固體電子學導論（第2版）/高等學校電子信息類專業係列教材 下載 mobi epub pdf 電子書 2025

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瀋為民，唐瑩，孫一翎 著

圖書標籤:

• 固體電子學
• 電子學
• 半導體
• 材料科學
• 物理學
• 電子信息
• 教材
• 大學教材
• 高等教育
• 電子工程

齣版社： 清華大學齣版社

ISBN：9787302439318

版次：2

商品編碼：11990878

包裝：平裝

叢書名： 高等學校電子信息類專業係列教材

開本：16開

齣版時間：2016-07-01

用紙：膠版紙

頁數：236

字數：382000

編輯推薦

　　隨著半導體材料工藝日趨成熟，新的固態電子器件因材料質量的提高和對材料物理的深入研究而不斷齣現。固態電子器件是現代集成電路的基礎，它還廣泛應用於其他各領域，如光縴通信、固體成像、微波通信等。
　　本書介紹固體電子學的基礎理論，主要涉及固體物理和半導體物理的基礎知識，包括晶體的結構、晶體的結閤、晶格振動、晶體缺陷、能帶理論、半導體中的載流子、PN結、固體錶麵及界麵接觸現象、半導體器件原理、固體的光學性質與光電現象等內容。

內容簡介

　　全書共分8章。1-3章介紹固體物理的基本知識，內容有：晶體結構、晶體結閤、晶體生長、確定晶體結構的方法；晶格振動形成格波的特點、聲子的概念及聲子譜的測量方法；晶體缺陷的主要類型；能帶理論的基礎知識，包括金屬中的自由電子模型，晶體電子的波函數與能帶結構的特點，有效質量、空穴的概念，以及實際晶體能帶結構舉例。4-8章介紹半導體材料與器件特性，內容有：載流子濃度、遷移率、電導率的計算，漂移運動與擴散運動，非平衡載流子，連續性方程；PN結的形成與能帶圖、電流電壓特性、電容、擊穿；固體錶麵態的基本概念，錶麵電場效應，金屬與半導體的接觸，MIS結構的電容—電壓特性；半導體器件的基本原理，包括二極管、雙極型晶體管、場效應晶體管，半導體集成器件和微細加工技術簡介。固體的光學常數及實驗測量，光吸收，光電導，光生伏特效應及太陽電池，半導體發光及發光二極管等。

作者簡介

　　瀋為民，中國計量大學教授，校教學名師，浙江省優秀教師。1982年本科畢業於杭州大學（現閤並到浙江大學）物理係，1989年研究生畢業於南開大學電子係。主要研究方嚮為光電測量、光縴傳感、半導體光電等，先後主持或參加完成杭州市重大科研項目、浙江省自然科學基金項目、浙江省重大科技項目、國傢863項目、973項目等。負責的電子科學與技術專業被列入浙江省重點專業、浙江省特色專業、教育部卓越工程師計劃專業，負責的《光電信息專業實驗》為省精品課程。主持完成浙江省高等教育教學改革項目、教育部教指委第一類課題、浙江省高教學會研究項目等。現為全國高校光學教學研究會副理事長、教育部評估中心（中國工程教育認證協會）專業認證專傢。

目錄

第1章晶體的結構和晶體的結閤
1.1晶體的特徵與晶體結構的周期性
1.1.1晶體的特徵
1.1.2晶體結構的周期性
1.1.3原胞與晶胞
1.1.4實際晶體舉例
1.2晶列與晶麵倒格子
1.2.1晶列
1.2.2晶麵
1.2.3倒格子
1.3晶體結構的對稱性晶係
1.3.1物體的對稱性與對稱操作
＊1.3.2晶體的對稱點群
1.3.3晶係
＊1.3.4準晶體
＊1.4確定晶體結構的方法
1.4.1晶體衍射的一般介紹
1.4.2衍射方程
1.4.3反射公式
1.4.4反射球
1.5晶體的結閤
1.5.1離子性結閤
1.5.2共價結閤
1.5.3金屬性結閤
1.5.4範德華結閤
＊1.6晶體生長簡介
1.6.1自然界的晶體
1.6.2溶液中生長晶體
1.6.3水熱法生長晶體
1.6.4熔體中生長晶體
1.6.5矽、鍺單晶生長
習題1
第2章晶格振動和晶體的缺陷
2.1晶格振動和聲子
2.1.1一維單原子晶格的振動
2.1.2周期性邊界條件
2.1.3晶格振動量子化聲子
＊2.2聲學波與光學波
2.2.1一維雙原子晶格的振動
2.2.2聲學波和光學波的特點
＊2.3格波與彈性波的關係
2.4聲子譜的測量方法
2.5晶體中的缺陷
2.5.1點缺陷
2.5.2綫缺陷
2.5.3麵缺陷
習題2
第3章能帶論基礎
3.1晶體中電子狀態的近似處理方法
3.1.1單電子近似
3.1.2周期性勢場的形成
3.2金屬中的自由電子模型
3.2.1無限深勢阱近似——駐波解
3.2.2周期性邊界條件——行波解
3.2.3能態密度
＊3.2.4費米球
3.3布洛赫定理
3.3.1布洛赫定理的錶述
＊3.3.2布洛赫定理的證明
3.3.3布洛赫函數的意義
3.4剋龍尼剋�纔四贍Ｐ�
3.4.1求解
3.4.2討論
3.4.3能帶結構的特點
＊3.5能帶的計算方法
3.5.1準自由電子近似
＊3.5.2布洛赫函數的例子
3.5.3緊束縛近似
3.6晶體的導電性
3.6.1電子運動的速度和加速度有效質量
3.6.2電子導電和空穴導電
3.6.3導體、半導體和絕緣體的區彆
＊3.7實際晶體的能帶
3.7.1迴鏇共振和有效質量
3.7.2矽和鍺的能帶結構
3.7.3砷化鎵的能帶結構
習題3
第4章半導體中的載流子
4.1本徵半導體與雜質半導體
4.1.1本徵半導體
4.1.2雜質半導體
4.1.3雜質電離能與雜質補償
4.2半導體中的載流子濃度
4.2.1費米分布函數
4.2.2平衡態下的導帶電子濃度和價帶空穴濃度
4.2.3本徵載流子濃度與費米能級
4.2.4雜質充分電離時的載流子濃度
4.2.5雜質未充分電離時的載流子濃度
＊4.3簡並半導體
4.4載流子的漂移運動
4.4.1遷移率
4.4.2電導率
＊4.4.3霍耳(Hall)效應
4.5非平衡載流子及載流子的擴散運動
4.5.1穩態與平衡態
4.5.2壽命
4.5.3擴散運動
4.5.4連續性方程
習題4
第5章PN結
5.1PN結及其能帶圖
5.1.1PN結的製備
5.1.2PN結的內建電場與能帶圖
5.1.3PN結的載流子分布
5.1.4PN結的勢壘形狀
5.2PN結電流電壓特性
5.2.1非平衡PN結的勢壘與電流的定性分析
＊5.2.2非平衡PN結的少子分布
5.2.3理想PN結的電流電壓方程
5.3PN結電容
5.3.1勢壘電容
5.3.2擴散電容
5.3.3勢壘電容的計算
5.3.4擴散電容的計算
5.4PN結擊穿
5.4.1雪崩擊穿
5.4.2隧道擊穿(齊納擊穿)
5.4.3熱電擊穿
習題5
第6章固體錶麵及界麵接觸現象
6.1錶麵態
6.1.1理想錶麵和實際錶麵
6.1.2錶麵態
6.1.3錶麵態密度
6.2錶麵電場效應
6.2.1外電場對半導體錶麵的影響
6.2.2錶麵空間電荷區的電場、麵電荷密度和電容
6.2.3各種錶麵層狀態
6.2.4錶麵電導
6.3金屬與半導體的接觸
6.3.1金屬和半導體的功函數
6.3.2接觸電勢差和接觸勢壘
6.3.3金屬與半導體接觸的整流特性
6.3.4歐姆接觸
6.4MIS結構的電容�駁繆固匭�
6.4.1理想MIS結構電容
6.4.2理想MIS結構的C�睼特性
6.4.3功函數差及絕緣層中電荷對C�睼特性的影響
＊6.5異質結
6.5.1異質結的分類
6.5.2突變異質結的能帶圖
6.5.3異質結的電流電壓特性
6.5.4半導體超晶格
習題6
第7章半導體器件基礎
7.1二極管
7.1.1二極管的基本結構
7.1.2整流二極管
7.1.3齊納二極管
7.1.4變容二極管
7.1.5肖特基二極管
7.2雙極型晶體管
7.2.1BJT的基本結構
7.2.2BJT的電流�駁繆固匭�
7.3場效應晶體管
7.3.1JFET
7.3.2MOSFET
＊7.3.3MESFET
7.4半導體集成器件
7.4.1集成電路的構成
7.4.2微細加工技術
習題7
第8章固體光電基礎
8.1固體的光學常數
8.1.1摺射率與消光係數
＊8.1.2剋拉末�部肆�尼剋(Kramers�睰ronig)關係
＊8.2光學常數的測量
8.3半導體的光吸收
8.3.1本徵吸收
8.3.2直接躍遷和間接躍遷
8.3.3其他吸收過程
8.4半導體的光電導
8.4.1附加電導率
8.4.2定態光電導及其弛豫過程
8.4.3本徵光電導的光譜分布
8.4.4雜質光電導
8.5PN結的光生伏特效應和太陽能電池
8.5.1PN結的光生伏特效應
8.5.2光電池的電流電壓特性
8.5.3太陽能電池及其光電轉換效率
8.6半導體發光
8.6.1輻射躍遷
8.6.2發光效率
8.6.3電緻發光激發機構
8.6.4發光二極管(LED)
＊8.6.5半導體激光器(LD)
習題8
附錄A常用錶
附錄BExcel在教學中的應用
參考文獻

前言/序言

　　20世紀30年代固體電子論的成果和四五十年代鍺、矽材料工藝的進展，為之後固態電子器件的飛速發展奠定瞭基礎。隨著半導體材料工藝日趨成熟，新的固態電子器件因材料質量的提高和對材料物理的深入研究而不斷齣現。固態電子器件體積小，重量輕，功耗小，可靠性高，易集成，可以實現電子係統的微型化，是現代集成電路的基礎。除瞭用於大規模和超大規模集成電路外，固態電子器件還廣泛應用於其他各領域，如光縴通信、固體成像、微波通信、紅外探測、能量轉換等。半導體的電學性能容易受多種因素如摻雜、光照等的控製，易於製成電子功能器件，因此絕大部分的固態電子器件是用半導體製成的。所以，固體物理和半導體物理是固態電子器件的理論基礎，也是本書討論的重點。
　　隨著計算機輔助設計（CAD）的發展，器件與係統的設計更多通過計算機來進行，越來越多的專業軟件投入各種應用領域。這就促使理論與應用的結閤形式發生改變，對於搞應用的人來說，不需要直接從理論公式齣發進行分析和計算，理論學習的作用更多體現在瞭解各種物理現象，建立相應的物理概念，理解運動變化過程，熟悉物理量之間的相互聯係，掌握分析問題的方法等。本教材編寫力求內容精簡、重點突齣、概念清晰、通俗易懂，在不破壞知識體係的邏輯關係前提下，盡量避免煩瑣的數學推導。隻要有高等數學和大學物理的基礎知識，即使沒有學過電動力學、量子力學、熱力學統計物理，也能順利學習本課程。
　　全書共分8章。第1章介紹晶體結構的基本知識，重點是晶體結構的周期性與對稱性，對晶體結閤、晶體生長、確定晶體結構的方法等隻作簡單討論。第2章以一維原子鏈為例討論晶格振動形成格波的特點、聲子的概念及聲子譜的測量方法，介紹瞭晶體缺陷的主要類型。第3章介紹能帶理論的基礎知識，包括金屬中的自由電子模型，晶體電子的波函數與能帶結構的特點，有效質量、空穴的概念，以及實際晶體能帶結構舉例。第4章討論半導體中的載流子及其運動，包括載流子的統計分布、費米能級與載流子濃度的計算、遷移率與電導率、非平衡載流子及連續性方程。第5章介紹PN結，包括PN結形成與能帶圖、PN結電流電壓特性、PN結電容及PN結擊穿。第6章介紹固體錶麵及界麵接觸現象，包括錶麵態的基本概念、錶麵電場效應、金屬與半導體的接觸及MIS結構的電容�駁繆固匭浴５�7章介紹半導體器件的基本原理，包括二極管、雙極型晶體管及場效應晶體管，也簡略介紹半導體集成器件和微細加工技術。第8章介紹固體的光學性質與固體中的光電現象，包括固體的光學常數、Kramers�睰ronig關係、光學常數的實驗測量、半導體的光吸收、半導體的光電導、半導體的光生伏特效應和太陽能電池及半導體發光和發光二極管。
　　每章末都附有習題。由於各專業安排本課程的學時及教學要求不同，書中打*號內容可以不講或簡單講述。
　　本教材主要麵嚮應用型人纔培養，應當引導學生利用電腦和軟件等現代工具解決問題，所以在第2版中增加瞭附錄B Excel在教學中的應用，讓學生能夠通過簡單的工具處理較復雜的問題。例如： 在坐標精確計算的基礎上，根據一定的投影規則畫晶體的三維結構圖，製作對稱操作動畫； 製作包括雙原子聲學波、光學波在內的各種晶格振動動畫； 求解能量本徵值方程，畫齣多種能帶麯綫； 針對多種情況（不同摻雜、不同溫度）精確計算載流子濃度、遷移率、電導率，畫相應麯綫； 計算並畫齣PN結勢壘麯綫、載流子濃度分布麯綫、電流電壓麯綫、勢壘電容和擴散電容麯綫，以及包含PN結的應用設計（如太陽能電池最佳功率點設計等）。這些問題與“復雜工程問題”的多個特徵相似，例如涉及多個方麵、多個因素，不同要求之間存在矛盾與衝突，需要深入的分析、建模、綜閤、創新等。學生不僅學到瞭固體物理與半導體物理的相關知識，而且培養瞭工程教育專業認證倡導的多種能力。
　　本書第1～5章(1.6節除外)由瀋為民負責編寫，第6章和第8章由孫一翎負責編寫，第7章由唐瑩負責編寫，馬鐵英編寫瞭1.6節。全書由瀋為民統稿。
　　由於編者的水平與經驗有限，書中難免存在缺點和錯誤，殷切希望讀者批評指正。
　　作者2016年7月

《現代半導體器件物理與設計》 內容簡介： 本書旨在深入探討現代半導體材料的物理基礎、關鍵器件的工作原理及其在集成電路設計中的應用。內容涵蓋瞭從基礎的能帶理論到復雜的量子效應，從經典的PN結模型到先進的MOSFET、BJT等晶體管的結構與特性，再到各種存儲器、光電器件以及功率器件的設計與製造工藝。本書注重理論與實踐的結閤，力求為讀者構建一個全麵而深入的半導體電子學知識體係，為從事半導體器件研發、集成電路設計、製造及相關領域的研究者和工程師提供堅實的基礎。 第一部分：半導體材料基礎與輸運現象 本書的開篇將從半導體材料的本質入手，深入剖析其獨特的電學特性。我們將詳細介紹晶體結構、化學鍵閤以及各種半導體材料（如矽、鍺、砷化鎵及其衍生物）的基本性質。核心內容將圍繞能帶理論展開，包括絕緣體、導體和半導體的能帶結構差異，本徵半導體的導電機製，以及雜質半導體（N型和P型）的摻雜原理和載流子濃度分布。 隨後，我們將深入探討載流子的輸運現象。這包括漂移和擴散兩種基本機製，它們是理解半導體器件工作的基礎。我們會詳細講解載流子遷移率、導電率、以及載流子壽命等重要參數。此外，書中還將介紹熱電效應、光電效應等與半導體材料密切相關的物理現象，為後續器件的講解奠定理論基礎。最後，本部分還會涉及半導體材料的製備與錶徵技術，簡要介紹晶體生長、外延、摻雜以及錶麵處理等關鍵工藝，讓讀者對半導體材料的宏觀生産有一個初步的認識。 第二部分： PN結及其應用 PN結是構成幾乎所有半導體器件的基本單元，因此本書將投入大量的篇幅進行深入講解。我們將詳細闡述PN結的形成過程，包括PN結勢壘的形成、載流子在PN結兩側的分布以及外加電壓對PN結特性的影響。內容將涵蓋PN結的伏安特性，包括正嚮導通、反嚮擊穿以及齊納擊穿和雪崩擊穿等現象。 在此基礎上，我們將詳細介紹PN結的電容效應，包括擴散電容和結電容，以及它們在不同工作狀態下的錶現。這對於理解高速器件的頻率響應至關重要。此外，本部分還將探討PN結的動態特性，如少數載流子的注入、存儲和復閤等過程，以及這些過程對器件開關速度的影響。 PN結作為基本單元，可以構成多種重要的半導體器件。我們將重點介紹二極管的各種類型，包括整流二極管、穩壓二極管（齊納管）、開關二極管、變容二極管以及發光二極管（LED）和光電二極管。對於每一種二極管，都會詳細講解其結構、工作原理、特性麯綫以及典型的應用場景。 第三部分： 雙極型晶體管（BJT） 雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor, BJT）是信息技術革命的基石之一。本書將係統性地介紹BJT的結構、工作原理和特性。我們首先會介紹PNP和NPN型BJT的結構，包括發射區、基區和集電區的摻雜特性以及它們的尺寸比例。 隨後，我們將深入剖析BJT的工作區域，包括截止區、放大區和飽和區，並詳細講解不同區域下載流子在各個區域的傳輸和復閤過程。書中的核心內容將聚焦於BJT的輸入輸齣特性麯綫，包括輸入特性（IB-VBE）和輸齣特性（IC-VCE），並解釋輸齣特性麯綫中的飽和區、放大區和擊穿區的形成原因。 我們還將深入探討BJT的電流放大係數（β），以及影響β的各種因素，如摻雜濃度、基區寬度和溫度等。本書還將介紹BJT的等效電路模型，如混閤π模型和Г模型，這些模型對於分析BJT放大電路的設計至關重要。此外，還會討論BJT的開關特性，包括其開關速度、關斷延遲時間等，為數字電路的設計提供參考。最後，本部分還將簡要介紹BJT的製造工藝，包括擴散、離子注入、光刻等關鍵步驟。 第四部分： 場效應晶體管（FET） 場效應晶體管（Field-Effect Transistor, FET）是現代集成電路中最主要的器件類型，尤其是在數字電路和高密度集成領域。本書將全麵介紹FET的分類、結構、工作原理和特性。我們將首先介紹結型場效應晶體管（JFET），包括N溝道和P溝道JFET的結構，通過控製柵極電壓來改變溝道導電性，以及JFET的輸齣特性麯綫和跨導。 接著，本書將重點深入講解金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）。我們將詳細介紹增強型和耗盡型MOSFET的結構，包括源極、漏極、柵極和襯底，以及柵氧化層的重要性。書中的核心內容將聚焦於MOSFET的工作原理，包括閾值電壓、亞閾值區、綫性區（歐姆區）和飽和區。我們將詳細講解柵極電壓如何改變溝道中的載流子濃度，從而控製漏極電流。 本書還將深入分析MOSFET的各種關鍵參數，如跨導、輸齣電阻、閾值電壓的溫度漂移、柵極漏電流等。我們會詳細介紹MOSFET的等效電路模型，如小信號等效電路，用於分析MOSFET放大電路的設計。此外，我們還會探討MOSFET的開關特性，包括其開關速度、柵極電容效應以及驅動電路的設計考慮。本書還將簡要介紹MOSFET的製造工藝，包括MOS工藝中的關鍵步驟。 第五部分： 現代半導體器件與集成電路基礎 在掌握瞭PN結、BJT和FET等基本器件後，本書將進一步拓展到更廣泛的現代半導體器件及其在集成電路中的應用。我們將介紹CMOS（互補金屬氧化物半導體）技術，這是現代數字集成電路的主流技術，重點分析CMOS反相器、傳輸門等基本邏輯單元的工作原理和特性。 本書還將介紹存儲器器件，包括SRAM（靜態隨機存取存儲器）和DRAM（動態隨機存取存儲器）的基本存儲單元結構和工作原理，以及它們的讀寫時序。此外，我們還將探討光電器件，如太陽能電池（光伏器件）和光電探測器（光電二極管、光電晶體管），講解它們的光電轉換原理及其應用。 對於功率器件，本書將介紹一些重要的類型，如絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和功率MOSFET，並簡要分析其在高功率應用中的優勢和特點。此外，我們還將簡要涉及MEMS（微機電係統）器件中的半導體傳感器，以及新一代半導體材料和器件（如寬禁帶半導體GaN、SiC等）的研究進展及其應用前景。 第六部分： 半導體器件的製造工藝與可靠性 器件的性能很大程度上取決於其製造工藝。本書將提供對半導體器件製造流程的概覽。我們將介紹外延生長、光刻（光刻膠、曝光、顯影）、刻蝕（乾法刻蝕、濕法刻蝕）、摻雜（擴散、離子注入）、薄膜沉積（CVD、PVD）、金屬化等關鍵工藝步驟。讀者將瞭解這些工藝如何一步步構建齣復雜的半導體器件結構。 最後，本書還將觸及半導體器件的可靠性問題。我們將探討導緻器件失效的常見因素，如熱應力、電應力、輻射效應、封裝問題等，並簡要介紹提高器件可靠性的設計和製造策略。 總結： 《現代半導體器件物理與設計》力求為讀者提供一個全麵、深入且與時俱進的半導體電子學學習體驗。本書結構清晰，邏輯嚴謹，既有紮實的理論基礎，也兼顧瞭前沿器件的應用。通過對本書的學習，讀者將能夠深刻理解半導體器件的內在工作機製，為在半導體科技領域深入發展打下堅實的基礎。

評分☆☆☆☆☆

作為一名電子信息專業的學生，我一直在尋找一本能夠係統梳理固體電子學知識的書籍。這本書的齣現，無疑填補瞭我的這一需求。我特彆喜歡書中對於半導體器件模型的部分。比如，對於MOSFET的講解，作者不僅給齣瞭基本的I-V特性麯綫，還詳細闡述瞭溝道形成、載流子輸運以及閾值電壓等關鍵參數的物理意義。這讓我能夠不僅僅是記住公式，而是真正理解其背後的物理機製。書中對於雙極型晶體管（BJT）的講解也同樣深入，從基區輸運、發射區注入到集電區收集，作者層層遞進，清晰地解釋瞭晶體管的放大作用和開關特性。更讓我驚喜的是，書中還涉及瞭一些更高級的主題，如隧穿效應、量子阱以及一些納米器件的基礎知識，這為我後續的學習和研究打下瞭良好的基礎。我常常會在閱讀遇到瓶頸時，翻閱書中提供的參考文獻，這幫助我找到瞭更多的學習資源，也讓我對某些概念有瞭更全麵的認識。

評分☆☆☆☆☆

這本書的章節安排，從整體上看，是按照一個邏輯嚴密的順序展開的，這對於初學者來說非常有幫助。一開始對晶體結構和晶格振動的講解，雖然理論性較強，但作者巧妙地將其與材料的宏觀性質聯係起來，讓抽象的概念變得相對容易理解。我尤其贊賞在介紹能帶理論時，作者沒有迴避其復雜性，而是通過類比和圖示，逐步引導讀者理解電子在晶體中的行為。像“布裏淵區”、“態密度”這些概念，對於初學者來說確實是一個挑戰，但書中提供的例題和推導過程，雖然需要反復鑽研，但確實有助於加深理解。讓我印象深刻的是關於PN結的章節，作者從能帶圖的角度齣發，解釋瞭外加電壓如何影響耗盡區寬度和電場強度，進而解釋瞭整流和放大等現象。這種微觀解釋宏觀現象的方式，是我一直所追求的。在學習過程中，我嘗試著自己推導一些公式，雖然速度不快，但每一步的清晰邏輯都讓我受益匪淺。對於書中提供的習題，我也在認真完成，因為我知道，隻有通過實踐，纔能真正掌握這些知識。

評分☆☆☆☆☆

初次拿到這本《固體電子學導論（第2版）》，我內心是既期待又有些忐忑的。畢竟，“導論”二字總是暗示著內容的廣度，而“固體電子學”本身就是一個龐大而復雜的領域。翻開目錄，看到從晶體結構、能帶理論到PN結、晶體管等一應俱全，心裏有瞭底，至少它覆蓋瞭基礎的知識框架。我尤其關注的是關於半導體材料的介紹，希望能從中瞭解不同材料的特性、製備工藝以及它們在現代電子器件中的應用。比如，在介紹矽和鍺時，我希望作者能深入剖析它們的能帶結構如何決定瞭它們的導電性能，以及為何在許多應用中，矽成為瞭無可爭議的主流。同時，對於一些新興的半導體材料，如化閤物半導體（GaAs, GaN等）的介紹，我希望能有更詳細的闡述，包括它們的優缺點、特殊的物理性質以及在光電子、高頻電子等領域的獨特作用。此外，書中關於缺陷與摻雜的章節，也是我非常感興趣的部分。我期待作者能用清晰的語言解釋晶體缺陷如何影響載流子濃度和遷移率，以及摻雜技術是如何精確控製半導體材料導電類型的關鍵。這種對微觀世界的深入探究，是理解宏觀器件行為的基礎，也是我希望從這本書中獲得的寶貴知識。

評分☆☆☆☆☆

我一直認為，一本好的教材不應該僅僅是知識的堆砌，更應該能夠激發讀者的學習興趣，並培養獨立思考的能力。這本書在這一點上做得相當不錯。例如，在講解半導體器件的可靠性問題時，作者並沒有簡單地列舉一些失效模式，而是從材料特性、工藝製程以及工作環境等多個維度進行瞭分析，並提齣瞭相應的預防措施。這讓我意識到，在實際工程應用中，器件的可靠性是至關重要的一個環節。另外，書中還穿插瞭一些曆史發展和前沿技術的介紹，比如第一代、第二代、第三代半導體的演進，以及未來可能的發展方嚮，這些內容不僅開闊瞭我的視野，也讓我對固體電子學的發展曆程有瞭更深刻的理解。我尤其喜歡作者在講解復雜概念時，會引用一些實際的工程案例，這讓我能夠將書本知識與實際應用聯係起來，從而更好地理解理論的價值。

評分☆☆☆☆☆

讀完這本書，我對固體電子學有瞭更係統、更深入的認識。尤其是關於半導體異質結和多層結構的內容，讓我對現代集成電路的設計原理有瞭更清晰的認識。書中對PN結和PNPn結構（如SCR）的講解，不僅僅停留在原理層麵，還深入分析瞭它們在各種電子設備中的應用，比如整流器、開關器件等等，讓我能夠將理論知識與實際産品聯係起來。我還對書中關於半導體器件結電容的分析印象深刻，理解瞭結電容如何影響器件的開關速度，以及在高速電路設計中需要考慮的因素。書中關於半導體器件的噪聲分析，雖然略顯理論化，但其清晰的推導過程和對噪聲源的細緻分析，讓我認識到在設計低噪聲電路時需要注意的問題。我還會不時地翻閱這本書，尤其是那些我暫時還未完全掌握的章節，因為它始終是我學習路上的重要參考。