發表於2024-11-26
商品名稱: | 碳化矽技術基本原理——生長、錶徵、器件和應用 |
作者: | [日] 木本恒暢(Tsunenobu Kimoto)[美] 詹姆士 A. 庫珀(Ja |
市場價: | 150.00 |
ISBN號: | 9787111586807 |
版次: | 1-1 |
齣版日期: | |
頁數: | 499 |
字數: | 649 |
齣版社: | 機械工業齣版社 |
本書是一本有關碳化矽材料、器件工藝、器件和應用方麵的書籍,其主題包括碳化矽的物理特性、晶體和外延生長、電學和光學性能的錶徵、擴展缺陷和點缺陷,器件工藝、功率整流器和開關器件的設計理念,單/雙極型器件的物理和特徵、擊穿現象、高頻和高溫器件,以及碳化矽器件的係統應用,涵蓋瞭基本概念和新發展現狀,並針對每個主題做深入的闡釋,包括基本的物理特性、新的理解、尚未解決的問題和未來的挑戰。
譯者序
原書前言
原書作者簡介
1章 導論1
1.1 電子學的進展1
1.2 碳化矽的特性和簡史3
1.2.1 早期曆史3
1.2.2 SiC晶體生長的革新4
1.2.3 SiC功率器件的前景和展示5
1.3 本書提綱6 參考文獻7
2章 碳化矽的物理性質10
3章 碳化矽晶體生長36
4章 碳化矽外延生長70
5章 碳化矽的缺陷及錶徵技術117
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