电子元器件应用技术手册（微电子器件分册） pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

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出版社： 中国标准出版社

ISBN：9787506657518

版次：1

商品编码：10623626

包装：平装

开本：16开

出版时间：2010-04-01

用纸：胶版纸

页数：309

字数：482000

正文语种：中文

内容简介

《电子元器件应用技术手册（微电子器件分册）》收集了主要常用电子元器件的有关标准、选用原则、检验、测试、筛选等应用知识，并收集了部分常用的、有特殊性能的元器件的型号、规格及主要电性能参数，供读者选用时参考，其目的就是为广大科技人员、电路设计师、可靠性工程师、电子物资人员及检验人员提供一套比较完整实用的电子元器件应用技术资料。

目录

第1章 微电子器件的分类与命名方法
1.1 微电子器件的分类
1.2 微电子器件的命名方法
1.2.1 国产微电子器件的型号命名方法
1.2.2 主要国家和地区半导体分立器件命名方法

第2章 微电子器件的主要电性能参数及检测
2.1 主要电性能参数
2.1.1 半导体分立器件
2.1.2 集成电路
2.2 微电子器件的检测
2.2.1 微电子器件的检验规则
2.2.2 半导体分立器件的测试
2.2.3 集成电路的测试
2.3 微电子器件测试仪器
2.3.1 分立器件的测试仪器——STS 8103A半导体分立器件测试系统
2.3.2 集成电路的测试仪器

第3章 微电子器件的二次筛选
3.1 电子元器件筛选的目的与要求
3.2 确定元器件筛选程序的依据
3.3 筛选程序
3.4 筛选试验项目
3.4.1 高温存贮试验筛选（稳定性烘焙）
3.4.2 电老炼筛选
3.4.3 温度循环试验筛选
3.4.4 密封检漏筛选
3.4.5 晶体管热敏参数快速筛选试验
3.4.6 粒子碰撞噪声检测试验筛选（PIND试验）
3.5 筛选试验的利弊分析
3.5.1 筛选付出的代价
3.5.2 元器件二次筛选的局限性和风险性
3.5.3 对主要筛选试验项目的分析
3.6 筛选程序规范及举例
3.6.1 对军用半导体分立器件的筛选试验要求
3.6.2 对军用集成电路的筛选试验要求
3.6.3 筛选程序举例
3.7 筛选试验设备
3.7.1 SPZH-T高温分立器件综合老炼检测系统
3.7.2 SPJT-G大功率晶体管老炼筛选系统
3.7.3 SPDC-T DC／DC电源高温老炼检测系统

第4章 电子元器件的选择与控制
4.1 微电子器件的质量等级
4.2 电子元器件的失效率等级
4.3 “七专”元器件
4.4 元器件的选择规则
4.5 电子元器件的质量控制
4.5.1 制定元器件可靠性保障大纲
4.5.2 对电子物资部门的要求
4.5.3 研制整机电子元器件的质量控制

第5章 微电子器件的可靠性应用
5.1 电浪涌对器件造成的损伤与防范
5.1.1 接通电容性负载时产生的浪涌电流
5.1.2 断开电感性负载时产生的浪涌电压
5.1.3 驱动白炽灯时产生的浪涌电流
5.1.4 数字集成电路开关工作时产生的电流浪涌
5.1.5 直流稳压电源引起的浪涌
5.1.6 接地不当导致器件损坏
5.1.7 TTL电路防浪涌干扰的应用
5.2 噪声对微电子器件的影响
5.2.1 对接地不良引起噪声的防范
5.2.2 对静电耦合和电磁耦合产生噪声的防范
5.2.3 对反射引起噪声的防范
5.3 温度对微电子器件的影响
5.4 机械过应力对器件的损伤
5.4.1 引线的形成与切断
5.4.2 在印制板上安装器件
5.4.3 焊接
5.4.4 器件在整机系统中的布局设计
5.4.5 运输
5.5 微电子器件的降额使用
5.5.1 微电子器件最大额定值的概念
5.5.2 合理降额
5.5.3 在降额使用时应注意的问题
5.6 微电子器件的抗辐射应用
5.6.1 抗辐射加固在电子整机系统的器件选择
5.6.2 电子整机系统中的抗辐射措施
5.7 常用集成电路应遵守的一般规则
5.8 集成稳压器的应用与安全保护
5.8.1 集成稳压器的保护电路
5.8.2 使用中的安全保护

第6章 失效分析
6.1 失效分析所具备的基本条件
6.1.1 专业分析人员
6.1.2 分析设备及相关测试仪器
6.1.3 失效分析环境条件要求
6.2 微电子器件失效分析的一般程序
6.2.1 开封前
6.2.2 开封后
6.3 微电子器件失效模式与失效机理分析
6.3.1 微电子器件的制造工艺概述
6.3.2 工艺缺陷技术术语简介
6.3.3 失效模式与失效机理
6.4 失效机理分析
6.4.1 表面失效机理分析
6.4.2 体内失效机理分析
6.4.3 电极系统及封装的失效机理分析
6.5 利用测试特性曲线进行分析
6.5.1 PN结特性曲线
6.5.2 晶体管异常输出特性曲线
6.5.3 测试IC管脚电特性分析失效原因

第7章 静电对微电子器件的危害与防范
7.1 静电的危害
7.1.1 静电效应
7.1.2 静电的危害
7.1.3 静电对电子产品的损害形式
7.2 静电敏感器件（SSD）的分级
7.2.1 静电放电敏感度的分类
7.2.2 人体带电模型
7.3 静电的防护
7.3.1 建立安全工作区
7.3.2 静电接地技术及其应用
7.3.3 静电防护的基本要求
7.3.4 静电的防护措施
7.4 防静电保护
7.4.1 防静电保护元件
7.4.2 防静电器材

第8章 半导体二极管
8.1 整流二极管
8.1.1 1N系列整流二极管
8.1.2 2DP系列整流二极管
8.1.3 快速恢复整流二极管
8.2 稳压二极管
8.2.1 2CW37系列稳压二极管
8.2.2 2CW系列稳压二极管
8.2.3 1N系列玻封硅稳压二极管
8.3 开关二极管
8.3.1 2CK系列硅开关二极管
8.3.2 1N系列开关二极管
8.4 微波二极管
8.4.1 简介
8.4.2 点接触二极管主要特性参数
8.4.3 肖特基势垒二极管
8.4.4 PIN二极管
8.4.5 体效应二极管
8.4.6 变容二极管
8.5 点接触二极管

第9章 半导体三极管
9.1 半导体三极管的结构
9.2 半导体三极管的分类
9.3 半导体三极管的工作原理
9.4 半导体三极管的特性曲线
9.5 中小功率三极管
9.6 开关三极管
9.7 高反压三极管
9.8 大功率三极管
9.9 低噪声三极管
9.10 双三极管
9.11 达林顿晶体管

第10章 集成电路
10.1 数字集成电路
10.1.1 CMOS电路主要性能参数
10.1.2 数字集成电路外引线排列图
10.2 模拟集成电路
10.2.1 常用集成运算放大器主要性能参数
10.2.2 集成运算放大器的封装形式及引脚排列
10.2.3 运算放大器基本应用电路
参考文献

前言/序言

智能时代的技术基石：集成电路的奥秘与应用 在这个日新月异的科技浪潮中，集成电路（Integrated Circuit，IC）无疑扮演着核心驱动的角色。它们是现代电子设备的“大脑”和“神经系统”，从智能手机、高性能电脑，到无人驾驶汽车、航空航天设备，乃至日常生活中的各种智能家电，都离不开集成电路的支撑。本书旨在深入剖析集成电路这一微电子器件的内在世界，揭示其从设计、制造到应用的完整链条，为读者呈现一个全面、详实的知识图景。 第一章：集成电路的起源与发展脉络 在介绍集成电路的具体技术之前，我们有必要回顾其波澜壮阔的发展历程。集成电路的诞生并非偶然，它是人类对电子器件小型化、集成化不懈追求的必然结果。本章将追溯电子管时代到晶体管时代，再到集成电路时代的伟大飞跃。我们将探讨两位诺贝尔奖得主——杰克·基尔比（Jack Kilby）和罗伯特·诺伊斯（Robert Noyce）在发明集成电路过程中的关键贡献，以及早期集成电路在军事、科研等领域的应用，勾勒出集成电路技术从萌芽到蓬勃发展的历史轨迹。我们将了解摩尔定律（Moore's Law）的提出及其对集成电路产业发展的深远影响，以及随着技术进步，集成电路从最初的“小规模集成”（SSI）发展到“大规模集成”（LSI）和“超大规模集成”（VLSI）的演进过程，为理解后续章节的技术细节奠定坚实的时代背景。 第二章：集成电路的物理基础：半导体材料与器件原理 集成电路的本质建立在半导体材料的独特电学性质之上。本章将深入浅出地介绍构成集成电路的核心——半导体材料，重点聚焦于硅（Si）和砷化镓（GaAs）等关键材料。我们将详细阐述半导体的晶体结构、载流子（电子和空穴）的产生与运动机制，以及掺杂（doping）技术如何改变半导体的导电特性，从而实现对电流的精确控制。 在此基础上，我们将重点剖析构成集成电路最基本单元——晶体管（transistor）的工作原理。我们将详细介绍双极结型晶体管（BJT）和金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）这两种主流晶体管类型。对于MOSFET，我们将重点讲解其结构（如NMOS和PMOS），工作模式（如增强型和耗尽型），以及栅极电压如何控制漏极电流的开关和放大功能。我们将通过清晰的图示和深入的理论分析，帮助读者理解这些微观器件如何实现逻辑运算和信号处理的基础。同时，本章也将触及其他重要的半导体器件，如二极管（diode）及其正反偏特性，为理解更复杂的集成电路打下基础。 第三章：集成电路的设计流程与方法 集成电路的设计是一个高度复杂且系统化的工程，涉及到从概念构思到最终物理版图的每一个环节。本章将详细介绍集成电路（特别是数字集成电路）的设计流程，包括： 系统级设计（System-Level Design）： 明确芯片的功能需求，进行架构设计和模块划分。 寄存器传输级（RTL）设计： 使用硬件描述语言（HDL），如Verilog或VHDL，描述芯片的逻辑功能。我们将介绍HDL的基本语法和设计范式，以及如何通过HDL代码实现组合逻辑和时序逻辑。 逻辑综合（Logic Synthesis）： 将RTL代码转化为门级网表，即一系列基本的逻辑门（AND, OR, NOT, XOR等）。我们将介绍逻辑综合的原理，以及如何优化电路的性能、面积和功耗。 物理设计（Physical Design）： 布局（Placement）： 将门级网表中的逻辑门分配到芯片的物理区域。 布线（Routing）： 连接各个逻辑门之间的导线，形成完整的电路连接。 时钟树综合（Clock Tree Synthesis）： 确保时钟信号在芯片内部的稳定和同步。 版图（Layout）： 将逻辑电路转化为可制造的物理版图，定义器件和互连线的几何形状和尺寸。 验证（Verification）： 通过仿真和形式化验证等手段，确保设计的正确性和功能符合预期。我们将讨论功能验证、时序验证、功耗验证等不同类型的验证工作。 本章还将介绍集成电路设计中常用的EDA（Electronic Design Automation）工具，以及它们在各个设计阶段扮演的关键角色。 第四章：集成电路制造工艺揭秘 从精密的逻辑设计到最终的芯片实体，集成电路的制造过程是现代工业的奇迹之一。本章将深入探讨集成电路的制造工艺，揭示这个微观世界的“炼金术”。我们将从硅晶圆的制备开始，详细介绍以下关键工艺步骤： 光刻（Photolithography）： 将设计好的电路图形转移到硅片表面的过程。我们将介绍光刻机的原理、掩膜（mask）的作用，以及不同类型光刻技术（如深紫外光刻DUV、极紫外光刻EUV）的演进。 刻蚀（Etching）： 根据光刻图形，选择性地去除硅片上不需要的材料。我们将介绍干法刻蚀（如等离子体刻蚀）和湿法刻蚀的区别与应用。 薄膜沉积（Thin-Film Deposition）： 在硅片表面形成各种功能层，如氧化层（SiO2）、氮化层（SiN）、金属层等。我们将介绍化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）等主流沉积技术。 掺杂（Doping）： 通过离子注入（Ion Implantation）或扩散（Diffusion）等方式，将特定杂质原子引入半导体材料，改变其导电性能。 互连（Interconnect）： 在不同器件之间形成导电通路，通常采用铜（Cu）或铝（Al）等金属。我们将介绍多层金属互连技术。 封装（Packaging）： 将制造完成的芯片与外部连接，并提供保护。我们将介绍引线键合（Wire Bonding）、倒装芯片（Flip-Chip）等封装技术，以及芯片封装形式（如QFP, BGA）。 本章将强调制造工艺的精确性、洁净度要求，以及不同工艺节点（如7nm, 5nm）对性能和功耗的影响。 第五章：集成电路的主要类型与应用领域 集成电路的种类繁多，针对不同的应用需求，形成了丰富多样的产品线。本章将对几种主要的集成电路类型及其广泛应用进行详细介绍： 微处理器（Microprocessors，MPU）： 芯片的“大脑”，执行通用计算任务，广泛应用于个人电脑、服务器、智能手机等。我们将介绍x86、ARM等主流架构。 微控制器（Microcontrollers，MCU）： 集成了CPU、存储器和I/O接口，体积小、功耗低，适用于嵌入式系统，如家电、汽车电子、工业控制等。 存储器（Memory）： 用于存储数据和程序，主要包括： 随机存取存储器（RAM）： 动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM）。 只读存储器（ROM）： 闪存（Flash Memory）、EEPROM等。 我们将阐述它们的工作原理、读写速度、存储容量及主要应用场景。 专用集成电路（Application-Specific Integrated Circuits，ASIC）： 为特定应用而设计的集成电路，性能优越，功耗低，但开发成本高。例如，用于图形处理的GPU（Graphics Processing Unit），用于人工智能计算的NPU（Neural Processing Unit）。 可编程逻辑器件（Programmable Logic Devices，PLD）： 现场可编程门阵列（FPGA）： 可以在使用后被编程配置其内部逻辑，具有灵活性高的特点。 复杂可编程逻辑器件（CPLD）： 结构相对简单，适用于逻辑控制等领域。 模拟集成电路（Analog ICs）： 处理连续变化的模拟信号，如运算放大器（Op-Amp）、数据转换器（ADC/DAC）、电源管理IC（PMIC）等，广泛应用于通信、音频、视频处理等领域。 混合信号集成电路（Mixed-Signal ICs）： 结合了数字和模拟电路的功能，例如射频（RF）前端模块。 本章将通过大量实例，生动展现集成电路在各个领域的应用，从微观的电子器件到宏观的科技进步，都离不开这些微小而强大的芯片。 第六章：集成电路的挑战与未来趋势 尽管集成电路技术取得了举世瞩目的成就，但其发展并非一帆风顺。本章将探讨集成电路领域面临的主要挑战，以及未来的发展趋势： 制程工艺的极限： 随着晶体管尺寸不断缩小，量子隧穿效应、功耗和发热等问题日益突出，推动着新材料、新结构（如3D FinFET、GAAFET）和新制造技术的探索。 功耗与散热： 尤其是在移动设备和高性能计算领域，如何降低功耗、提高能效比是关键挑战。 设计复杂性与验证成本： 芯片功能越来越强大，设计复杂度呈指数级增长，设计和验证的难度与成本也随之增加。 新材料与新器件： 探索超越硅的材料（如碳纳米管、二维材料），以及新型器件（如忆阻器、量子计算单元）的可能性。 异构计算与先进封装： 将不同功能的芯片（CPU, GPU, NPU, AI加速器等）集成到同一个封装中（Chiplets），以实现更高的性能和集成度。 人工智能与机器学习在设计中的应用： 利用AI技术加速芯片设计、验证和优化过程。 量子计算与后摩尔时代： 探索颠覆性计算范式，为解决当前经典计算无法解决的问题提供可能。 本书的最后，将展望集成电路技术在推动人工智能、物联网、5G通信、自动驾驶、生物医疗等前沿科技领域中的关键作用，以及它们如何深刻地改变我们的生活和社会。 通过对本书内容的系统学习，读者将能够深刻理解集成电路这一现代科技的基石，掌握其工作原理、设计制造过程以及广泛的应用前景，为在瞬息万变的科技世界中把握机遇、迎接挑战奠定坚实的基础。

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我拿到《电子元器件应用技术手册（微电子器件分册）》的时候，本以为会是一本枯燥的教科书，但没想到它带来了很多惊喜。最吸引我的是书中对不同微电子器件的“故事”和“应用场景”的描绘。它不只是告诉你“这是什么”，更会告诉你“它为什么是这样工作的，以及在什么地方它能大显身手”。我是一个喜欢DIY电子项目的人，经常会遇到“想实现某个功能，但不知道用什么器件合适”的困境。而这本书恰恰解决了我的痛点。它通过大量的实例，展示了各种微电子器件如何被巧妙地应用在不同的电路中，从而实现各种神奇的功能。例如，书中关于如何选择合适的LED驱动芯片来控制LED的亮度变化，以及如何利用光敏电阻和晶体管搭建一个简单的光控开关，这些都给了我很多启发。更让我惊喜的是，书中还讲解了一些高级的微电子器件，比如各种类型的传感器、微控制器外围电路的接口设计等，虽然我目前还没有用到那么复杂的设计，但了解这些知识，让我感觉自己的技术视野更加开阔了。这本书就像一个经验丰富的朋友，在电子世界的探索之路上，给我指引方向，提供灵感。

评分☆☆☆☆☆

最近我花了点时间研究了一下《电子元器件应用技术手册（微电子器件分册）》，不得不说，这是一本非常有价值的参考资料。这本书的优点在于它的系统性和实用性。对于我们这些需要经常和各种电子元器件打交道的工程师来说，一本可靠的技术手册是必不可少的。这本书对微电子器件的分类非常清晰，从基础的半导体器件到复杂的集成电路，都进行了详细的介绍。我尤其看重的是书中提供的那些具体的应用电路示例，这些示例不仅仅是理论上的讲解，而是结合了实际的工程经验，给出了很多可参考的设计方案。比如说，在一些精密测量仪器中，对信号的放大和滤波要求非常高，书中就详细介绍了如何选择和使用差分放大器、运算放大器以及各种滤波器电路，并且给出了具体的元器件型号和电路参数。这大大节省了我查阅大量资料和进行反复试验的时间。另外，书中对一些新型微电子器件的应用趋势也做了简要的介绍，这对于我们了解行业发展动向、提前规划技术路线非常有帮助。总的来说，这本书的知识密度很高，内容也足够深入，是一本值得反复研读的工具书。

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这本书，我真是爱不释手！我是一名电子工程专业的学生，平时接触到的电子元器件种类繁多，有时候会觉得有些概念模糊，或者在实际应用中遇到瓶颈。这本《电子元器件应用技术手册（微电子器件分册）》简直就是我的救星！我最喜欢的是它对各种微电子器件的讲解，从最基础的二极管、三极管，到复杂的集成电路，都剖析得淋漓尽致。书中不仅介绍了器件的原理、特性，更重要的是，它提供了大量的实际应用案例和电路设计指导。比如，我最近在做一个基于单片机的项目，需要用到一些特定的传感器和驱动芯片，手册里详细地解释了这些芯片的工作原理，并给出了推荐的电路连接方式和参数设置，让我的设计过程少走了很多弯路。而且，书中的插图和图表都非常清晰，将复杂的电路结构和信号波形直观地展示出来，即使是我这样刚入门的学生，也能轻松理解。有时候，我还会翻阅手册中关于器件选型和故障排除的部分，这些实用的信息对于我完成实验报告和课程设计非常有帮助。总而言之，这是一本集理论与实践于一体的优秀教材，强烈推荐给所有从事或学习电子技术的朋友们！

评分☆☆☆☆☆

在我的工作领域，准确理解和应用各种微电子器件至关重要。《电子元器件应用技术手册（微电子器件分册）》这本书，为我提供了一个非常宝贵的资源。这本书的严谨性体现在它对每个器件的讲解都非常到位，从物理特性到电气参数，再到应用时的注意事项，都描述得十分细致。我特别欣赏书中在讲解一些复杂集成电路时，能够给出清晰的框图和详细的引脚说明，这对于快速掌握器件的功能和接口协议非常有帮助。书中还包含了一些关于器件可靠性、寿命以及在恶劣环境下如何选型和使用的建议，这些信息在实际工程项目中是不可或缺的。我曾遇到过一个项目，需要在高温环境下工作，当时查阅了手册中关于耐高温元器件的选型章节，找到了合适的解决方案，成功避免了潜在的故障。此外，这本书的编排也非常合理，目录清晰，索引详细，查找信息非常方便，极大地提高了我的工作效率。对于任何需要深入了解微电子器件并在实际应用中做出明智选择的工程师和技术人员来说，这本书绝对是一本值得拥有的案头必备。

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作为一名经验尚浅的电子爱好者，我一直在寻找一本能够系统性梳理各种电子元器件，特别是那些越来越小的微电子器件的书籍。市面上很多书籍要么过于理论化，要么过于偏重某一类器件，很难满足我想要“一站式”解决所有疑问的需求。然而，《电子元器件应用技术手册（微电子器件分册）》却给我带来了惊喜。它不是一本简单的器件规格书的集合，而是一本真正意义上的“技术手册”。书中不仅仅是列举器件的参数，而是深入浅出地讲解了不同类型微电子器件的核心工作原理，并侧重于它们在实际电路中的应用。我特别欣赏书中关于如何根据具体应用场景选择合适元器件的章节，例如，在处理高频信号时，如何权衡不同电容的ESR特性；在设计低功耗电路时，如何选择合适的低功耗运放。书中还包含了一些非常实用的设计技巧和注意事项，这对于避免常见的电路设计陷阱非常有价值。我尤其喜欢书中对一些“冷门”但非常有用的微电子器件的介绍，这拓宽了我的视野，让我意识到电子世界远比我想象的更加广阔和精妙。这本书确实是我电子学习路上的良师益友。