CMOS射頻集成電路設計（第二版） 下載 mobi epub pdf 電子書 2024

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內容簡介

　　《CMOS射頻集成電路設計（第二版）》被譽為射頻集成電路設計的指南書全麵深入地介紹瞭設計韆兆赫茲（GHz）CMOS射頻集成電路的細節。本書首先簡要介紹瞭無綫電發展史和無綫係統原理；在迴顧集成電路元件特性、MOS器件物理和模型、RLC串並聯和其他振蕩網絡及分布式係統特點的基礎上，介紹瞭史密斯圓圖、S參數和帶寬估計技術；著重說明瞭現代高頻寬帶放大器的設計方法，詳細討論瞭關鍵的射頻電路模塊，包括低噪聲放大器（LNA）、基準電壓源、混頻器、射頻功率放大器、振蕩器和頻率綜閤器。對於射頻集成電路中存在的各類噪聲及噪聲特性（包括振蕩電路中的相位噪聲）進行瞭深入的探討。本書最後考察瞭收發器的總體結構並展望瞭射頻電路未來發展的前景。書中包括許多非常實用的電路圖和其他插圖，並附有許多具有啓發性的習題。

目錄

第1章 無綫電發展曆史的間斷迴顧
1.1 引言
1.2 麥剋斯韋和赫茲
1.3 真空管發明前的電子學
1.4 真空管的誕生
1.5 armstrong和再生放大器／檢波器／振蕩器
1.6 其他無綫電電路
1.7 armstrong和超再生電蹈
1.8 oleg losev及第一個固態電路放大器
1.9 結束語
1.10 附錄a：真空管基礎
1.11 附錄b：究竟是誰發明瞭無綫電
第2章 無綫通信原理概述
2.1 無綫係統的片段簡史
2.2 非蜂窩無綫通信的應用
2.3 香農定理、調製及其他
2.4 傳播
2.5 結論
2.6 附錄：其他無綫係統的特性
第3章 無源rlc網絡
.3.1 引言
3.2 並聯rlc諧振迴路
3.3 串聯rlc網絡
3.4 其他rlc諧振網絡
3.5 作為阻抗變換器的rlc網絡
3.6 實例
第4章 無源集成電路元件的特性
4.1 引言
4.2 射頻情況下的互連綫：趨膚效應
4.3 電阻
4.4 電容
4.5 電感
4.6 變壓器
4.7 高頻時的互連選擇
4.8 小結
4.9 附錄：電容方程總結
第5章 mos器件物理迴顧
5.1 引言
5.2 簡短曆史
5.3 場效應管：一個小故事
5.4 mosfet物理：長溝道近似
5.5 弱反型區(亞閾值區)的工作情況
5.6 短溝情況下的mos器件物理
5.7 其他效應
5.8 小結
5.9 附錄a：0.5μmlevel-3的spice模型
5.10 附錄b：level-3spice模型
5.11 附錄c：level-1mos模型
5.12 附錄d：一些非常粗略的尺寸縮小規律
第6章 分布參數係統
6.1 引言
6.2 集總和分布參數範疇之間的聯係
6.3 重復結構的策動點阻抗
6.4 關於傳輸綫的更詳細討論
6.5 有限長度傳輸綫的特性
6.6 傳輸綫公式小結
6.7 人工傳輸綫
6.8 小結
第7章 史密斯圓圖和s參數
7.1 引言
7.2 史密斯圓圖
7.3 s參數
7.4 附錄a：關於單位的一些說明
7.5 附錄b：為什麼采用50ω(或75ω)
第8章 頻帶寬度估算方法
8.1 引言
8.2 開路時間常數方法
8.3 短路時間常數方法
8.4 補充讀物
8.5 上升時間、延時及帶寬
8.6 小結
第9章 高頻放大器設計
9.1 引言
9.2 利用零點增大帶寬
9.3 並聯-串聯放大器
9.4 采用ft倍頻器增大帶寬
9.5 調諧放大器
9.6 中和與單嚮化
9.7 級聯放大器
9.8 調幅-調相(am-pm)的轉換
9.9 小結
第10章 基準電壓和偏置電路
10.1 引言
10.2 二極管特性迴顧
10.3 cmos工藝中的二極管和雙極型晶體管
10.4 獨立於電源電壓的偏置電路
10.5 帶隙基準電壓
10.6 恒gm偏置
10.7 小結
第11章 噪聲
11.1 引言..
11.2 熱噪聲
11.3 散粒噪聲
11.4 閃爍噪聲
11.5 爆米噪聲
11.6 經典的二端口網絡噪聲理論
11.7 噪聲計算舉例
11.8 一個方便的匡算規則
11.9 典型的噪聲性能
11.10 附錄：各種噪聲模型
第12章 低噪聲放大器設計
12.1 引言
12.2 mosfet二端口網絡噪聲參數的推導
12.3 lna的拓撲結構：功率匹配與噪聲匹配
12.4 功耗約束噪聲優化
12.5 設計舉例
12.6 綫性度與大信號性能
12.7 無亂真信號的動態範圍
12.8 小結
第13章 混頻器
13.1 引言
13.2 混頻器基礎
13.3 作為綫性混頻器的非綫性係統
13.4 基於乘法器的混頻器
13.5 采樣混頻器
13.6 附錄：二極管環路混頻器
第14章 反饋係統
14.1 引言
14.2 現代反饋理論的簡短曆史
14.3 一個令人費解的問題
14.4 負反饋係統靈敏度的降低
14.5 反饋係統的穩定性
14.6 衡量穩定性的增益與相位裕量
14.7 根軌跡技術
14.8 穩定性準則小結
14.9 反饋係統建模
14.10 反饋係統的誤差
14.11 一階和二階係統的頻域和時域特性
14.12 實用的匡算規則
14.13 根軌跡舉例和補償
14.14 根軌跡技術小結
14.15 補償
14.16 通過降低增益獲得補償
14.17 滯後補償
14.18 超前補償
14.19 慢滾降補償
14.20 補償問題小結
第15章 rf功率放大器
15.1 引言
15.2 一般考慮
15.3 a類、ab類、b類和c類功率放大器
15.4 d類放大器
15.5 e類放大器
15.6 f類放大器
15.7 功率放大器的調製
15.8 功率放大器特性小結
15.9 rf功率放大器的幾個設計範例
15.10 其他設計考慮
15.11 設計小結
第16章 鎖相環
16.1 引言
16.2 pll簡史
16.3 幾種綫性化的pll模型
16.4 pll的一些噪聲特性
16.5 鑒相器
16.6 序列鑒相器
16.7 環路濾波器和電荷泵
16.8 pll設計實例
16.9 小結
第17章 振蕩器與頻率閤成器
17.1 引言
17.2 純綫性振蕩器存在的問題
17.3 描述函數
17.4 皆振器
17.5 調諧振蕩器舉例
17.6 負阻振蕩器
17.7 頻率閤成
17.8 小結
第18章 相位噪聲
18.1 引言
18.2 一般性考慮
18.3 詳細討論：相位噪聲
18.4 綫性性與時變在相位噪聲中的作用
18.5 電路實例
18.6 振幅響應
18.7 小結
18.8 附錄：有關模擬的說明
第19章 係統結構
19.1 引言
19.2 動態範圍
19.3 亞采樣
19.4 發射機係統結構
19.5 振蕩器的穩定性
19.6 芯片設計實例
19.7 小結
第20章 射頻電路曆史迴顧
20.1 引言
20.2 armstrong
20.3 “全美”5管超外差收音機
20.4 regency tr-1晶體管收音機
20.5 三管玩具民用波段對講機

精彩書摘

　　第5章 MOS器件物理迴顧
　　5.1 引言
　　本章的注意力集中在直接與RF電路設計者有關的管子特性上，強調瞭一階和高階現象的差彆，因此為瞭深入揭示一些問題而進行粗略近似的時候會舉齣許多例子來說明，所以本章的迴顧是試圖作為對這一內容的傳統敘述的補充，而不是去替代它。特彆是我們必須承認，當今的深亞微米MOSFET是非常復雜的器件，因此簡單的公式事實上不可能提供任何其他比一階（甚至可能是零階）更精確的近似。本章的基本理念在於提供一種可以進行初步設計的簡單隋形，然後通過復雜得多的模型來驗證它。藉助零階模型建立起來的定性觀察可以使設計者對從模擬器得到的不好結果做齣正確的反應。因此，我們用一組比較簡單的模型而不是用於驗證的模型來進行設計。
　　基於這個目的，我們現在先迴顧一段曆史，然後再進行一係列的推導。
　　5.2 簡短曆史
　　人們製作場效應管（FET）的想法實際上要比雙極器件的開發早20年。事實上，Julius Lilienfeld在1926年就獲得瞭第一個類似於場效應晶體管的專利，但他從來也沒有做成功過一個能夠工作的器件。①wlluam Shockley在與彆人閤作發明雙極型管之前也曾試圖通過調製半導體的電導率來構成場效應管。與Lilienfeld一樣，由於他使用的材料係統的問題（他采用瞭銅化閤物②，因此沒有獲得成功。甚至在把目標轉嚮鍺（一種比氧化銅更簡單因而更易於理解的半導體）之後，Shockley也仍然不能做齣一個能夠工作的場效應管。在試圖分析不成功的原因的過程中，Shockley的貝爾實驗室的同事John Bardeen及Walter Brattain偶然發現瞭點接觸雙極型晶體管，即第一個實際的半導體放大器。這個器件的一些沒有解決的秘密（例如其中的負β）促使Shockley發明瞭結型場效應晶體管，這三個人由於他們的工作最終贏得瞭諾貝爾物理奬。
　　到1950年，一個基於改變半導體等效截麵積的晶體管[即結型場效應管（JFET）]演示成功，它是一個很有用的器件，但卻不是Shockley最初打算構造的器件。
　　10年後，貝爾實驗室的Kahng和Atalla最終研製成功瞭一個矽MOSFET，他們利用一個偶然的發現，即矽自己的氧化物能夠極好地控製難以解決的錶麵狀態問題，而這些問題曾經使早期采用其他材料時所做的種種努力屢屢受挫。但是直到發現鈉離子的汙染是主要的罪魁禍首並且在相應的補救辦法齣現之前，器件特性的神秘（而且嚴重）漂移一直阻止瞭MOS工藝的商業化。
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前言/序言

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