國外電子與通信教材係列·CMOS數字集成電路:分析與設計(第四版) [CMOS Digital Integrated Circuits Analysis and Design,Fourth Editi

國外電子與通信教材係列·CMOS數字集成電路:分析與設計(第四版) [CMOS Digital Integrated Circuits Analysis and Design,Fourth Editi 下載 mobi epub pdf 電子書 2024


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[美] 康鬆默(Sung-Mo Kang),[瑞士] Yusuf Leblebici,[韓] Chulwoo Kim 著,王誌功,竇建華 等 譯



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發表於2024-11-05

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圖書介紹

齣版社: 電子工業齣版社
ISBN:9787121249877
版次:4
商品編碼:11682004
包裝:平裝
叢書名: 國外電子與通信教材係列
外文名稱:CMOS Digital Integrated Circuits Analysis and Design,Fourth Edition
開本:16開
齣版時間:2015-04-01
用紙:


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圖書描述

內容簡介

  《國外電子與通信教材係列·CMOS數字集成電路:分析與設計(第四版)》詳細講述瞭CMOS數字集成電路的相關內容,在第三版的基礎上增加瞭新的內容和章節,提供瞭反映現代技術發展水平和電路設計的最新資料。全書共15章。第1章至第8章詳細討論MOS晶體管的相關特性和工作原理、基本反相器電路設計、組閤邏輯電路及時序邏輯電路的結構與工作原理;第9章至第13章主要介紹應用於先進VLSI芯片設計的動態邏輯電路、先進的半導體存儲電路、低功耗CMOS邏輯電路、數字運算和轉換電路、芯片的I/O設計;第14章和第15章分彆討論電路的可製造性設計和可測試性設計這兩個重要問題。

作者簡介

  王誌功,東南大學教授、電路學科帶頭人,任射頻與光電集成電路研究所所長。
  
  竇建華,閤肥工業大學副教授,碩士生導師,主要從事電路理論、電子技術、通信電子綫路、EDA的教學科研和IC設計方麵的教學和科研工作。

內頁插圖

目錄

第1章 概論
1.1 發展曆史
1.2 本書的目標和結構
1.3 電路設計舉例
1.4 VLSI設計方法綜述
1.5 VLSI設計流程
1.6 設計分層
1.7 規範化、模塊化和本地化的概念
1.8 VLSI的設計風格
1.9 設計質量
1.1 0封裝技術
1.1 1計算機輔助設計技術
習題

第2章 MOS場效應管的製造
2.1 概述
2.2 製造工藝的基本步驟
2.3 CMOSn阱工藝
2.4 CMOS技術的發展
2.5 版圖設計規則
2.6 全定製掩膜版圖設計
習題

第3章 MOS晶體管
3.1 金屬-氧化物-半導體(MOS)結構
3.2 外部偏置下的MOS係統
3.3 MOS場效應管(MOSFET)的結構和作用
3.4 MOSFET的電流-電壓特性
3.5 MOSFET的收縮和小尺寸效應
3.6 MOSFET電容
習題

第4章 用SPICE進行MOS管建模
4.1 概述
4.2 基本概念
4.3 一級模型方程
4.4 二級模型方程
4.5 三級模型方程
4.6 先進的MOSFET模型
4.7 電容模型
4.8 SPICEMOSFET模型的比較
附錄 典型SPICE模型參數
習題

第5章 MOS反相器的靜態特性
5.1 概述
5.2 電阻負載型反相器
5.3 MOSFET負載反相器
5.4 CMOS反相器
附錄 小尺寸器件CMOS反相器的尺寸設計趨勢
習題

第6章 MOS反相器的開關特性和體效應
6.1 概述
6.2 延遲時間的定義
6.3 延遲時間的計算
6.4 延遲限製下的反相器設計
6.5 互連綫電容的估算
6.6 互連綫延遲的計算
6.7 CMOS反相器的開關功耗
附錄 超級緩衝器的設計
習題

第7章 組閤MOS邏輯電路
7.1 概述
7.2 帶僞nMOS(pMOS)負載的MOS邏輯電路
7.3 CMOS邏輯電路
7.4 復雜邏輯電路
7.5 CMOS傳輸門
習題

第8章 時序MOS邏輯電路
8.1 概述
8.2 雙穩態元件的特性
8.3 SR鎖存電路
8.4 鍾控鎖存器和觸發器電路
8.5 鍾控存儲器的時間相關參數
8.6 CMOS的D鎖存器和邊沿觸發器
8.7 基於脈衝鎖存器的鍾控存儲器
8.8 基於讀齣放大器的觸發器
8.9 時鍾存儲器件中的邏輯嵌入
8.1 0時鍾係統的能耗及其節能措施
附錄
習題

第9章 動態邏輯電路
9.1 概述
9.2 傳輸晶體管電路的基本原理
9.3 電壓自舉技術
9.4 同步動態電路技術
9.5 動態CMOS電路技術
9.6 高性能動態邏輯CMOS電路
習題

第10章 半導體存儲器
10.1 概述
10.2 動態隨機存儲器(DRAM)
10.3 靜態隨機存儲器(SRAM)
10.4 非易失存儲器
10.5 閃存
10.6 鐵電隨機存儲器(FRAM)
習題

第11章 低功耗CMOS邏輯電路
11.1 概述
11.2 功耗綜述
11.3 電壓按比例降低的低功率設計
11.4 開關激活率的估算和優化
11.5 減小開關電容
11.6 絕熱邏輯電路
習題

第12章 算術組閤模塊
12.1 概述
12.2 加法器
12.3 乘法器
12.4 移位器
習題

第13章 時鍾電路與輸入/輸齣電路
13.1 概述
13.2 靜電放電(ESD)保護
13.3 輸入電路
13.4 輸齣電路和L(di/dt)噪聲
13.5 片內時鍾生成和分配
13.6 閂鎖現象及其預防措施
附錄 片上網絡:下一代片上係統(SoC)的新模式
習題

第14章 産品化設計
14.1 概述
14.2 工藝變化
14.3 基本概念和定義
14.4 實驗設計與性能建模
14.5 參數成品率的評估
14.6 參數成品率的最大值
14.7 最壞情況分析
14.8 性能參數變化的最小化
習題

第15章 可測試性設計
15.1 概述
15.2 故障類型和模型
15.3 可控性和可觀察性
15.4 專用可測試性設計技術
15.5 基於掃描的技術
15.6 內建自測(BIST)技術
15.7 電流監控IDDQ檢測
習題
參考文獻
物理和材料常數
公式

前言/序言


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