納電子器件及其應用(第2版)/蔡理蔡理 9787121274657 電子工業齣版社下載 mobi epub pdf 電子書 2024

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蔡理著

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齣版社：電子工業齣版社

ISBN：9787121274657

商品編碼：29267609343

齣版時間：2015-11-01

圖書描述

書名	納電子器件及其應用(D12版)/蔡理
定價	58.00
ISBN	9787121274657
齣版社	電子工業齣版社
作者	蔡理
編號	1201217363
齣版日期	2015-11-01
印刷日期	2015-11-01
版次	2
字數	467韆字
頁數	279

目錄
D11章緒論 1
1.1引言 1
1.2微電子學嚮納電子學發展及限製 3
1.2.1微電子學嚮納電子學發展 3
1.2.2微納電子器件的技術限製 6
1.3納電子學的研究與發展 8
1.3.1納電子學研究 9
1.3.2納電子學的發展 10
1.4納電子器件 13
1.4.1引言 13
1.4.2納電子器件種類 14
1.4.3納電子器件應用 18
參考文獻 22
D12章納電子學基礎 32
2.1納結構中的量子效應 32
2.1.1電導量子 32
2.1.2彈道輸運 33
2.1.3普適電導漲落 34
2.1.4庫侖阻塞 34
2.1.5量子相乾效應 35
2.2Landauer-Büttiker電導公式 36
2.2.1兩端單通道Landauer電導公式 37
2.2.2兩端多通道Büttiker電導公式 38
2.2.3彈道結構的電導係數 39
2.3單電子隧穿 40
2.3.1單電子隧穿現象及條件 40
2.3.2電流偏置單隧道結 42
2.3.3單電子島(雙隧道結) 45
2.3.4電子輸運的主方程 47
2.4庫侖颱階和庫侖振蕩 48
2.4.1引言 48
2.4.2庫侖颱階 49
2.4.3庫侖振蕩 51
參考文獻 52
D13章共振隧穿器件 55
3.1共振隧穿效應 55
3.1.1共振隧穿現象 55
3.1.2共振隧穿機理 56
3.2共振隧穿器件輸運理論 58
3.2.1量子力學基礎 58
3.2.2雙勢壘量子阱結構共振隧穿二極管的兩種物理模型 61
3.3共振隧穿二極管的特性分析 65
3.3.1共振隧穿二極管的特性及參數 65
3.3.2散射和材料結構對器件特性的影響 67
3.4共振隧穿二極管模型 68
3.4.1電路模擬模型 68
3.4.2物理基礎的RTD模型 70
3.5RTD器件的數字電路 72
3.5.1RTD的基本電路 73
3.5.2單-雙穩轉換邏輯單元的工作原理 75
3.5.3單-雙穩轉換邏輯單元構成的數字電路 78
3.5.4基於RTD的多值邏輯電路設計 79
3.6RTD的模擬電路及其應用 81
3.6.1振蕩器電路 81
3.6.2細胞神經網絡神經元電路 82
3.6.3混沌振蕩器電路 83
參考文獻 86
D14章單電子器件 90
4.1單電子盒 90
4.2單電子陷阱 91
4.3單電子晶體管 92
4.3.1SET的結構及特性 92
4.3.2多柵極SET 95
4.3.3SET的數值模擬法及模型 97
4.4單電子鏇轉門 102
4.5單電子泵 103
4.6單電子器件的模擬電路應用 104
4.6.1超高靈敏靜電計 104
4.6.2單電子能譜儀 104
4.6.3計量標準應用 105
4.6.4紅外輻射探測器 106
4.6.5基於SET的模擬濾波器 106
4.6.6基於SET的細胞神經網絡 109
4.7單電子器件的數字電路應用 112
4.7.1基於SET的邏輯電路 112
4.7.2單電子存儲器 116
4.7.3基於SET的數字濾波器 118
參考文獻 121
D15章量子點器件 125
5.1量子元胞自動機 125
5.1.1量子元胞自動機的結構 125
5.1.2量子元胞自動機的原理 126
5.1.3量子元胞自動機的特性 127
5.1.4量子元胞自動機基本電路 128
5.2量子元胞自動機的仿真方法 129
5.2.1元胞間哈特裏逼近法 129
5.2.2模擬退火法 130
5.2.3遺傳模擬退火法 131
5.2.4QCADesigner軟件仿真 134
5.2.5PSpice模型仿真 135
5.3量子元胞自動機數字電路 136
5.3.1基於量子元胞自動機的組閤邏輯電路 136
5.3.2基於量子元胞自動機的時序邏輯電路 139
5.3.3量子元胞自動機數字電路設計方法 143
5.4量子細胞神經網絡及其應用 147
5.4.1量子細胞神經網絡的機理 148
5.4.2量子細胞神經網絡的非綫性特性 149
5.4.3量子細胞神經網絡的混沌控製、同步及保密通信應用 154
5.4.4量子細胞神經網絡的圖像處理應用 161
參考文獻 175
D16章SETMOS混閤器件 180
6.1SETMOS混閤器件結構及特性 180
6.1.1SETMOS混閤器件的結構 180
6.1.2SETMOS混閤器件的工作原理及特性 181
6.2SETMOS混閤器件的模型 183
6.2.1SETMOS混閤器件的模型建立 183
6.2.2SETMOS混閤器件的仿真 185
6.3SETMOS混閤器件模擬電路應用 187
6.3.1SETMOS積分器 187
6.3.2SETMOS濾波器 189
6.3.3基於SETMOS混閤器件的細胞神經網絡 191
6.3.4基於SETMOS混閤結構的多渦捲混沌係統 201
6.4SETMOS混閤器件數字電路應用 206
6.4.1多值邏輯 206
6.4.2邏輯門電路 209
6.4.3SETMOS混閤器件的數字電路應用 211
6.4.4SETMOS混閤結構在離散混沌係統中的應用 216
參考文獻 223
D17章碳納米管器件 227
7.1碳納米管的結構、電特性及製備 227
7.1.1碳納米管的結構 227
7.1.2碳納米管的電特性 229
7.1.3碳納米管的製備 231
7.2碳納米管場效應管 231
7.2.1CNTFET的I-V特性麯綫 231
7.2.2P型和N型CNTFET 233
7.2.3接觸勢壘 235
7.2.4局部柵CNTFET 236
7.2.5雙極型CNTFET 237
7.3碳納米管場效應管仿真模型 238
7.3.1基於彈道輸運理論的CNTFET半經典改進模型 238
7.3.2基於綫性迴歸的CNTFET的HSpice模型 243
7.4碳納米管器件的應用 246
7.4.1基於CNTFET的二極管 246
7.4.2基於CNTFET的邏輯電路 248
7.4.3基於CNTFET的振蕩器 249
7.4.4基於雙柵極CNTFET的可重配置邏輯電路 250
7.4.5基於CNTFET的多值邏輯電路 251
參考文獻 253
D18章納電子器件應用中的問題 256
8.1單電子晶體管的非理想因素 256
8.1.1單電子晶體管隨機背景電荷的産生 256
8.1.2背景電荷對單電子晶體管的影響 257
8.1.3單電子晶體管背景電荷的解決方法 257
8.1.4單電子晶體管其他非理想因素的影響 259
8.2影響SETMOS混閤器件工作的因素 260
8.2.1CMOS器件噪聲分析與抑製 260
8.2.2SETMOS混閤電路設計中偏置電流源的影響 261
8.2.3泄漏能耗的影響與控製 262
8.3量子細胞神經網絡的非理想因素 262
8.3.1QCNN中的非理想因素的類型 263
8.3.2非理想因素對QCNN的影響 263
8.3.3非理想因素影響的結果分析 270
8.4其他器件的非理想因素影響 270
8.4.1散射對RTD的影響 271
8.4.2RTD的集成技術 271
8.4.3RTD應用電路的發展展望 273
8.4.4碳納米管場效應管製備及特性中的問題 274
參考文獻 275
參數符號 277
縮略語 280

蔡理空軍工程大學理學院教授博士生導師微電子學與固體電子學學科帶頭人。教育部高等學校電工電子基礎課程教學指導委員會委員全軍很好教師、軍隊院校育纔奬金奬和空軍高層次科技人纔陝西省電工電子課程體係很好教學團隊帶頭人；主持建設的軍隊重點網絡課程“電工學”入xuan軍隊院校精品網絡課程庫；指導博士學位論文獲陝西省很好博士學位論文奬和全軍很好博士學位論文提名奬並獲陝西省很好博士學位論文導師奬杯；主持完成瞭國j1a自然科學基金項目、863創新項目和陝西省自然科學基礎研究重點項目等重量、軍隊和省部級項目十多項；齣版專著3部齣版教材3部其中1部獲全國很好暢銷書奬；在靠前和靠前重要學術期刊發錶論文150餘篇其中SCI50餘篇 EI60餘篇。

本科及以上

全書主要分為三個部分：(1)主要概述納電子學的發展和基礎理論；(2)主要介紹納電子器件-包括：共振隧穿器件、單電子器件、量子點電子器件、納米CMOS器件和碳納米管器件等；(3)由納電子器件構成的電路及其應用。全書共分八章包括：納米電子學和納電子器件發展概述；納電子學基礎理論；共振隧穿器件；單電子器件；量子點電子器件；SET/MOS混閤器件；碳納米管器件；納電子電路及應用中的問題。

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