CMOS集成电路设计手册（第3版·基础篇） 下载 mobi epub pdf 电子书 2024

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内容简介

　　《CMOS集成电路设计手册》讨论了CMOS电路设计的工艺、设计流程、EDA工具手段以及数字、模拟集成电路设计，并给出了一些相关设计实例，内容介绍由浅入深。该著作涵盖了从模型到器件，从电路到系统的全面内容，是一本综合的CMOS电路设计的工具书及参考书。
　　《CMOS集成电路设计手册》英文原版书是作者近30年教学、科研经验的结晶，是CMOS集成电路设计领域的一本力作。《CMOS集成电路设计手册》已经过两次修订，目前为第3版，内容较第2版有了改进，补充了CMOS电路设计领域的一些新知识，使得本书较前一版内容更加详实。
　　为了方便读者有选择性地学习，此次将《CMOS集成电路设计手册》分成3册出版，分别为基础篇、数字电路篇和模拟电路篇。本书作为基础篇，介绍了CMOS电路设计的工艺及基本电参数知识。本书可以作为CMOS基础知识的重要参考书，对工程师、科研人员及高校师生都有着较为重要的参考意义。

作者简介

R. Jacob (Jake) Baker是一位工程师、教育家以及发明家。他有超过20年的工程经验并在集成电路设计领域拥有超过200项的专利（包括正在申请中的）。Jake也是多本电路设计图书的作者。

内页插图

目录

目　录

第1章　CMOS设计概述　1
1．1　CMOS集成电路的设计流程　1
制造　2
1．2　CMOS背景　6
1．3　SPICE概述　8

第2章　阱　33
2．1　图形转移　34
n阱的图形转移　37
2．2　n阱版图设计　37
n阱的设计规则　38
2．3　电阻值计算　39
n阱电阻　40
2．4　n阱/衬底二极管　41
2．4．1　PN结物理学简介　41
2．4．2　耗尽层电容　45
2．4．3　存储或扩散电容　47
2．4．4　SPICE建模　49
2．5　n阱的RC延迟　51
2．6　双阱工艺　54

第3章　金属层　61
3．1　焊盘　61
焊盘版图设计　61
3．2　金属层的版图设计　64
3．2．1　metal1和via1　64
3．2．2　金属层的寄生效应　66
3．2．3　载流极限　69
3．2．4　金属层设计规则　70
3．2．5　触点电阻　71
3．3　串扰和地弹　72
3．3．1　串扰　72
3．3．2　地弹　73
3．4　版图举例　75
3．4．1　焊盘版图II　76
3．4．2　金属层测试结构版图设计　78

第4章　有源层和多晶硅层　83
4．1　使用有源层和多晶硅层进行版图设计　83
工艺流程　89
4．2　导线与多晶硅层和有源层的连接　92
4．3　静电放电(ESD)保护　100

第5章　电阻、电容、MOSFET　105
5．1　电阻　105
5．2　电容　113
5．3　MOSFET　116
5．4　版图实例　124

第6章　MOSFET工作原理　131
6．1　MOSFET的电容回顾　131
6．2　阈值电压　135
6．3　MOSFET的IV特性　140
6．3．1　工作在线性区的MOSFET　140
6．3．2　饱和区　142
6．4　MOSFET的SPICE模型　145
6．4．1　SPICE仿真实例　149
6．4．2　亚阈值电流　150
6．5　短沟道MOSFET　152
6．5．1　MOSFET缩比　153
6．5．2　短沟道效应　154
6．5．3　短沟道CMOS工艺的SPICE模型　155

第7章　CMOS制备　165
7．1　CMOS单元工艺步骤　165
7．1．1　晶圆的制造　165
7．1．2　热氧化　167
7．1．3　掺杂工艺　168
7．1．4　光刻　171
7．1．5　薄膜去除　174
7．1．6　薄膜沉积　177
7．2　CMOS工艺集成　181
7．2．1　前道工艺集成　183
7．2．2　后道工艺集成　202
7．3　后端工艺　213
7．4　总结　215

第8章　电噪声概述　217
8．1　信号　217
8．1．1　功率和能量　217
8．1．2　功率谱密度　219
8．2　电路噪声　222
8．2．1　电路噪声的计算和建模　223
8．2．2　热噪声　228
8．2．3　信噪比　234
8．2．4　散粒噪声　247
8．2．5　闪烁噪声　250
8．2．6　其他噪声源　257
8．3　讨论　259
8．3．1　相关性　259
8．3．2　噪声与反馈　264
8．3．3　有关符号的一些最后说明　267

第9章　模拟设计模型　275
9．1　长沟道MOSFET　275
9．1．1　平方律方程　277
9．1．2　小信号模型　284
9．1．3　温度效应　300
9．2　短沟道MOSFET　304
9．2．1　通用设计(起始点)　304
9．2．2　专用设计(讨论)　308
9．3　MOSFET噪声模型　310

第10章　数字设计模型　319
10．1　数字MOSFET模型　320
10．1．1　电容效应　323
10．1．2　工艺特征时间常数　324
10．1．3　延迟时间与跃迁时间　325
10．1．4　通用数字设计　328
10．2　MOSFET单管传输门电路　329
10．2．1　单管传输门的延迟时间　331
10．2．2　级联的单管传输门的延迟时间　333
10．3　关于测量的最后说明　334

附录　339

前言/序言

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作者讲述的内容比较实用，帮助很大！

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商品是否给力？快分享你的购买心得吧~秦晖 ISBN：978-7-539-95682-4 出版社：江苏文艺出版社 定价：48.00 上市日期：2013.3 【作者简介】 秦晖，清华大学人文社会科学学院历史系教授、博士生导师。我们时代少有的百科全书式的学者。主要研究方向为农民史与经济史。主持了一系列乡村调查，主编了《农民学丛书》首批六本。主要著作有： 《市场的昨天与今天：商品经济、市场理性、社会公正》 《田园诗与狂想曲：关中模式与前近代社会的再认识》 《农村公社、改革与革命》（合著） 《天平集》 《耕耘者言：农民学文集》 《江浙乡镇企业转制案例研究》 【内容简介】 本书的宗旨是从“主 义”、“文化”与“部门”的分析中，结合我们特定的“问题”来论证持守底线的意义。 “共同的底线”并不是调和折中。虽然我并不反对调和折中，正如我既不反对自 由主 义也不反对社会民 主主 义一样。也许将来在自 由主 义与社会民 主主 义之争成为真问题时，我会持某种有原则合逻辑的折中态度，但是现在，我们需要持守底线。 【目录】 自序：持守底线 论现代思想的共同底线 ——《田园诗与狂想曲》韩文版序 当代中国的“问题”与“主义” ——再论共同底线“第三条道路”，还是共同的底线? ——读吉登斯著《第三条道路》 “群己权界”三原则与特定情境下的公域/私域之分 ——关于公民权、共同底线与“低调社会民主”的讨论 “左右”的商榷自由、乌托邦与强制 ——写在《共产党宣言》150周年不要民粹主义，也不要精英主义自由优先于“主义” ——纪念托马斯·莫尔 【书籍信息】 《共同的底线》 作者：秦晖 ISBN：978-7-539-95682-4 出版社：江苏文艺出版社 定价：48.00 上市日期：2013.3 【作者简介】 秦晖，清华大学人文社会科学学院历史系教授、博士生导师。我们时代少有的百科全书式的学者。主要研究方向为农民史与经济史。主持了一系列乡村调查，主编了《农民学丛书》首批六本。主要著作有： 《市场的昨天与今天：商品经济、市场理性、社会公正》 《田园诗与狂想曲：关中模式与前近代社会的再认识》 《农村公社、改革与革命》（合著） 《天平集》 《耕耘者言：农民学文集》 《江浙乡镇企业转制案例研究》 《学问中国》（合著） 【内容简介】 本书的宗旨是从“主 义”、“文化”与“部门”的分析中，结合我们特定的“问题”来论证持守底线的意义。 “共同的底线”并不是调和折中。虽然我并不反对调和折中，正如我既不反对自 由主 义也不反对社会民 主主 义一样。也许将来在自 由主 义与社会民 主主 义之争成为真问题时，我会持某种有原则合逻辑的折中态度，但是现在，我们需要持守底线。 【目录】 自序：持守底线 论现代思想的共同底线 ——《田园诗与狂想曲》韩文版序 当代中国的“问题”与“主义” ——再论共同底线“第三条道路”，还是共同的底线? ——读吉登斯著《第三条道路》 “群己权界”三原则与特定情境下的公域/私域之分 一 早在“五四”以前，中国就出现了“中西文化的碰撞”。20世纪末进入改革时代以后，“文化热”中的“中西”之争再度热闹起来，80年代许多人积极推进西化，90年代弘扬传统又成了主旋律，加上国际上亨廷顿式的“文明冲突”论助兴，可谓高潮迭起。 百年奋斗史，奥运圆梦时。风霜雪雨，一言难尽；苦辣酸甜，品味悠长。… 中国，没有奥运金牌的日子 [慈禧与奥运擦肩而过][奥运呼唤天津起] [中国“看”奥运第一人][中国哑将泪洒伦敦] 彪悍奥运主题曲 [奥运主题歌的难题][老年版北京欢迎你精彩] 博客：[批评巴金，韩寒已经很客气了] 热点：[加入刘翔输了 奥运礼服大检阅] 也是自清末民初起，中国开始了“主义”之争，50年代以前国内的“左右”热战血流漂杵，50年代以后国际上的“资社”冷战剑拔弩张。到了世纪之交，国际上的意识形态斗争随着冷战的结束逐渐淡出。而在国内，随着改革进程的发展和社会矛盾的深化，“主义”之争却脱去“文化”的包装再度“浮出水面”。 最后，在现代性背景下，许多国家里民主公共权力组织－政府部门与竞争性市场组织——企业或营利部门都得到了高度的发展，同时也现出了明显的局限性。于是在“市场失灵”与“政府失灵”的呼声中自治的公民社会和志愿者公益组

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