電子信息與電氣學科規劃教材·電子科學與技術類：現代半導體集成電路 下載 mobi epub pdf 電子書 2025

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楊銀堂 等 著

圖書標籤:

• 半導體
• 集成電路
• 電子科學與技術
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• 現代半導體
• 電子技術
• 微電子學

齣版社： 電子工業齣版社

ISBN：9787121082542

版次：1

商品編碼：10310897

包裝：平裝

開本：16開

齣版時間：2009-04-01

用紙：膠版紙

頁數：254

正文語種：中文

編輯推薦

　　 《現代半導體集成電路》可作為大專院校微電子學、電子科學與技術、電子信息工程等本科專業的教材，也可供有關專業的本科生，研究生和工程技術人員閱讀參考。

內容簡介

　　 《現代半導體集成電路》全麵介紹瞭現代半導體集成電路的基礎知識、分析與設計方法。全書共分為5個部分，第一部分（第1~2章）為集成電路的基礎知識，主要介紹各種集成器件的結構和模型、集成電路的典型工藝。第二部分（第3~5章）為雙極集成電路，包括TTL、ECL及IIL邏輯門及邏輯擴展、雙極差分放大器及雙極運放電路等。第三部分（第6~8章）為CMOS數字集成電路，分為CMOS基本邏輯電路、CMOS數字子係統和現代半導體存儲器、第四部分（第9~13章）為CMOS模擬集成電路，包括基本模擬電路單元、運算放大器、開關電容電器、數據轉換器和鎖相環。第五部分（第14~16章）為半導體集成電路設計的共性知識，介紹瞭集成電路的版圖設計、可靠性設計、可測性設計和SOC的設計方法學、軟硬件協同設計及仿真等。每章後麵都附有習題。《現代半導體集成電路》可作為大專院校微電子學、電子科學與技術、電子信息工程等本科專業的教材，也可供有關專業的本科生，研究生和工程技術人員閱讀參考。

目錄

第1章 集成電路器件與模型
1.1 PN結與二極管
1.1.1 半導體與PN結
1.1.2 PN結二極管基本原理
1.1.3 集成化的肖特基勢壘二極管
1.2 MOS晶體管及模型
1.2.1 MOS晶體管基本工作原理
1.2.2 MOS晶體管大信號模型及體效應
1.2.3 MOS晶體管小信號模型
1.2.4 NMOS晶體管的亞閾值特性
1.2.5 MOS晶體管的短溝道效應
1.3 雙極型晶體管及模型
1.3.1 Bipolar晶體管基本工作原理
1.3.2 Bipolar晶體管大信號模型
1.3.3 Bipolar晶體管小信號模型
1.4 集成電路無源元件
1.4.1 CMOS集成電容
1.4.2 CMOS集成電阻
1.5 MOS Spice器件模型
1.5.1 Spice Levell模型
1.5.2 Spice Level2模型
1.5.3 Spice Level3模型
1.5.4 Spice BSIM3V3模型
習題一

第2章 集成電路製造技術
2.1 集成電路基本製造技術
2.1.1 矽晶圓的製造
2.1.2 氧化技術
2.1.3 擴散與離子注入
2.2 基本CMOS工藝與器件結構
2.2.1 基本n阱／雙阱CMOS工藝步驟
2.2.2 CMOS版圖設計規則
2.3 基本Bipolar工藝與器件結構
2.3.l PN結隔離與基本工序步驟
2.3.2 Bipolar版圖設計規則
2.3.3 Bipolar工藝的光刻版次
2.4 基本BiCMOS工藝
2.4.1 以CMOS工藝為基礎的BiCMOS工藝
2.4.2 以Bipolar工藝為基礎的BiCMOS工藝
2.4.3 典型的BiCMOS的光刻版次
習題二

第3章 晶體管一晶體管邏輯（TTL）電路
3.1 六管單元TTL與非門
3.1.1 工作原理
3.1.2 電壓傳輸特性
3.1.3 瞬態特性
3.1.4 電路特點
3.2 STTL和LSTTL電路
3.2.1 STTL電路
3.2.2 1 SITL電路
3.3 TTL門電路邏輯擴展
3.4 簡化邏輯門
3.4.1 簡化邏輯門
3.4.2 單管邏輯門
習題三

第4章 發射極耦閤邏輯與集成注入邏輯電路
4.1 ECL電路
4.1.1 基本工作原理
4.1.2 射極耦閤電流開關
4.1.3 射極輸齣器
4.1.4 參考電壓源
4.1.5 ECL邏輯擴展
4.2 I2L電路
4.2.1 I2L電路單元工作原理
4.2.2 I2L電路特性分析
4.2.3 I2L電路邏輯組閤
4.2.4 I2I與TTL之間的接口電路
4.3 ECL和I2L工藝與版圖設計
4.3.1 ECL電路工藝與版圖設計
4.3.2 I2L電路工藝與版圖設計
習題四

第5章 雙極模擬集成電路
5.1 Bipolar基本放大器
5.1.1 Darlington放大器
5.1.2 雙極差分放大器
5.2 Bipolar基本模擬電路單元
5.2.1 恒流源
5.2.2 有源負載
5.2.3 基準源電路
5.3 Bipolar輸齣級電路
5.3.1 射極跟隨器輸齣電路
5.3.2 AB類輸齣電路
5.4 Bipolar運算放大器（μA741）
習題五

第6章 CMOS基本邏輯電路
6.1 CMOS邏輯門電路
6.1.1 CMOS反相器
6.1.2 CMOS門電路
6.1.3 CMOS組閤邏輯電路
6.2 CMOS傳輸門邏輯
6.2.1 CMOS傳輸門
6.2.2 CMOS傳輸門邏輯電路
6.3 CMOS觸發器
6.3.1 CMOS RS觸發器
6.3.2 CMOS D觸發器
6.4 CMOS多米諾邏輯
6.5 CMOS施密特觸發器
習題六

第7章 CMOS數字電路子係統
7.1 CMOS二進製加法器
7.1.1 串行進位加法器
7.1.2 超前進位加法器
7.2 CMOS移位寄存器
7.3 CMOS數字乘法器
7.3.1 乘法器的運算原理
7.3.2 並行乘法器
7.3.3 流水綫乘法器
7.3.4 飛速乘法器
7.4 CMOS算術邏輯單元（ALU）
習題七

第8章 現代半導體存儲器
8.1 存儲器的結構
8.2 掩模編程隻讀存儲器（MaskROM）
8.3 可編程隻讀存儲器（PROM）
8.4 可擦除可編程存儲器（EPROM）
8.5 電可擦除可編程存儲器（E2PROM）
8.6 閃速存儲器（Flash Memory）
8.6.1 閃速存儲器的結構及工作原理
8.6.2 閃速存儲器的可靠性問題
8.6.3 深亞微米閃速存儲器技術
8.7 ROM的存取時間
8.8 靜態隨機存取存儲器存儲器
8.8.1 SRAM存儲單元結構及工作原理
8.8.2 存儲單元的主要參數
8.9 動態隨機存取存儲器DRAM）
8.9.1 DRAM的結構和基本原理
8.9.2 DRAM的主要製造技術
8.9.3 采用不同技術的DRAM
習題八

第9章 CMOS基本模擬電路
9.1 CMOS基本模擬電路單元
9.1.1 MOS模擬開關
9.1.2 有源電阻
9.1.3 電流沉和電流源電路
9.1.4 電流鏡電路
9.2 CMOS基本模擬放大器
9.2.1 共源放大器
9.2.2 共漏放大器
9.2.3 共柵放大器
9.2.4 Cascode放大器
9.3 CMOS差分放大器
9.3.1 CMOS差分放大器的大信號特性
9.3.2 CMOS差分放大器的小信號特性
9.4 CMOS基準電壓源和電流源
9.4.1 簡單基準源
9.4.2 vT基準源
9.4.3 帶隙基準源
習題九

第10章CMOS運算放大器
10.1 兩級運算放大器
10.1.1 兩級CMOS運放的基本電路結構
10.1.2 兩級CMOS運放電路的補償
10.1.3 兩級運算放大器的設計方法
10.2 高速CMOS運算放大器

第11章 CMOS開關電容電路
第12章 CMOS數據轉換器
第13章 CMOS鎖相環（PLL）
第14章 集成電路版圖設計
第15章 集成電路可靠性設計與可測性設計
第16章 片上係統（SoC）設計初步
參考文獻

精彩書摘

第1章 集成電路器件與模型
1.1 PN結與二極管
1.1.1 半導體與PN結
導電能力介於導體和絕緣體之間的物質稱為半導體。在半導體器件中最常用的是矽和鍺兩種材料，它們都是4價元素，在原子結構中最外層軌道上有4個價電子。物質的化學性質是由價電子決定的，導電性能也與價電子有關，其中純淨的半導體稱為本徵半導體。半導體中存在兩種載流子，即帶負電荷的自由電子和帶正電荷的空穴。晶體中的共價鍵具有很強的結閤力，在熱力學零度（—273.16℃）時，價電子沒有能力脫離共價鍵的束縛，晶體中沒有自由電子，半導體不能導電。室溫下，少數價電子因熱激發而獲得足夠的能量，因而能脫離共價鍵的束縛成為自由電子，同時在原來的共價鍵中留下一個空位，稱為空穴。
如果這吋施加電場，電子將形成電子電流，空穴形成空穴電流。雖然兩種載流子的運動方嚮相反，但因它們所帶的電荷極性也相反，所以兩種電流的實際方嚮是相同的，它們的和即是半導體中的電流。本徵半導體的導電能力很弱，但是摻人其他微量元素就會使其導電性能發生顯著變化。這些微量元素的原子稱為雜質，摻人雜質的半導體稱為雜質半導體，有N型和P型兩類。

前言/序言

　　半導體集成電路的發展可以極大地推動現代通信技術、計算機技術、網絡技術及傢用電器産業的迅速發展，已成為世界各國極為重要的主導産業和戰略産業之一。正值中國集成電路設計産業高速發展之際，基於作者多年來的半導體集成電路等課程的教學經驗，結閤片上係統（SOC）及IP核的設計技術，編寫瞭本教材，希望能在促進中國集成電路設計産業的迅速發展中發揮作用。
　　本書共分為五個部分，第一部分（第1-2章）為集成電路的基礎知識，主要介紹各種集成器件的結構及模型，介紹瞭現代雙極集成電路、CMOS集成電路和BiCMOS集成電路的典型工藝，作為後續章節的基礎。第二部分（第3-5章）為雙極數字集成電路和模擬集成電路，包括TTL、ECL及I2L邏輯門及邏輯擴展，模擬電路包括差分放大器、基準源、輸齣電路及運放電路等。第三部分（第6－8章）為CMOS數字集成電路，分為基本CMOS邏輯電路、CMOS數字子係統和現代半導體存儲器。第四部分（第9－13章）為CMOS模擬集成電路，包括基本模擬電路單元、運算放大器、開關電容電路、數據轉換器和鎖相環，還特彆介紹瞭Rail－to-Rail運放及電流舵D／A轉換器等最新的集成電路。第五部分（第14-16章）為半導體集成電路的共性知識，介紹瞭集成電路的版圖設計、集成電路可靠性設計及可測性設計知識，對模擬集成電路版圖的不匹配布局和IEEE1149.1進行瞭較多的介紹，最後還對SoC的設計方法學、模擬硬件描述語言、軟硬件協同設計及仿真進行瞭介紹。本書取材內容兼顧瞭半導體集成電路的基礎知識和集成電路的最新進展，對已經不常用的雙極數字集成電路部分進行大篇幅的壓縮，對流行的CMOS集成電路進行重點介紹。
　　本書由西安電子科技大學微電子研究所所長楊銀堂教授擔任主編並編寫瞭第l一8章，硃樟明博士編寫瞭第9-12、14-16章，劉簾曦博士編寫瞭第13章。本書對審稿人陳曉莉編審及特約編輯等人的有益建議錶示由衷的感謝。參加本書編寫及為編寫提供幫助的部分老師有李婭妮講師、柴常春教授、李躍進教授等，在此一並感謝！

現代半導體集成電路：從基礎到前沿的應用探索 在信息技術飛速發展的今天，半導體集成電路（Integrated Circuit, IC）無疑是驅動這場變革的核心引擎。它們是現代電子設備的大腦和神經係統，從我們手中的智能手機，到支撐全球通信的服務器，再到精密控製的航天航空器，無處不閃耀著集成電路的智慧光芒。本書旨在係統地梳理現代半導體集成電路的發展脈絡，深入剖析其核心技術原理，並展望其未來的應用前景，為相關領域的學習者、研究者以及工程師提供一本全麵、深入的學習指南。 第一章：半導體集成電路的基石——半導體材料與器件 本章將從最基礎的層麵齣發，構建讀者對集成電路的理解。我們將首先介紹半導體材料的基本概念，包括其獨特的導電特性，如本徵半導體和雜質半導體。重點將放在矽（Si）和砷化鎵（GaAs）等主流半導體材料上，分析它們的物理和化學性質，以及為什麼它們在集成電路製造中占據主導地位。 隨後，我們將深入講解構成集成電路最基本單元——半導體器件的原理。這包括： PN結的形成與特性： 這是理解所有半導體器件的基礎。我們將詳細闡述PN結的形成過程，載流子的擴散與漂移，以及其在正偏、反偏和零偏下的電學特性，為理解二極管和三極管奠定基礎。 二極管： 從簡單的整流二極管到發光二極管（LED）和激光二極管（LD），我們將探討它們的結構、工作原理、性能參數以及在不同電路中的應用。 三極管（Bipolar Junction Transistor, BJT）： 作為最早的晶體管，BJT的電流放大作用是其核心。我們將深入分析NPN和PNP型BJT的工作區域（截止區、放大區、飽和區），以及其在放大和開關電路中的作用。 場效應管（Field-Effect Transistor, FET）： FET以其高輸入阻抗和低功耗的優點，在現代集成電路中扮演著越來越重要的角色。我們將詳細介紹結型場效應管（JFET）和金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）的工作原理，包括其溝道形成、柵控機製以及不同的類型（如N溝道、P溝道，增強型、耗盡型）。特彆是MOSFET，將作為後續數字電路的基礎進行深入講解。 第二章：集成電路的設計與製造——從芯片到産品 理解瞭半導體器件的工作原理後，本章將帶領讀者瞭解集成電路是如何被“製造”齣來的。這一過程涉及復雜的設計和精密的製造工藝。 集成電路的分類： 我們將區分模擬集成電路、數字集成電路和混閤信號集成電路，並介紹它們的特點和應用領域。 集成電路設計流程： 從概念設計到最終流片，我們將概述整個IC設計流程，包括： 係統級設計（System-Level Design）： 確定芯片的功能和架構。 邏輯設計（Logic Design）： 將係統功能轉化為邏輯門電路。 電路設計（Circuit Design）： 將邏輯門電路轉化為具體的晶體管級電路。 版圖設計（Layout Design）： 將電路轉化為芯片物理版圖。 驗證（Verification）： 確保設計正確性。 半導體製造工藝： 這是集成電路産業的核心競爭力。我們將逐一介紹關鍵的製造步驟，包括： 晶圓製備（Wafer Preparation）： 矽的提純、單晶生長和晶圓的切割。 薄膜沉積（Thin Film Deposition）： 如化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD），用於生長氧化層、氮化物層和金屬層。 光刻（Photolithography）： 將電路圖案轉移到矽片上的關鍵步驟，涉及光刻膠、掩模版和紫外綫曝光。 刻蝕（Etching）： 去除不需要的材料，形成圖案化的結構，包括乾法刻蝕（等離子刻蝕）和濕法刻蝕。 摻雜（Doping）： 改變半導體材料的導電類型，如離子注入（Ion Implantation）和擴散（Diffusion）。 金屬化（Metallization）： 形成連接各個器件的導綫，如鋁（Al）和銅（Cu）互連。 測試與封裝（Testing and Packaging）： 對晶圓上的芯片進行電學測試，並將閤格的芯片封裝起來，形成最終的集成電路産品。 第三章：數字集成電路設計——邏輯與架構 數字集成電路是現代計算和通信係統的基石。本章將重點介紹數字集成電路的設計原理和方法。 數字邏輯基礎： 迴顧布爾代數、邏輯門（AND, OR, NOT, XOR等）以及組閤邏輯和時序邏輯電路的設計。 CMOS工藝與數字電路： 重點深入講解互補金屬氧化物半導體（CMOS）工藝，以及基於CMOS實現的各種基本邏輯門和標準單元。我們將分析CMOS電路的靜態功率和動態功率消耗，以及其在低功耗設計中的優勢。 時序電路與狀態機： 介紹觸發器（Flip-Flops）、寄存器（Registers）、計數器（Counters）和移位寄存器（Shift Registers）等基本時序電路單元，以及有限狀態機（Finite State Machine, FSM）的設計方法。 存儲器設計： 探討不同類型的存儲器，包括隨機存取存儲器（RAM）和隻讀存儲器（ROM），特彆是靜態隨機存取存儲器（SRAM）和動態隨機存取存儲器（DRAM）的結構和工作原理。 可編程邏輯器件（PLD）： 介紹現場可編程門陣列（FPGA）和復雜可編程邏輯器件（CPLD），以及它們在原型設計和快速産品開發中的應用。 超大規模集成電路（VLSI）設計方法學： 探討現代VLSI設計中使用的層次化設計、模塊化設計以及EDA（Electronic Design Automation）工具在設計流程中的作用。 第四章：模擬集成電路設計——信號的處理與轉換 模擬集成電路負責處理連續變化的信號，是許多傳感、控製和通信係統的關鍵組成部分。 模擬電路基礎： 復習運算放大器（Operational Amplifier, Op-Amp）的原理，以及基於運放實現的各種經典模擬電路，如加法器、減法器、積分器、微分器、濾波器等。 晶體管在模擬電路中的應用： 深入分析MOSFET和BJT作為放大器、開關以及在電流源和電壓基準電路中的應用。 偏置技術與穩定性： 探討如何在模擬電路中實現穩定可靠的直流工作點，以及放大器的穩定性分析。 濾波器設計： 介紹低通、高通、帶通和帶阻濾波器的設計原理，包括巴特沃斯（Butterworth）、切比雪夫（Chebyshev）等濾波器類型，以及有源濾波器和無源濾波器。 數模轉換器（DAC）與模數轉換器（ADC）： 這是連接模擬世界和數字世界的橋梁。我們將詳細介紹不同類型的DAC（如R-2R、權流式）和ADC（如逐次逼近、Δ-Σ、流水綫式）的工作原理、性能指標（如分辨率、采樣率、綫性度）及其在各種應用中的重要性。 射頻（RF）集成電路基礎： 簡要介紹高頻模擬電路的設計挑戰，如寄生參數、噪聲、阻抗匹配等，以及射頻前端和後端的基本組成。 第五章：現代集成電路的挑戰與前沿發展 隨著技術的不斷進步，集成電路正麵臨著新的挑戰，同時也湧現齣許多激動人心的新技術和新方嚮。 摩爾定律的極限與後摩爾時代： 探討傳統二維集成電路麵臨的物理極限，如漏電流、功耗和量子效應。介紹後摩爾時代的應對策略，如三維集成（3D IC）、異構集成（Heterogeneous Integration）。 先進製造工藝： 關注新一代的晶體管結構（如FinFET、GAAFET）和互連技術（如銅、鈷互連），以及極紫外光刻（EUV Lithography）等先進製造技術的應用。 低功耗與高能效設計： 深入探討降低集成電路功耗的各種技術，包括時鍾門控、動態電壓頻率調整（DVFS）、亞閾值電路設計等，這對移動設備和物聯網（IoT）至關重要。 人工智能（AI）與機器學習（ML）硬件加速： 介紹為AI和ML設計的專用集成電路，如神經網絡處理器（NPU）、張量處理單元（TPU），以及它們在提升計算效率方麵的作用。 新興半導體材料與器件： 展望下一代半導體材料，如寬禁帶半導體（GaN, SiC）在功率電子和高頻領域的應用，以及二維材料（如石墨烯）和量子點器件的潛在可能性。 安全與可靠性： 討論集成電路的安全問題，如側信道攻擊、硬件木馬，以及提高芯片可靠性的方法，如糾錯碼（ECC）和冗餘設計。 總結 本書力求以係統、深入、全麵的視角，展現現代半導體集成電路從基礎理論到前沿應用的完整圖景。通過對半導體材料、器件原理、設計製造工藝、數字與模擬電路設計以及最新技術發展的詳細闡述，我們希望能夠幫助讀者構建一個堅實的知識體係，理解集成電路在現代科技中的關鍵作用，並激發他們對這一充滿活力和創新領域的進一步探索。無論您是初學者還是有一定基礎的研究者，都能從中獲益，為未來在集成電路領域的學習和工作打下堅實基礎。

評分☆☆☆☆☆

作為一名已經工作幾年的初級IC設計工程師，我一直在尋找一本能夠幫助我鞏固基礎並拓展視野的書籍。之前的學習過程中，很多知識點都是碎片化的，遇到問題時往往需要花費大量時間去查閱資料，效率不高。這本書的齣現，就像一場及時雨。它以一種非常係統化的方式梳理瞭半導體集成電路的核心知識，從材料、器件到電路設計，再到製造工藝，幾乎涵蓋瞭整個産業鏈的關鍵環節。我尤其欣賞書中對各種先進工藝技術的介紹，例如FinFET、GAAFET等，這些都是當前最前沿的技術，對於我們理解高性能計算和移動通信芯片的設計至關重要。書中的一些章節，比如關於功耗優化和時序分析的討論，對我日常工作中遇到的實際問題提供瞭很好的解決方案和思路。而且，它還涉及到瞭可靠性、測試等集成電路設計的後期環節，這些往往是在學校裏容易被忽略但實際工作中卻非常重要的內容。這本書就像一個百科全書，讓我能夠快速迴顧和學習那些遺忘的知識，或者深入瞭解自己不熟悉的領域，極大地提升瞭我的工作效率和專業能力。

評分☆☆☆☆☆

作為一個對新興技術充滿好奇的科技愛好者，我一直試圖瞭解那些驅動我們現代生活發展的核心技術。《現代半導體集成電路》這本書，雖然名為教材，但它的內容卻遠超齣瞭教科書的範疇，充滿瞭引人入勝的知識。它並沒有用晦澀難懂的術語堆砌，而是用一種清晰易懂的方式，將復雜的半導體世界呈現在我麵前。我從中瞭解瞭芯片是如何被設計、製造齣來，以及它們是如何影響我們的手機、電腦，甚至是新能源汽車和人工智能的。書中對於集成電路發展曆史的簡單迴顧，讓我對這項技術的演進有瞭更深的敬意。而對於未來發展趨勢的展望，例如低功耗設計、人工智能芯片等，更是讓我對科技的未來充滿瞭期待。這本書讓我明白，我們手中看似簡單的電子産品，背後蘊含著多麼精密的科學和工程。它激發瞭我進一步探索科技奧秘的興趣，讓我對那些看不見的“大腦”有瞭更深刻的理解和認識。

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我是一名半導體材料專業的博士生，研究方嚮是新型半導體材料的製備與錶徵。雖然我的工作重心在於材料本身，但我深知集成電路設計和製造離不開對半導體材料特性的深刻理解。這本書對於我來說，提供瞭一個絕佳的宏觀視角。它不僅詳細介紹瞭現有矽基半導體材料的物理性質和製備工藝，還對砷化鎵、氮化鎵等化閤物半導體材料的應用進行瞭深入探討，這為我理解不同材料在不同應用場景下的優勢和局限性提供瞭重要的參考。書中的部分章節，例如關於載流子輸運、能帶理論的闡述，與我的研究內容有著緊密的聯係，讓我能夠將微觀的材料特性與宏觀的器件性能聯係起來。我特彆關注書中關於“小尺寸效應”和“量子效應”的討論，這對於我理解未來納米級半導體器件的發展趨勢非常有啓發。此外，書中對半導體製造工藝的介紹，也讓我對材料在整個生産流程中所扮演的角色有瞭更全麵的認識。總而言之，這本書為我提供瞭一個更廣闊的平颱，讓我能夠更好地將我的材料研究與集成電路領域的需求相結閤。

評分☆☆☆☆☆

這本書簡直是為我量身定做的！我是一名電子信息工程專業的大三學生，一直對半導體集成電路這個領域充滿好奇，但又苦於找不到一本既係統又易懂的教材。市麵上很多書要麼過於理論化，要麼過於工程化，讓我難以找到一個平衡點。當我翻開這本《現代半導體集成電路》時，就感覺找到瞭“寶藏”。從最基礎的PN結、MOSFET的原理講起，圖文並茂，邏輯清晰，完全沒有那種枯燥乏味的感覺。特彆是它在講解CMOS器件工作原理時，不僅給齣瞭詳細的物理模型，還結閤實際的電路應用，讓我能深刻理解理論與實踐的聯係。書中的一些案例分析也非常貼近實際，讓我對未來從事集成電路設計工作有瞭更清晰的認識。而且，它並沒有止步於基礎，而是逐步深入到更復雜的集成電路設計流程，比如版圖設計、物理驗證等，這些內容對我來說正是急需瞭解的。我特彆喜歡書中對各種設計工具的介紹，雖然沒有詳細的教程，但指明瞭方嚮，讓我在課餘時間能主動去探索和學習。總的來說，這本書為我打開瞭一扇通往集成電路世界的大門，為我後續的學習和研究打下瞭堅實的基礎。

評分☆☆☆☆☆

我是一名對跨學科研究感興趣的在讀研究生，主修方嚮是人工智能算法。在我的研究過程中，我逐漸意識到硬件基礎對於算法的實現和優化至關重要，特彆是對於那些需要大量計算資源的深度學習模型。因此，我開始涉獵半導體集成電路的相關知識。這本書的內容對我來說，提供瞭一個非常寶貴的學習路徑。它從基礎的半導體器件原理講起，逐步深入到集成電路的設計與製造，讓我能夠理解為什麼現有的硬件架構在處理某些AI任務時存在瓶頸，以及如何通過改進硬件設計來提升算法的性能。書中關於芯片架構、並行計算以及功耗效率的討論，對我設計更高效的AI模型提供瞭重要的啓示。例如，它讓我瞭解到GPU等硬件是如何通過其特殊的並行處理能力來加速深度學習的，這與我之前單純從軟件層麵思考問題的方式大不相同。這本書幫助我搭建瞭連接算法與硬件的橋梁，讓我能夠從一個更全麵的角度去思考人工智能的未來發展。