發表於2024-09-11
基本信息
書名:超大規模集成電路——基礎 設計 製造工藝
原價:42.00元
作者:(日)電子信息通信學會 組編,岩田 穆,角南英夫,彭軍
齣版社:科學齣版社
齣版日期:2008-01-01
ISBN:9787030202789
字數:373000
頁碼:309
版次:1
裝幀:平裝
開本:16開
商品重量:0.422kg
編輯推薦
內容提要
本書共分為上下兩篇,上篇為基礎設計篇,主要介紹VLSI的特徵及作用、VLSI的設計、邏輯電路、邏輯VLSI、半導體存儲器、模擬VLSI、VLSI的設計法與構成法、VLSI的實驗等;下篇為製造工藝篇,主要介紹集成工藝、平闆印刷、刻蝕、氧化、不純物導入、絕緣膜堆積、電極與配綫等。
本書內容豐富,條理清晰,實用性強,既可供超大規模集成電路研發和設計人員及半導體生産單位管理人員使用,也可作為各院校集成電路相關專業的本科生、研究生及教師的參考書。
目錄
上篇 基礎與設計
第1章 VLSl的特徵及任務
1.1 VLSl的概念與基本技術
1.1.1 VLSl的基本技術與發明
1.1.2 學科體係
1.2 VLSl的種類
1.2.1 按功能分類
1.2.2 按器件分類
1.3 半導體技術路綫圖
1.4 對係統的影響
1.4.1 計算機係統
1.4.2 通信網絡係統
1.4.3 數字傢電係統
第2章 VLSl的器件
2.1 VLSl的構成要素
2.2 MOS晶體管
2.2.1 MOS的基本構造
2.2.2 MOS的工作原理與工作區域
2.2.3 MOS的電流電壓特性
2.2.4 MOS的器件模型
2.2.5 MOS的等效電路模型
2.3 二極管
2.4 電阻
2.5 電容
2.6 電感
2.7 器件隔離
2.8 布綫
2.8.1 多層布綫
2.8.2 布綫電容
2.9 VLSl技術的比例縮小法則
第3章 邏輯電路
3.1 CMOS邏輯電路
3.1.1 倒相器
3.1.2 NAND門
3.1.3 NOR門
3.1.4 傳輸門
3.1.5 選擇器
3.1.6 異或門
3.1.7 CMOS復閤門
3.1.8 時鍾CMOS邏輯電路
3.1.9 動態CMOS邏輯電路
3.1.10 電流型邏輯電路
3.2 CMOS邏輯電路的工作速度
3.2.1 門延遲時間
3.2.2 布綫的延遲時間
3.3 CMOS邏輯電路的功率消耗
3.3.1 CMOS邏輯電路消耗功率的因素
3.3.2 CMOS-VLSl的功率消耗
3.4 控製電路
3.4.1 寄存器
3.4.2 同步係統
3.4.3 計數器
第4章 邏輯VLSl
4.1 數字運算電路
4.1.1 加法運算
4.1.2 減法電路
4.1.3 乘法運算
4.2 時鍾的發生與分配
……
第5章 半導體存儲器
第6章 模擬VLSI
第7章 無綫通信電路
第8章 VLSI的設計方法及構成方法
第9章 VLSI的測試
下篇 製造工藝
第10章 LSI的製造工藝及其課題
第11章 集成化工藝
第12章 平版印刷術
第13章 腐蝕
第14章 氧化
第15章 摻雜
第16章 澱積絕緣膜
第17章 電極和布綫
第18章 後工序——封裝
引用參考文獻
作者介紹
文摘
序言
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