发表于2024-11-04
《低维氮化镓纳米材料掺杂改性及磁性机理》系统地研究了低维氮化镓纳米材料的稳定性、电子、磁性等性质。全书共包括7章:第1章为本书概述;第2章详细地介绍了*一性原理方法;第3至第7章采用基于密度泛函框架下的*一性原理系统研究了填充GaN纳米管、缺陷和掺杂GaN纳米带、吸附和掺杂GaN单层纳米片、二维GaN/SiC纳米片的稳定性、电子、磁学特性和磁性起源机理。
第1章 概述
第2章 理论计算基础
第3章 过渡金属纳米线填充GaN纳米管的结构、电子特性和磁性
第4章 GaN纳米带的结构和电子性质
第5章 过渡金属吸附二维GaN单层纳米片的电子结构和磁性
第6章 过渡金属掺杂GaN单层纳米片磁性起源机理
第7章 二维GaN/SiC纳米片: 界面电子和磁学特性以及电场响应
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