內容簡介
《核電子學實驗》是為瞭適應我國核電與核技術應用迅猛發展的良好勢頭,結閤四川大學多年核電子學實驗課程教學經驗而編寫的新核電子學實驗教材。
《核電子學實驗》共12個實驗,前9個實驗為基礎實驗,後3個實驗為開放實驗,附錄部分總結瞭實驗中容易遇到的問題、實驗中需要用到的課外知識以及實驗所用到電路的完整電路原理圖。
《核電子學實驗》可作為高等院校核專業本科生的核電子學實驗教材,也可作為核專業研究院校核電子學人纔培養的參考書。
內頁插圖
目錄
前言
實驗零 任意信號發生器與示波器的使用
實驗一 電荷靈敏前置放大器
實驗二 主放大器
實驗三 單道脈衝幅度分析器
實驗四 堆積判棄電路
實驗五 多道脈衝幅度分析器
實驗六 時間檢齣(前沿/過零)
實驗七 符閤反符閤實驗
實驗八 定標器實驗
實驗九 符閤測量係統設計實驗
實驗十 時間測量係統設計實驗
實驗十一 能譜測量係統設計實驗
參考文獻
附錄一 測試信號
附錄二 信號發生器和示波器使用中常見問題
附錄三 非綫性及其測量
附錄四 耦閤
附錄五 單穩態觸發器
附錄六 D觸發器
附錄七 TDC-GP2芯片簡介
附錄八 SR鎖存器
附錄九 電荷靈敏度
附錄十 前置放大器實驗模塊原理圖
附錄十一 主放大器實驗模塊原理圖
附錄十二 單道實驗模塊原理圖
附錄十三 多道實驗模塊原理圖
附錄十四 過零定時實驗模塊原理圖
附錄十五 時數轉換實驗模塊原理圖
附錄十六 定標器實驗模塊原理圖
附錄十七 符閤反符閤實驗模塊原理圖
附錄十八 堆積判棄實驗模塊原理圖
附錄十九 數據傳輸實驗模塊原理圖
附錄二十 常用符號中英文對照錶
前言/序言
自從人類開始發展和利用核科技以來,核科學與技術就與國傢安全息息相關,隨著民用核技術的興起,核技術逐漸發展成為一個重要的高新技術領域,在工農業生産、醫療、公共安全、檢驗檢疫、大科學工程等方麵得到瞭極為廣泛的應用。
我國的核事業從零起步,在中蘇論戰及冷戰時期取得瞭輝煌的成就,成功研製瞭原子彈、氫彈和核潛艇,建立瞭完整的核工業體係。在經曆瞭改革開放初期和冷戰結束後短暫的低榖期後,隨著國傢在能源、國防、環境、醫療衛生以及基礎科學研究等方麵的大力投入,我國的核事業迅速迎來瞭第二次大力發展時期。
核事業的迅速發展對核專業人纔的培養規模和質量提齣瞭新的需求,國內高校紛紛復建或擴建核專業。據教育部高等學校核工程類教學指導委員會統計,目前我國大陸地區開設有核專業的高校已有46傢,加上軍隊院校,總數已經超過50傢。
作為工程類專業,實驗教學是不可或缺的關鍵環節。尤其是“互聯網+教育”的模式下慕課的興起,更是突齣瞭實驗教學在高校教育功能中的重要地位,令人遺憾的是,目前國內普遍缺乏適用於核專業教育新形勢下的實驗教材及實驗儀器,四川大學作為國傢最早開設核專業的高校之一,近60年來一直重視實驗課程建設工作,積纍瞭較為豐富的實驗課程建設及實驗教學經驗,針對國內核專業大力發展的需求,在學校和各兄弟院校的支持下,以核電子學實驗為突破口,潛心開發瞭專門用於教學實驗的儀器設備,編寫瞭相關實驗教材。經過4年多在四川大學及其他兄弟高校的試用,取得瞭不錯的效果,因此,我們經過努力促成瞭這一教材的正式齣版,希望能夠惠及高校。
本書的內容主要分為三個部分:基礎實驗、綜閤實驗和附錄。其中基礎實驗包含瞭九個章節的實驗內容,實驗零為準備實驗,主要讓學生復習如何使用任意信號發生器和示波器;實驗一到實驗八分彆對應核電子學電路的八個主要功能單元,訓練學生掌握最基本的核電子學電路單元,綜閤實驗包含三個章節的實驗內容(符閤測量係統搭建實驗,時間測量係統搭建實驗和能譜測量係統搭建實驗),分彆對應核電子學中三種常用的測量係統,培養學生站在係統的高度來認識核電子學的能力,附錄包含實驗用到的測試信號介紹,任意信號發生器和示波器使用中常見問題列錶,摘錄的參考知識點,以及所有實驗模塊的完整電路原理圖。
本書在編寫時主要有以下幾點創新:①設計瞭實驗準備內容,讓學生在充分準備的前提下纔能開展動手實驗,提高學生的實驗成效;②實驗內容的前兩題為測試信號和電路初始化,限定瞭學生實驗中所使用的測試信號,通過電路初始化,可以讓學生實驗的起點相同,同時可以判斷實驗設備是否處於正常的工作狀態,避免因為儀器設備的問題耽誤實驗時間;③實驗內容中設計瞭選做實驗題目,為有興趣的同學提供瞭鍛煉機會;④附錄中設計瞭任意信號發生器和示波器使用中的常見問題,讓學生在遇到問題時可以參考附錄自主解決問題,同時可以節約老師的時間;⑤設計瞭統一的實驗準備報告模闆,原始數據記錄單模闆和實驗報告模闆,可以方便學生完成實驗報告,並且可以統一報告格式,方便老師評閱,總而言之,本書在編寫時總結瞭四川大學核電子學實驗室多年教學的經驗,這些經驗很好地解決瞭目前各大高校普遍存在的學生多、老師少的問題;同時也很好地解決瞭新開設核電子學實驗課程的高校師資和教學經驗都相對較為缺乏的問題。
四川大學核工程與核技術實驗室在本教材編寫和試用期間,得到瞭第二炮兵工程大學、清華大學、吉林大學、西南大學、重慶大學、國防科技大學等兄弟高校寶貴的反饋意見,在此嚮他們深錶謝意。
教育部高等學校核工程類教學指導委員會對本教材的齣版和四川大學核專業實驗教學給予瞭大力的關注和支持,在此嚮核專業教指委錶示感謝。
本教材內容的編排和修訂得到瞭四川大學核專業研究生和本科生張京隆、楊光、張馳、劉寅宇、王玉東、董春輝、劉怡文、鬍兵、陳豐、姚玉華、熊浩、張湘、楊鋒、周健欣、何勁風、吳科偉、張樂瑞、劉寶坤、王柏樺、李俊龍等同學的大力參與,一並嚮他們錶示感謝。
由於時間和水平有限,本書不妥之處在所難免,歡迎讀者隨時批評指正。
好的,這是一份詳細的、不包含《核電子學實驗》內容的圖書簡介,旨在介紹另一本內容豐富的科技書籍。 --- 書名:《現代半導體器件物理與應用》 作者: 李明 教授, 張偉 博士 齣版社: 科學技術齣版社 頁數: 約 850 頁 定價: 185.00 元 ISBN: 978-7-5045-8876-1 --- 內容概要 《現代半導體器件物理與應用》是一本全麵而深入探討半導體物理學基礎、關鍵器件工作原理、先進製造工藝以及未來發展趨勢的權威著作。本書旨在為電子工程、微電子學、材料科學以及物理學等相關專業的學生、研究人員和工程師提供一個堅實的理論框架和豐富的實踐指導。 本書的結構設計精巧,從基礎的能帶理論和載流子輸運機製入手,逐步深入到各類核心半導體器件的物理機製和工程實現。全書內容涵蓋瞭從傳統晶體管到前沿納米器件的廣泛領域,文字錶述嚴謹精確,圖錶分析直觀易懂,力求在理論深度與工程實用性之間找到最佳平衡。 核心章節與內容詳解 第一部分:半導體基礎理論與材料 本部分奠定瞭理解所有半導體器件的基礎。 第 1 章:晶體結構與能帶理論 深入剖析瞭半導體材料的晶體結構(如矽和鍺的晶格常數、布拉維格點等),詳細闡述瞭周期性勢場下電子的能帶結構形成原理。內容包括布洛赫定理、有效質量的概念、直接帶隙與間接帶隙的物理意義,以及材料的能帶工程基礎。 第 2 章:載流子輸運機製 聚焦於半導體內部電荷的運動規律。詳細討論瞭漂移運動(由電場引起)和擴散運動(由濃度梯度引起)。重點講解瞭費米能級理論在不同摻雜條件下的應用,以及霍爾效應在測量載流子濃度和遷移率中的關鍵作用。還包括瞭載流子的壽命、復閤機製(如俄歇復閤、輻射復閤)的定量分析。 第 3 章:半導體薄膜與異質結 本章探討瞭現代集成電路製造中不可或缺的薄膜技術。涵蓋瞭分子束外延(MBE)、化學氣相沉積(CVD)等先進薄膜生長方法。重點分析瞭異質結的能帶對齊(如肖特基-米勒勢壘)及其在構建高性能器件中的重要性。 第二部分:經典半導體器件 本部分詳細解析瞭構築現代電子係統的基本單元——晶體管和二極管。 第 4 章:PN 結二極管 這是半導體器件的基石。詳細推導瞭PN結的電勢分布、內建電場和空間電荷區。深入分析瞭二極管的伏安特性麯綫,包括正嚮偏置下的理想與非理想導電機製(如陷阱輔助隧穿),以及反嚮擊穿現象(雪崩與齊納效應)。 第 5 章:雙極型晶體管 (BJT) 全麵介紹瞭BJT的工作原理,包括基極、集電極和發射極的摻雜設計對性能的影響。詳細闡述瞭不同工作區(截止、放大、飽和)下的電流傳輸機製,並引入瞭混閤$pi$模型和Ebers-Moll模型,用於電路仿真和分析。特彆關注瞭高頻性能和熱效應。 第 6 章:金屬-氧化物-半導體場效應晶體管 (MOSFET) MOSFET是當前集成電路的主流器件。本章從MOS結構(場氧化層、柵氧化層)的電學特性入手,推導瞭閾值電壓、跨導等關鍵參數。深入剖析瞭MOSFET的四種工作狀態,並詳細探討瞭短溝道效應(如DIBL、溝道長度調製)對現代納米尺度器件性能的影響及抑製策略。 第三部分:先進與特色器件 本部分著眼於高性能、高效率和特殊功能的現代半導體器件。 第 7 章:光電子器件 聚焦於光與電的相互作用。詳細講解瞭LED的發光機理和效率優化,以及半導體激光器的閾值電流、綫寬增強因子等參數。在光探測器方麵,深入分析瞭PIN光電二極管和雪崩光電二極管(APD)的響應速度和噪聲特性。 第 8 章:存儲器器件 本章涵蓋瞭DRAM(動態隨機存取存儲器)的基本存儲單元結構及其讀寫機製,重點分析瞭電荷保持時間與刷新周期的關係。同時,對SRAM(靜態隨機存取存儲器)的六晶體管結構及其亞穩態分析進行瞭詳盡討論。此外,還引入瞭新型非易失性存儲器(如MRAM, RRAM)的基本物理模型。 第 9 章:功率半導體器件 探討瞭在高功率密度應用中所需的特殊器件,如功率MOSFET和IGBT(絕緣柵雙極晶體管)。分析瞭其耐壓能力、導通電阻與熱管理之間的權衡。內容涉及寬禁帶半導體(如SiC和GaN)在功率電子領域取代矽的物理優勢。 第四部分:製造工藝與可靠性 本部分將理論與工程實踐緊密結閤,介紹瞭器件的實現過程和長期穩定性。 第 10 章:半導體集成電路製造技術 概述瞭從矽片製備到最終封裝的完整流程。詳細介紹瞭光刻技術(包括深紫外和極紫外技術)、離子注入摻雜、薄膜沉積與刻蝕(乾法與濕法)等關鍵步驟。強調瞭工藝參數對器件電學特性的決定性影響。 第 11 章:器件可靠性與失效分析 討論瞭集成電路在長期工作中的物理可靠性問題。內容包括電遷移(Electromigration)的物理模型、熱載流子注入(HCI)機製、以及柵氧化層的介電擊穿問題。介紹瞭如何通過加速測試和物理分析手段評估器件的壽命。 本書特色 1. 深度與廣度兼備: 理論推導嚴格,同時覆蓋瞭從基礎二極管到尖端納米器件的完整譜係。 2. 強調物理機製: 拒絕停留在黑箱模型,力求揭示每一個器件工作背後的核心物理現象。 3. 豐富的例題與習題: 每章末均配有大量經過精心設計的例題和綜閤性習題,旨在鞏固讀者的理解和解決實際工程問題的能力。 4. 麵嚮未來: 包含瞭對新型二維材料器件、自鏇電子學等前沿熱點問題的初步探討。 適用讀者 電子信息工程、微電子學、集成電路設計與集成係統專業本科生高年級及研究生。 從事半導體器件設計、工藝開發和器件物理研究的工程師和科研人員。 希望係統學習半導體物理和器件原理的跨專業人士。 ---