氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件 下載 mobi epub pdf 電子書 2024
☆☆☆☆☆
簡體網頁||
繁體網頁
郝躍,張金風,張進成 著
下載链接在页面底部
點擊這裡下載
立刻按 ctrl+D收藏本頁
你會得到大驚喜!!
發表於2024-09-11
類似圖書 點擊查看全場最低價
圖書介紹
齣版社: 科學齣版社
ISBN:9787030367174
版次:1
商品編碼:11197571
包裝:精裝
叢書名: 半導體科學與技術叢書
開本:16開
齣版時間:2013-01-01
用紙:膠版紙
頁數:303
字數:390000
正文語種:中文
相關圖書
圖書描述
內容簡介
《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》以作者多年的研究成果為基礎,係統地介紹瞭Ⅲ族氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件的物理特性和實現方法,重點介紹瞭半導體高電子遷移率晶體管(HEMT)與相關氮化物材料。全書共14章,內容包括:氮化物材料的基本性質、異質外延方法和機理,HEMT材料的電學性質,Al CaN/GaN和InAlN/GaN異質結的生長和優化、材料缺陷分析,GaN HEMT器件的原理和優化、製備工藝和性能、電熱退化分析,GaN增強型 HEMT器件和集成電路,GaN MOS-HEMT器件,最後給齣瞭該領域未來技術發展的幾個重要方嚮。
《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》可供微電子、半導體器件和材料領域的研究生與科研人員閱讀參考。
目錄
《半導體科學與技術叢書》齣版說明
序言
第1章 緒論
第2章 Ⅲ族氮化物半導體材料的性質
第3章 氮化物材料的異質外延生長和缺陷性質
第4章 GaNHEMT材料的電學性質與機理
第5章 AIGaN/GaN異質結材料的生長與優化方法
第6章 AIGaN/GaN多異質結材料與電子器件
第7章 脈衝MOCVD方法生長InAIN/GaN異質結材料
第8章 Ⅲ族氮化物電子材料的缺陷和物性分析
第9章 GaNHEMT器件的原理和優化
第10章 GaNHEMT器件的製備工藝和性能
第11章 GaNHEMT器件的電熱退化與可靠性
第12章 GaN增強型HEMT器件和集成電路
第13章 GaNMOS—HEMT器件
第14章 氮化物半導體材料和電子器件的發展
附錄 縮略語錶
《半導體科學與技術叢書》已齣版書目
前言/序言
氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件 下載 mobi epub pdf txt 電子書 格式
氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件 mobi 下載 pdf 下載 pub 下載 txt 電子書 下載 2024
氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件 下載 mobi pdf epub txt 電子書 格式 2024
氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件 下載 mobi epub pdf 電子書
用戶評價
評分
☆☆☆☆☆
第三代半導體國內有人研究但專著極少,這本書在國內也是僅此一本。且著錄較係統,應為經典
評分
☆☆☆☆☆
稍微有點粗糙…沒想象中好。內容待閱。
評分
☆☆☆☆☆
不錯,有的沒貨
評分
☆☆☆☆☆
這件商品的質量看起來還不錯。。。
評分
☆☆☆☆☆
一直想買的書,包裝精美乾淨
評分
☆☆☆☆☆
這個書還是不錯滴書,慢慢看看吧。。。
評分
☆☆☆☆☆
介紹瞭Ⅲ族氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件的物理特性和實現方法,重點介紹瞭半導體高電子遷移率晶體管(HEMT)與相關氮化物材料。送貨快。
評分
☆☆☆☆☆
內容很新很全麵,做氮化鎵方嚮的非常值得一看。
評分
☆☆☆☆☆
這個很好 很喜歡內容不錯
類似圖書 點擊查看全場最低價
氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件 mobi epub pdf txt 電子書 格式下載 2024