4.5基板凸点制作技术86 n
4.6倒装芯片中的无铅焊料90 n
4.6.1无铅焊料的性能91 n
4.6.2固化、微结构与过冷现象93 n
4.7倒装芯片中无铅焊料的界面反应93 n
4.7.1凸点下金属化层93 n
4.7.2基板金属化层95 n
4.7.3无铅焊锡接点的界面反应96 n
4.8倒装芯片互连结构的可靠性98 n
4.8.1热疲劳可靠性98 n
4.8.2跌落冲击可靠性99 n
4.8.3芯片封装相互作用：组装中层间电介质开裂101 n
4.8.4电迁移可靠性104 n
4.8.5锡疫109 n
4.9倒装芯片技术的发展趋势109 n
4.9.1传统微焊锡接点110 n
4.9.2金属到金属的固态扩散键合113 n
4.10结束语114 n
参考文献115 n
第5章倒装芯片下填料：材料、工艺与可靠性123 n
5.1引言124 n
5.2传统下填料与工艺125 n
5.3下填料的材料表征127 n
5.3.1差示扫描量热法测量固化特性127 n
5.3.2差示扫描量热法测量玻璃转化温度129 n
5.3.3采用热机械分析仪测量热膨胀系数130 n
5.3.4采用动态机械分析仪测量动态模量131 n
5.3.5采用热重力分析仪测量热稳定性133 n
5.3.6弯曲实验133 n
5.3.7黏度测量133 n
5.3.8下填料与芯片钝化层粘接强度测量134 n
5.3.9吸湿率测量134 n
5.4下填料对倒装芯片封装可靠性的影响134 n
5.4.1钝化层的影响136 n
5.4.2黏附性退化与85/85时效时间137 n
5.4.3采用偶联剂改善粘接的水解稳定性140 n
5.5底部填充工艺面临的挑战141 n
5.6非流动型下填料143 n
5.7模塑底部填充148 n
5.8晶圆级底部填充149 n
5.9总结153 n
参考文献154 n
第6章导电胶在倒装芯片中的应用159 n
6.1引言160 n
6.2各向异性导电胶/导电膜160 n
6.2.1概述160 n
6.2.2分类160 n
6.2.3胶基体161 n
6.2.4导电填充颗粒161 n
6.2.5ACA/ACF在倒装芯片中的应用162 n
6.2.6ACA/ACF互连的失效机理167 n
6.2.7纳米ACA/ACF新进展168 n
6.3各向同性导电胶173 n
6.3.1引言173 n
6.3.2ICA在倒装芯片中的应用178 n
6.3.3ICA在先进封装中的应用184 n
6.3.4ICA互连点的高频性能187 n
6.3.5ICA互连点的可靠性189 n
6.3.6纳米ICA的新进展191 n
6.4用于倒装芯片的非导电胶194 n
6.4.1低热膨胀系数NCA194 n
6.4.2NCA在细节距柔性基板芯片封装中的应用196 n
6.4.3快速固化NCA196 n
6.4.4柔性电路板中NCA与ACA对比197 n
参考文献197 n
第7章基板技术205 n
7.1引言206 n
7.2基板结构分类207 n
7.2.1顺序增层结构207 n
7.2.2Z向堆叠结构208 n
7.3顺序增层基板208 n
7.3.1工艺流程208 n
7.3.2导线210 n
7.3.3微通孔217 n
7.3.4焊盘225 n
7.3.5芯片封装相互作用231 n
7.3.6可靠性239 n
7.3.7历史里程碑245 n
7.4Z向堆叠基板248 n
7.4.1采用图形转移工艺的Z向堆叠基板248 n
7.4.2任意层导通孔基板249 n
7.4.3埋嵌元件基板250 n
7.4.4PTFE材料基板253 n
7.5挑战254 n
7.5.1无芯基板254 n
7.5.2沟槽基板255 n
7.5.3超低热膨胀系数基板257 n
7.5.4堆叠芯片基板258 n
7.5.5光波导基板260 n
7.6陶瓷基板261 n
7.7路线图262 n
7.7.1日本电子与信息技术工业协会路线图262 n
7.7.2国际半导体技术路线图263 n
7.8总结264 n
参考文献264 n
第8章IC封装系统集成设计266 n
8.1集成的芯片封装系统268 n
8.1.1引言268 n
8.1.2设计探索269 n
8.1.3模拟与分析决策273 n
8.1.4ICPS设计问题274 n
8.2去耦电容插入276 n
8.2.1引言276 n
8.2.2电学模型278 n
8.2.3阻抗矩阵及其增量计算280 n
8.2.4噪声矩阵282 n
8.2.5基于模拟退火算法的去耦电容插入282 n
8.2.6基于灵敏度分析算法的去耦电容插入286 n
8.3TSV 3D堆叠296 n
8.3.13D IC堆叠技术296 n
8.3.2挑战298 n
8.3.3解决方法302 n
8.4总结316 n
参考文献316 n
第9章倒装芯片封装的热管理323 n
9.1引言324 n
9.2理论基础325 n
9.2.1传热理论325 n
9.2.2电热类比模型327 n
9.3热管理目标328 n
9.4芯片与封装水平的热管理330 n
9.4.1热管理示例330 n
9.4.2芯片中的热点331 n
9.4.3热管理方法336 n
9.5系统级热管理338 n
9.5.1热管理示例338 n
9.5.2热管理方法340 n
9.5.3新型散热技术348 n
9.6热测量与仿真357 n
9.6.1封装温度测量358 n
9.6.2温度测量设备与方法358 n
9.6.3温度测量标准359 n
9.6.4简化热模型359 n
9.6.5有限元/计算流体力学仿真360 n
参考文献362 n
0章倒装芯片封装的热机械可靠性367 n
10.1引言368 n
10.2倒装芯片组件的热变形369 n
10.2.1连续层合板模型370 n
10.2.2自由热变形371 n
10.2.3基于双层材料平板模型的芯片应力评估372 n
10.2.4芯片封装相互作用小化374 n
10.2.5总结377 n
10.3倒装芯片组装中焊锡凸点的可靠性377 n
10.3.1焊锡凸点的热应变测量377 n
10.3.2焊锡材料的本构方程378 n
10.3.3焊锡接点的可靠性仿真384 n
10.3.4下填料粘接强度对焊锡凸点可靠性的影响387 n
10.3.5总结389 n
参考文献389 n
1章倒装芯片焊锡接点的界面反应与电迁移391 n
11.1 引言392 n
11.2无铅焊料与基板的界面反应393 n
11.2.1回流过程中的溶解与界面反应动力学393 n
11.2.2无铅焊料与Cu基焊盘的界面反应397 n
11.2.3无铅焊料与镍基焊盘的界面反应398 n
11.2.4贯穿焊锡接点的Cu和Ni交叉相互作用403 n
11.2.5与其他活泼元素的合金化效应405 n
11.2.6小焊料体积的影响409 n
11.3倒装芯片焊锡接点的电迁移412 n
11.3.1电迁移基础413 n
11.3.2电流对焊料的作用及其引发的失效机理415 n
11.3.3电流对凸点下金属化层（UBM）的作用及其引发的失效机理421 n
11.3.4倒装芯片焊锡接点的平均无故障时间426 n
11.3.5减缓电迁移的策略429 n
11.4新问题431 n
参考文献431 n
附录439 n
附录A量度单位换算表440 n
附录B缩略语表443