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碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用下载 mobi epub pdf 电子书 2024

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发表于2024-11-22

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图书介绍

店铺：兰兴达图书专营店

出版社：机械工业

ISBN：9787111586807

商品编码：27630263042

图书描述

商品名称：	碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用
作者：	[日] 木本恒暢（Tsunenobu Kimoto）[美] 詹姆士 A. 库珀（Ja
市场价：	150.00
ISBN号：	9787111586807
版次：	1-1
出版日期：
页数：	499
字数：	649
出版社：	机械工业出版社

本书是一本有关碳化硅材料、器件工艺、器件和应用方面的书籍，其主题包括碳化硅的物理特性、晶体和外延生长、电学和光学性能的表征、扩展缺陷和点缺陷，器件工艺、功率整流器和开关器件的设计理念，单／双极型器件的物理和特征、击穿现象、高频和高温器件，以及碳化硅器件的系统应用，涵盖了基本概念和新发展现状，并针对每个主题做深入的阐释，包括基本的物理特性、新的理解、尚未解决的问题和未来的挑战。

译者序
原书前言
原书作者简介
１章　导论１
　１.１　电子学的进展１
　１.２　碳化硅的特性和简史３　
　１.２.１　早期历史３
　　１.２.２　ＳｉＣ晶体生长的革新４
　　１.２.３　ＳｉＣ功率器件的前景和展示５
　１.３　本书提纲６　参考文献７
２章　碳化硅的物理性质１０
３章　碳化硅晶体生长３６
４章　碳化硅外延生长７０
５章　碳化硅的缺陷及表征技术１１７
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