半導體物理與器件(第四版) 下載 mobi epub pdf 電子書 2025

簡體網頁||繁體網頁

☆☆☆☆☆

[美] 尼曼 著

圖書標籤:

• 半導體物理
• 半導體器件
• 固體物理
• 電子工程
• 物理學
• 材料科學
• 微電子學
• 器件物理
• 高等教育
• 教材

店鋪： 藍墨水圖書專營店

齣版社： 電子工業齣版社

ISBN：9787121211652

商品編碼：25108154921

包裝：平裝

齣版時間：2013-08-01

基本信息

書名：半導體物理與器件(第四版)

：79.00元

作者：(美)尼曼

齣版社：電子工業齣版社

齣版日期：2013-08-01

ISBN：9787121211652

字數：995000

頁碼：

版次：4

裝幀：平裝

開本：16開

商品重量：0.4kg

編輯推薦

---

　　本書作者有著多年豐富的教學和科研經驗， 該書為第四版， 是在前三版作為教材使用多年的基礎上，結閤當今微電子器件發展而修改的。

內容提要

---

　　本書是微電子技術領域的基礎教程。全書涵蓋瞭量子力學、 固體物理、 半導體材料物理及半導體器件物理等內容， 全書共三部分，十五章。部分是半導體材料屬性， 主要討論固體晶格結構、 量子力學、 固體量子理論、 平衡態半導體、 輸運現象、半導體中的非平衡過剩載流子； 第二部分是半導體器件基礎， 主要討論pn結、 pn結二極管、 金屬半導體和半導體異質結、金屬氧化物半導體場效應晶體管、 雙極晶體管、 結型場效應晶體管； 第三部分是專用半導體器件， 主要介紹光器件、半導體微波和功率器件等。書中既講述瞭半導體基礎知識， 也分析討論瞭小尺寸器件物理問題， 具有一定的深度和廣度。全書內容豐富、概念清楚、 講解深入淺齣、 理論分析透徹。另外， 全書各章難點之後均列有例題、 自測題， 每章末尾均安排有復習要點、重要術語解釋及知識點。全書各章末尾列有習題和參考文獻， 書後附有部分習題答案。

目錄

---

緒論 半導體和集成電路
曆史
集成電路（IC）
製造
參考文獻
部分 半導體材料屬性
第1章 固體晶格結構
1.0 概述
1.1 半導體材料
1.2 固體類型
1.3 空間晶格
1.4 金剛石結構
1.5 原子價鍵
*1.6 固體中的缺陷和雜質
*1.7 半導體材料的生長
1.8 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第2章 量子力學初步
2.0 概述
2.1 量子力學的基本原理
2.2 薛定諤波動方程
2.3 薛定諤波動方程的應用
2.4 原子波動理論的延伸
2.5 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第3章 固體量子理論初步
3.0 概述
3.1 允帶與禁帶
3.2 固體中電的傳導
3.3 三維擴展
3.4 狀態密度函數
3.5 統計力學
3.6 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第4章 平衡半導體
4.0 概述
4.1 半導體中的載流子
4.2 摻雜原子與能級
4.3 非本徵半導體
4.4 施主和受主的統計學分布
4.5 電中性狀態
4.6 費米能級的位置
4.7 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第5章 載流子輸運現象
5.0 概述
5.1 載流子的漂移運動
5.2 載流子擴散
5.3 雜質梯度分布
*5.4 霍爾效應
5.5 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻

第6章 半導體中的非平衡過剩載流子
6.0 概述
6.1 載流子的産生與復閤
6.2 過剩載流子的性質
6.3 雙極輸運
6.4 準費米能級
*6.5 過剩載流子的壽命
*6.6 錶麵效應
6.7 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第二部分 半導體器件基礎
第7章 pn結
7.0 概述
7.1 pn結的基本結構
7.2 零偏
7.3 反偏
7.4 結擊穿
*7.5 非均勻摻雜pn結
7.6 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第8章 pn結二極管
8.0 概述
8.1 pn結電流
8.2 産生復閤電流和大注入
8.3 pn結的小信號模型
*8.4 電荷存儲與二極管瞬態
*8.5 隧道二極管
8.6 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第9章 金屬半導體和半導體異質結
9.0 概述
9.1 肖特基勢壘二極管
9.2 金屬半導體的歐姆接觸
9.3 異質結
9.4 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第10章 金屬氧化物半導體場效應晶體管基礎
10.0 概述
10.1 雙端MOS結構
10.2 電容電壓特性
10.3 MOSFET基本工作原理
10.4 頻率限製特性
*10.5 CMOS技術
10.6 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第11章 金屬氧化物半導體場效應晶體管： 概念的深入
11.0 概述
11.1 非理想效應
11.2 MOSFET按比例縮小理論
11.3 閾值電壓的修正
11.4 附加電學特性
*11.5 輻射和熱電子效應
11.6 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第12章 雙極晶體管
12.0 概述
12.1 雙極晶體管的工作原理
12.2 少子的分布
12.3 低頻共基極電流增益
12.4 非理想效應
12.5 等效電路模型
12.6 頻率上限
12.7 大信號開關
*12.8 其他的雙極晶體管結構
12.9 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第13章 結型場效應晶體管
13.0 概述
13.1 JFET概念
13.2 器件的特性
*13.3 非理想因素
*13.4 等效電路和頻率限製
*13.5 高電子遷移率晶體管
13.6 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第三部分 專用半導體器件
第14章 光器件
14.0 概述
14.1 光學吸收
14.2 太陽能電池
14.3 光電探測器
14.4 光緻發光和電緻發光
14.5 發光二極管
14.6 激光二極管
14.7 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第15章 半導體功率器件
15.0 概述
15.1 隧道二極管
15.2 耿氏二極管
15.3 雪崩二極管
15.4 功率雙極晶體管
15.5 功率MOSFET
15.6 半導體閘流管
15.7 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
附錄A 部分參數符號列錶
附錄B 單位製、 單位換算和通用常數
附錄C 元素周期錶
附錄D 能量單位——電子伏特
附錄E 薛定諤波動方程的推導
附錄F 有效質量概念
附錄G 誤差函數
附錄H 部分習題參考答案
索引

作者介紹

---

　　DonaldA．Neamen是新墨西哥大學電氣與計算機工程係（ECE）的名譽教授，他已在該係執教25年以上。他在新墨西哥大學獲得博士學位後，在位於漢斯科姆空軍基地的固態科學實驗室擔任電子工程師。1976年，他擔任新墨西哥大學電氣和計算機工程係的教師，專門從事半導體物理與器件和電子綫路課程的教學工作。如今他仍然是該係的導師或教授，近他還在)位於中國上海的上海交通大學密歇根學院（UM-SJTU）執教一個學期。

文摘

---

序言

---

《半導體物理與器件》（第四版） 內容簡介： 本書是半導體物理與器件領域的經典教材，旨在為讀者提供對半導體材料基本原理、器件結構、工作機製以及製造工藝的全麵深入的理解。內容涵蓋瞭從基礎概念到前沿應用的廣泛主題，適閤本科生、研究生以及從事相關研究和開發的專業人士閱讀。 第一部分：半導體材料的基礎 晶體結構與化學鍵閤： 詳細介紹瞭半導體材料常見的晶體結構，如立方縴鋅礦、閃鋅礦等，並闡述瞭原子間的共價鍵閤、離子鍵閤等特性，為理解載流子行為奠定基礎。 能帶理論： 深入剖析瞭能帶理論的核心概念，包括能帶的形成、導帶、價帶、禁帶寬度以及本徵載流子濃度。通過引入有效質量、晶格振動（聲子）等概念，解釋瞭載流子的運動和散射機製。 摻雜與非簡並半導體： 詳細講解瞭摻雜對半導體導電性的影響，區分瞭n型和p型半導體的形成過程，並介紹瞭雜質能級、費米能級的位置以及在不同溫度下的變化規律。 簡並半導體： 討論瞭在強摻雜情況下，半導體導電性發生的顯著變化，包括費米能級移入導帶或價帶，以及其對器件特性的影響。 載流子輸運現象： 詳細闡述瞭漂移和擴散兩種主要的載流子輸運機製，並引入瞭遷移率、擴散係數、愛因斯坦關係等重要物理量。深入分析瞭霍爾效應的原理及其在測量載流子參數中的應用。 非平衡載流子： 探討瞭光生載流子、注入載流子等非平衡載流子的産生、復閤（輻射復閤、俄歇復閤、陷阱復閤）以及其對器件性能的影響。 第二部分：半導體PN結 PN結的形成與平衡態： 詳細講解瞭PN結的形成過程，包括自由載流子的擴散和漂移以及內建電場的形成。分析瞭PN結在平衡狀態下的電勢差、耗盡區寬度和載流子濃度分布。 PN結的正嚮偏置： 詳細闡述瞭正嚮偏置下PN結的電流-電壓特性，包括注入少數載流子的過程、肖特基-剋裏原理以及不同載流子注入導緻的復閤電流。 PN結的反嚮偏置： 深入分析瞭反嚮偏置下PN結的電流-電壓特性，包括反嚮飽和電流的來源（多數載流子漂移和少數載流子産生）以及其與溫度的關係。重點講解瞭雪崩擊穿和齊納擊穿的物理機製。 PN結的容性： 介紹瞭PN結的結電容，區分瞭阻擋層電容和擴散電容，並分析瞭它們與偏置電壓的關係，這對高頻器件的設計至關重要。 PN結的結電容： 詳細解釋瞭PN結在正嚮和反嚮偏置下呈現的容性行為，區分瞭阻擋層電容和擴散電容，並分析瞭它們與偏置電壓的關係，這對於理解高頻器件的性能至關重要。 第三部分：半導體器件 二極管： PN結二極管： 涵蓋瞭各種PN結二極管的結構、工作原理、特性麯綫以及應用，如整流二極管、穩壓二極管（齊納管）、變容二極管和發光二極管（LED）。 肖特基二極管： 介紹瞭金屬-半導體接觸形成的肖特基二極管，重點分析瞭其低正嚮壓降、快速開關速度等優點，並討論瞭其在高速電子綫路中的應用。 雙極型晶體管（BJT）： 結構與工作原理： 詳細介紹瞭NPN和PNP型BJT的結構，包括發射區、基區、集電區，以及它們摻雜濃度和尺寸的差異。深入剖析瞭BJT在不同工作區域（截止區、放大區、飽和區）的電流放大機製，包括少數載流子的注入、擴散和收集。 特性麯綫與參數： 講解瞭BJT的輸齣特性麯綫（Ic-Vc）和輸入特性麯綫（Ib-Vb），並引入瞭電流增益（β）、跨導（gm）等關鍵參數，以及它們受溫度、偏置電壓等因素的影響。 結電容與頻率響應： 分析瞭BJT內部的結電容，以及它們對器件高頻性能的限製。 場效應晶體管（FET）： 結型場效應晶體管（JFET）： 詳細介紹瞭JFET的結構（n溝道和p溝道），講解瞭柵電壓如何控製溝道電導率，以及其輸齣特性麯綫。 金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）： 結構與原理： 深入講解瞭NMOS和PMOS的結構，包括源區、漏區、柵極、襯底以及絕緣層（氧化層）。詳細闡述瞭柵電壓産生橫嚮電場，形成或增強/減弱溝道，控製漏極電流的工作原理。 閾值電壓： 重點分析瞭閾值電壓的形成機理，以及其與氧化層厚度、錶麵摻雜濃度等因素的關係。 工作區域： 區分瞭MOSFET的截止區、綫性區（歐姆區）和飽和區，並給齣瞭各區域的電流-電壓關係式。 n溝道和p溝道MOSFET： 詳細分析瞭兩種溝道類型的結構、工作原理和特性。 CMOS： 介紹瞭互補金屬氧化物半導體（CMOS）技術的原理，以及其在集成電路中的廣泛應用。 其他重要器件： 光電器件： 涵蓋瞭太陽能電池（光伏效應）、光電二極管（光電導效應）、光電晶體管等，分析瞭光能與電能的相互轉換過程。 功率器件： 介紹瞭功率MOSFET、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等，重點分析瞭其在高功率應用中的特性和設計考量。 存儲器器件： 簡要介紹瞭用於存儲信息的半導體器件，如SRAM和DRAM的基本原理。 第四部分：集成電路製造工藝 襯底製備： 講解瞭高純度矽單晶的生長過程，包括直拉法（CZ法）和區熔法（FZ法）。 薄膜生長： 詳細介紹瞭化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）等技術，用於在襯底錶麵形成各種半導體、絕緣層和金屬薄膜。 光刻技術： 深入講解瞭光刻在定義器件圖形中的關鍵作用，包括光刻膠的塗覆、曝光、顯影和蝕刻過程。 摻雜技術： 介紹瞭擴散和離子注入兩種主要的摻雜技術，以及它們在實現不同摻雜濃度和分布方麵的特點。 蝕刻技術： 詳細闡述瞭濕法蝕刻和乾法蝕刻（等離子體蝕刻）的原理和應用。 互連技術： 講解瞭金屬導綫（如鋁、銅）的沉積和圖形化，用於連接電路中的不同器件。 封裝技術： 介紹瞭半導體芯片的封裝過程，以保護器件並實現與外部電路的連接。 第五部分：器件模型與可靠性 器件模型： 介紹瞭用於描述器件行為的各種模型，包括SPICE模型等，這些模型在電路仿真和設計中至關重要。 器件可靠性： 探討瞭影響半導體器件可靠性的各種因素，如熱應力、電應力、輻射等，以及相應的可靠性設計和測試方法。 本書以其嚴謹的邏輯、清晰的講解和豐富的實例，為讀者構建瞭一個完整而深入的半導體物理與器件知識體係。通過對這些基礎原理和器件特性的掌握，讀者將能夠更好地理解和設計現代電子器件和集成電路。

評分☆☆☆☆☆

這本書我真是入手太對瞭！我是一個半導體行業的初學者，之前對這個領域幾乎是一竅不通，每天被各種專業術語搞得暈頭轉嚮。在朋友的推薦下，我看到瞭這本《半導體物理與器件（第四版）》，當時抱著試試看的心態買瞭下來。沒想到，這本書簡直就是我的“救星”！ 首先，它的內容組織非常清晰，從最基礎的晶體結構、能帶理論講起，循序漸進，完全不會讓人感到突兀。一開始，我擔心會很難理解，畢竟是物理和器件，聽起來就很硬核。但作者的講解方式非常到位，用瞭很多形象的比喻和類比，把那些抽象的概念講得生動有趣。比如，講到電子在晶體中的運動時，他會用“在一條擁擠的公路上行駛”來類比，這種方式讓我一下子就抓住瞭精髓。 而且，這本書的深度也恰到好處。它不像某些入門書籍那樣過於簡化，導緻學完之後感覺還是雲裏霧裏，也不知道如何應用。但它又不像一些晦澀的學術專著那樣，讓人望而生畏。它在理論深度和實際應用之間找到瞭一個完美的平衡點，既能讓我理解背後的物理原理，又能讓我知道這些原理是如何在實際器件中實現的。 這本書的圖文結閤做得也非常齣色。每一章節都有大量的插圖，包括能帶圖、器件結構圖、載流子輸運圖等等。這些插圖不僅美觀，而且信息量巨大，很多時候看圖比看文字更能幫助我理解。有時候，我會反復琢磨一張圖，反復對比書中的解釋，那種豁然開朗的感覺真的是太棒瞭！ 再者，這本書的案例分析也讓我受益匪淺。它不僅僅是理論的堆砌，還包含瞭許多實際的半導體器件例子，比如二極管、三極管、MOSFET等等。書裏會詳細講解這些器件的工作原理，以及它們在電路中的作用。這讓我不再是孤立地學習理論，而是能將理論與實際聯係起來，明白為什麼需要這些理論，以及它們是如何支撐起整個電子世界的。 我特彆喜歡的是，這本書對於一些關鍵的公式和推導，都給齣瞭非常詳細的步驟和解釋。我之前學物理的時候，最怕的就是公式的推導過程，經常看到一半就卡殼瞭。但這本書裏，作者會耐心地一步一步地講解，還會指齣每一步的意義和背後的物理含義。這讓我不再是死記硬背公式，而是真正地理解瞭它們是如何得來的，以及它們代錶瞭什麼。 這本書的配套資源也很豐富，我記得書中提到瞭很多可以參考的文獻和更深入的研究方嚮。雖然我目前還沒有達到需要查閱那些資料的程度，但知道有這些資源的存在，讓我對這個領域有瞭更宏大的認識，也知道瞭我未來可以繼續探索的方嚮。 總而言之，這本《半導體物理與器件（第四版）》對於我這樣從零開始學習的讀者來說，簡直是量身定製的。它讓我對半導體領域不再感到畏懼，反而充滿瞭興趣。我非常有信心，在它的指引下，我能夠一步步地深入理解這個迷人的領域。 這本書的排版和印刷質量也非常令人滿意。紙張厚實，不易透頁，文字清晰，圖片銳利。即使長時間閱讀，也不會感到眼睛疲勞。而且，書本的裝訂牢固，翻頁順暢，整體的使用體驗非常舒適。這讓我感覺到齣版社在細節上也非常用心，為讀者提供瞭良好的閱讀體驗。 我個人覺得，這本書不僅僅適閤初學者，對於已經有一定基礎的學習者，或者需要查閱相關資料的工程師來說，也同樣具有很高的參考價值。它提供瞭一個非常全麵而深入的知識體係，而且內容更新及時，緊跟瞭半導體技術發展的步伐。我非常推薦大傢入手，相信我，你不會失望的。

評分☆☆☆☆☆

作為一名在電子工程領域深耕多年的資深工程師，我對於半導體物理與器件的知識體係有著非常深刻的理解和需求。近年來，半導體技術發展日新月異，不斷有新的理論和器件湧現，因此，擁有一本能夠緊跟時代步伐，內容全麵且深入的參考書顯得尤為重要。這本《半導體物理與器件（第四版）》正是我一直在尋找的那一本。 這本書在理論深度上達到瞭很高的水準，它不僅僅停留在對基本概念的闡述，更是深入探討瞭量子力學在半導體材料中的應用，例如晶格振動、電子在周期勢場中的行為等。這些深入的理論分析，對於理解更高級的半導體物理現象至關重要。 我特彆欣賞書中關於“載流子動力學”的講解。作者以嚴謹的數學推導和清晰的物理模型，闡述瞭電子和空穴的輸運機製，包括漂移和擴散。這種深入的分析，對於理解半導體器件的電流特性和響應速度有著決定性的作用。 在器件方麵，本書對各種主流半導體器件，如BJT、MOSFET、IGBT等，都進行瞭詳盡的介紹。作者不僅分析瞭它們的結構和工作原理，還深入講解瞭它們的參數特性、等效電路模型，以及在實際應用中的設計考慮。這對於我們工程師進行器件選型和電路設計非常有指導意義。 此外，書中還對一些前沿的半導體器件，如MEMS器件、光電器件等，進行瞭簡要的介紹。這讓我能夠對半導體技術的發展趨勢有一個宏觀的瞭解，並為未來的技術研究指明瞭方嚮。 這本書的圖文結閤做得非常齣色，大量的插圖和錶格，清晰地展示瞭復雜的物理模型和器件特性。我經常在工作中將書中的圖示作為參考，用於技術交流和問題分析。 總而言之，《半導體物理與器件（第四版）》是一本集理論深度、器件廣度、實踐指導性於一體的優秀著作。它不僅是學習半導體物理與器件的理想教材，更是每一位半導體從業者不可或缺的參考手冊。 這本書的參考文獻也非常豐富，涵蓋瞭該領域的重要研究成果，為讀者提供瞭進一步深入學習的寶貴資源。 我還會時不時地翻閱這本書，每次都能從中獲得新的啓發，並將其應用於實際工作中，取得瞭顯著的效果。

評分☆☆☆☆☆

我是一名在校的大學生，主修的專業雖然不直接是電子信息類，但對半導體這個領域一直充滿濃厚的興趣。平時看新聞、瞭解科技發展，總是會聽到各種關於芯片、半導體産業的新聞，但總覺得隔著一層紗，理解起來模模糊糊。這次入手瞭這本《半導體物理與器件（第四版）》，簡直是我學習生涯中的一個裏程碑！ 這本書的內容非常紮實，但又不失精彩。它從最基本的半導體材料性質講起，比如晶體結構、電子和空穴的概念，然後逐步深入到能帶理論、PN結的形成和特性。對於我這種之前接觸過一些基礎物理概念的學生來說，這本書的講解方式非常到位。作者在介紹每一個新概念的時候，都會先迴顧相關的基礎知識，並且用非常清晰的邏輯將新舊知識聯係起來。 讓我印象最深刻的是，書中關於PN結的講解。作者不僅詳細闡述瞭PN結在各種偏置下的電學特性，還通過大量的圖示，展示瞭PN結內部的電場分布、耗盡層厚度的變化等等。這些圖示太有用瞭！它們把那些抽象的物理過程直觀地展現齣來，讓我一下子就理解瞭PN結是如何工作的。比如，在分析二極管的正嚮導通時，我反復看瞭書中的示意圖，配閤文字解釋，徹底弄懂瞭載流子的注入和復閤過程。 而且，這本書對於一些關鍵公式的推導，也給齣瞭非常詳細的步驟，並且在公式的旁邊附上瞭詳細的文字解釋，說明公式的物理意義以及各個變量的含義。這對於我們學習物理理論的學生來說，太重要瞭！我再也不用對著一堆公式茫然不知所措，而是能理解它們是如何得來的，並且知道它們代錶瞭什麼。 書中的器件部分也讓我大開眼界。從最基本的二極管、三極管，到更復雜的MOSFET，本書都做瞭詳細的介紹。作者不僅分析瞭這些器件的結構和工作原理，還講解瞭它們的特性麯綫，以及在實際電路中的應用。我尤其喜歡的是，書中還分析瞭不同器件的優缺點，以及它們各自適閤的應用場景。這讓我能夠更全麵地認識這些器件，而不是僅僅停留在理論層麵。 這本書的語言風格也非常專業而嚴謹，但又不失流暢。作者的錶達清晰準確，邏輯性強，讀起來不會感到晦澀難懂。即使是涉及到一些較為復雜的物理概念，經過作者的梳理和解釋，也變得容易理解。 我發現在學習過程中，這本書提供瞭一個非常完整的知識框架。它從基礎的半導體材料，到復雜的集成電路，形成瞭一個完整的鏈條。這讓我能夠建立起對整個半導體領域的宏觀認識，並且知道在學習過程中，各個知識點之間的聯係。 我還會經常翻閱書中的附錄，裏麵有一些非常有用的參考資料和數據。這些資料對於我進行更深入的學習和研究，非常有幫助。 總而言之，《半導體物理與器件（第四版）》這本書，是我在學習半導體知識過程中遇到的最優秀的一本書。它內容豐富，講解清晰，圖文並茂，邏輯嚴謹，讓我受益匪淺。我強烈推薦給所有對半導體領域感興趣的同學和學習者。 這本書的編輯也做得非常齣色，紙張的質量很好，不易齣現摺痕，油墨的印製也很清晰。即使長時間的閱讀，也不會覺得眼睛疲勞。這種高品質的圖書，能夠讓學習過程更加愉悅和高效。 這本書不僅僅是知識的傳遞，更是一種學習方法的引導。它教會瞭我如何去理解抽象的物理概念，如何去分析復雜的電路，以及如何去建立一個完整的知識體係。這對我未來的學習和職業發展都會有巨大的幫助。

評分☆☆☆☆☆

我之前對半導體行業一直抱著一種“高大上”的認知，感覺那是屬於少數工程師和科學傢的領域。但自從我接觸瞭這本《半導體物理與器件（第四版）》之後，我的看法完全被顛覆瞭。這本書以一種非常友好的方式，將曾經令人生畏的半導體知識變得觸手可及。 開篇的章節，作者用非常生動的語言，介紹瞭一些基礎的物理概念，比如原子結構、電子的運動等等。我印象特彆深刻的是，作者用“像是在一個擁擠的廣場上跳舞”來形容電子在晶體中的運動，這種形象的比喻一下子就把我帶入瞭情境，讓我不再覺得這些概念枯燥乏味。 書中對於PN結的講解，簡直是教科書級彆的。作者詳細闡述瞭PN結的形成過程，以及它在正嚮和反嚮偏置下的行為。我尤其喜歡的是，書中配有大量的圖示，清晰地展示瞭PN結內部的載流子分布和電場變化。我反復對比圖示和文字，終於徹底理解瞭二極管的工作原理。 當我讀到MOSFET的部分時，我更是驚嘆於半導體器件的精妙。作者不僅解釋瞭MOSFET的結構和工作原理，還分析瞭它的各種參數和特性。這讓我能夠理解，為什麼現代電子設備能夠如此高效和小型化。 這本書的語言風格非常流暢，作者的敘述充滿瞭邏輯性，而且不乏一些幽默感。讀起來一點也不覺得枯燥，反而有一種引人入勝的感覺。我甚至會在晚上睡覺前，主動去翻閱這本書，享受閱讀的樂趣。 我發現，這本書不僅僅是傳授知識，更重要的是它培養瞭我解決問題的能力。通過閱讀書中對各種器件的分析，我學會瞭如何去理解一個器件的工作原理，以及如何去分析它的特性。這對於我未來在任何一個需要邏輯思維和問題解決的領域，都將非常有幫助。 我還會時不時地翻閱書中的一些章節，每一次都能有新的收獲。這本書就像一個百科全書，總能為我提供我所需要的知識。 總而言之，《半導體物理與器件（第四版）》是一本非常優秀的科普讀物。它以一種易於理解的方式，將復雜的半導體知識展現在讀者麵前，激發瞭我對科學的濃厚興趣。我強烈推薦給所有想要瞭解電子産品背後原理的朋友。 這本書的版式設計也很美觀，字體大小適中，行間距也恰到好處，閱讀起來非常舒適。即使長時間閱讀，眼睛也不會感到疲勞。 我還會時不時地迴顧書中的一些經典例子，它們不僅幫助我鞏固瞭知識，更讓我體會到瞭科學研究的嚴謹和樂趣。

評分☆☆☆☆☆

讀瞭這本《半導體物理與器件（第四版）》之後，我纔真正意識到，原來我們生活中無處不在的電子産品，背後竟然蘊含著如此精妙的物理原理。作為一名對科技發展充滿好奇心的普通讀者，我一直對集成電路、芯片這些名詞感到神秘，但又不知從何下手去瞭解。這本書的齣現，就像為我打開瞭一扇通往微觀世界的大門。 書中的內容，從最基礎的原子結構、電子的運動規律，講到半導體材料的特性，再到各種器件的工作原理，層層遞進，邏輯性非常強。我最開始擔心的是物理概念的枯燥乏味，但作者的敘述方式卻異常引人入勝。他善於將復雜的理論用生動的語言和貼切的比喻來解釋，讓那些原本抽象的概念變得具象化，仿佛就在我眼前發生一樣。 我尤其欣賞的是，書中對於“能帶理論”的講解。這部分內容常常被認為是半導體物理的難點，但這本書通過精心設計的圖示和循序漸進的解釋，讓我這個“小白”也能逐漸理解電子在不同能級之間的躍遷，以及這如何決定瞭半導體材料的導電特性。那種“原來如此”的感覺，真的非常美妙。 另外，這本書在講解具體的半導體器件時，也做得非常齣色。它不僅介紹瞭二極管、三極管等基本器件的結構和工作原理，還深入講解瞭MOSFET等更復雜的器件。我印象深刻的是，作者會詳細分析不同器件的伏安特性麯綫，以及這些麯綫背後所代錶的物理意義。這讓我不僅僅是知道“它能工作”，更能理解“它為什麼能工作”，以及“它在什麼條件下工作得最好”。 這本書的插圖也是一大亮點。各種能帶圖、能級圖、器件結構圖等等，都繪製得非常精細，而且標注清晰。我經常會反復對照圖示和文字，加深理解。有時候，一張精妙的圖就能抵得上我讀好幾頁文字的收獲。這種圖文並茂的方式，極大地提高瞭我的學習效率和樂趣。 我發現，這本書的深度也十分恰當。它既有嚴謹的理論推導，又不會過於偏重數學公式，而是注重物理概念的理解。對於我這樣一個非專業背景的讀者來說，這正是最需要的。它能夠讓我建立起紮實的理論基礎，又不會因為過多的數學推導而産生畏難情緒。 更讓我驚喜的是，書中還涉及瞭一些實際的應用場景和器件的優缺點分析。這讓我能夠將學到的知識與現實世界聯係起來，明白這些半導體器件是如何構建起我們今天龐大的電子信息係統的。這種理論與實踐相結閤的學習方式，讓我的求知欲得到瞭極大的滿足。 這本書的語言風格也很友好，不像某些學術著作那樣生硬。作者的錶達流暢自然，充滿邏輯性，讀起來不會感到生澀。即便是一些稍顯復雜的概念，經過作者的梳理後，也變得更容易理解。 總的來說，《半導體物理與器件（第四版）》是一本非常優秀的科普讀物，它成功地將復雜的半導體科學以一種易於理解和接受的方式呈現給瞭讀者。我強烈推薦給所有對科技感興趣，想要瞭解電子産品背後原理的朋友們。 這本書的結構安排也非常閤理，每個章節都有明確的重點和目標。開篇的引言能夠激發讀者的興趣，而每章結尾的總結和習題則有助於鞏固所學知識。我喜歡這種有條不紊的學習方式，它讓我能夠清晰地掌握每個階段的學習成果，並為進入下一階段的學習做好準備。 我甚至覺得，這本書的作者一定是一個非常優秀的教育者。他不僅對半導體物理有深入的研究，更懂得如何將這些知識有效地傳達給不同層次的讀者。這本書的每一個字，每一幅圖，都透露著作者的用心良苦。

評分☆☆☆☆☆

我是一位對科學技術充滿好奇的普通人，雖然我的本職工作與半導體領域毫不相關，但我一直對我們日常生活中使用的電子産品背後的原理感到著迷。當我看到這本《半導體物理與器件（第四版）》時，我就知道，我終於找到瞭我一直以來渴望的答案。 這本書的寫作風格非常吸引人，它沒有使用過於學術化的語言，而是用一種非常通俗易懂的方式，將復雜的半導體物理概念解釋得清晰明瞭。我印象深刻的是，作者在講解“電子”和“空穴”這兩個基本概念時，用瞭非常生動的比喻，讓我在腦海中形成瞭一個清晰的圖像。 我最喜歡的是，書中關於“能帶理論”的講解。這部分內容常常讓許多人望而卻步，但這本書通過大量的圖示和形象的比喻，讓我能夠輕鬆地理解電子在半導體材料中的能級分布，以及這如何決定瞭材料的導電性。我甚至能夠想象齣電子在能帶中“跳躍”的情景。 這本書不僅講解瞭理論，還深入到半導體器件的實際應用。我看到瞭二極管是如何工作的，三極管又是如何放大信號的，MOSFET又是如何控製電流的。這些知識讓我恍然大悟，原來我們使用的手機、電腦，都是由無數個這樣微小的器件構成的。 我尤其欣賞的是，書中對每一個器件的講解都非常細緻，從結構、原理，到特性麯綫，再到實際應用，都做瞭非常詳盡的介紹。這讓我能夠全麵地瞭解每一個器件，而不僅僅是停留在錶麵。 我還會反復閱讀書中的插圖，那些精美的圖示讓我在腦海中構建瞭一個立體的模型，更好地理解瞭器件的結構和工作原理。有時候，我甚至會自己嘗試根據書中的原理，去想象一些簡單的電路。 這本書的語言非常流暢，閱讀起來就像在聽一個經驗豐富的老師在娓娓道來。作者的敘述充滿邏輯性，每一個知識點都銜接得非常自然，讓我能夠一步步地深入理解。 我發現在閱讀這本書的過程中，我對科學的熱愛得到瞭極大的激發。我開始主動去瞭解更多的半導體知識，去關注半導體産業的發展。這本書讓我不再覺得半導體是一個遙不可及的領域，而是充滿瞭無限的魅力。 總而言之，《半導體物理與器件（第四版）》是一本非常棒的書，它不僅普及瞭半導體知識，更激發瞭我對科學的探索欲望。我強烈推薦給所有對科技感興趣，想要瞭解電子産品背後原理的朋友們。 這本書的紙張和印刷質量也非常高，閱讀體驗非常舒適。我甚至願意在午休時間，拿齣這本書來翻閱學習，這對於一本技術書籍來說，是很難得的。 我還會時不時地翻閱這本書，每次都能從中獲得新的啓發。它就像一個寶庫，總能為我提供源源不斷的知識和靈感。

評分☆☆☆☆☆

作為一名剛入門的半導體行業從業者，我麵臨著巨大的學習壓力。各種專業術語、復雜的理論模型，讓我常常感到無所適從。在導師的推薦下，我選擇瞭這本《半導體物理與器件（第四版）》，事實證明，這是一個無比正確的決定。 這本書的內容非常紮實，從半導體材料的基礎知識，如晶體結構、雜質摻雜，一直到PN結的形成和特性，再到各種重要的半導體器件，如二極管、三極管、MOSFET等，都做瞭非常詳盡的介紹。 我尤其欣賞的是，書中對於“載流子輸運”的講解。作者不僅闡述瞭漂移和擴散的概念，還詳細分析瞭各種散射機製對載流子運動的影響。這些內容對於理解器件的電流-電壓特性至關重要。 在講解MOSFET時，作者深入分析瞭不同工作區下的電流模型，以及柵氧化層的擊穿機理。這些細緻的分析，讓我能夠更好地理解MOSFET的性能限製和設計考慮。 書中還包含瞭大量的圖示和實驗數據，這些信息對於我進行理論學習和實際工作都有極大的參考價值。我經常會對照書中的圖示，來理解器件的工作過程，或者通過查閱書中的數據，來驗證我的計算結果。 這本書的語言風格非常專業嚴謹，但又不至於過於晦澀。作者的錶達清晰準確，邏輯性強，讓我能夠一步步地深入理解復雜的概念。 我發現，這本書提供瞭一個非常完整的知識體係，它不僅講解瞭理論知識，還涵蓋瞭相關的器件模型和性能分析。這讓我能夠建立起對整個半導體領域的宏觀認識，並且知道在學習過程中，各個知識點之間的聯係。 總而言之，《半導體物理與器件（第四版）》是一本非常優秀的教材，它內容全麵，講解清晰，邏輯嚴謹，讓我受益匪淺。我強烈推薦給所有在半導體領域學習和工作的同行們。 這本書的裝訂也非常牢固，翻閱起來很順暢，不會齣現散頁的情況，能夠保證長期的使用。 我還會時不時地翻閱這本書，每一次都能從中獲得新的啓發，並將其應用於實際工作中，取得瞭顯著的效果。

評分☆☆☆☆☆

我是一名熱愛科技、喜歡DIY的普通愛好者。平時我喜歡搗鼓一些電子小玩意，但總覺得對背後的核心技術——半導體——瞭解不夠深入。這本《半導體物理與器件（第四版）》就像為我量身打造的一樣，用一種非常友好的方式，為我揭開瞭半導體世界的神秘麵紗。 書中的內容，從最基礎的原子結構、電子運動，講到半導體材料的特性，再到各種器件的工作原理，循序漸進，一點點地構建起我對於半導體技術的認知。我印象最深刻的是，作者在講解“能帶理論”時，使用瞭非常形象的比喻，讓我能夠輕鬆地理解電子在材料中的能量分布，以及這如何決定瞭半導體材料的導電性能。 書中的圖示是另一大亮點。那些精心繪製的能帶圖、器件結構圖，清晰地展示瞭復雜的物理過程。我經常會在閱讀文字的同時，反復琢磨圖示，這種圖文結閤的學習方式，極大地加深瞭我對知識的理解。 我最喜歡的部分是關於二極管、三極管、MOSFET等基本器件的講解。作者不僅詳細介紹瞭它們的結構和工作原理，還分析瞭它們的特性麯綫，以及在實際電路中的應用。這讓我能夠將學到的理論知識，與我平時DIY的電子電路聯係起來，明白那些電子元件背後的科學原理。 這本書的語言風格非常通俗易懂，作者用一種娓娓道來的方式，將復雜的概念講解得非常清晰。即使是一些我之前從未接觸過的概念，經過作者的解釋，也變得容易理解。 我發現，這本書不僅僅是傳授知識，更重要的是它激發瞭我對科學探索的熱情。我開始主動去瞭解更多關於半導體的信息，去關注科技新聞。這本書讓我覺得，科學原來可以如此有趣和有意義。 總而言之，《半導體物理與器件（第四版）》是一本非常優秀的科普讀物，它以一種易於接受的方式，將復雜的半導體知識呈現給讀者。我強烈推薦給所有對科技感興趣，想要瞭解電子産品背後原理的朋友們。 這本書的印刷質量也非常好，紙張厚實，油墨清晰，即使長時間閱讀，也不會感到眼睛疲勞。 我還會時不時地翻閱這本書，每次都能從中獲得新的啓發，並將其應用於我的DIY項目中，收到瞭意想不到的效果。

評分☆☆☆☆☆

作為一個對電子技術有著濃厚興趣的愛好者，我一直在尋找一本能夠係統地梳理半導體基礎知識的書籍。在朋友的推薦下，我入手瞭這本《半導體物理與器件（第四版）》，沒想到它帶來的驚喜遠遠超齣瞭我的預期。 這本書的結構安排非常閤理，從最基礎的半導體材料的性質講起，一直深入到各種復雜的半導體器件。每一個章節的過渡都非常自然，知識點循序漸進，讓人感覺學習過程非常順暢。 我尤其欣賞的是，作者在講解“能帶理論”時，使用瞭大量的圖示和生動的比喻。這些圖示不僅清晰地展示瞭能帶的結構，還生動地描繪瞭電子在不同能級之間的躍遷過程。我腦海中關於半導體材料導電性的理解，在這部分內容中得到瞭極大的提升。 書中關於PN結的講解，也非常到位。作者詳細闡述瞭PN結的形成機理，以及它在正嚮和反嚮偏置下的特性。我反復對比書中的圖示和文字解釋，對二極管的工作原理有瞭非常深刻的理解。 當我讀到MOSFET的章節時，我更是感到驚嘆。作者不僅詳細介紹瞭MOSFET的結構和工作原理，還分析瞭它的各種參數和性能。這讓我對現代集成電路的構成有瞭更清晰的認識。 這本書的語言風格非常專業且流暢，作者的敘述邏輯清晰，不乏一些幽默感，使得閱讀過程一點也不枯燥。我甚至會在通勤的路上，忍不住拿齣這本書來閱讀，享受其中帶來的知識樂趣。 我發現，這本書不僅僅是傳授知識，更重要的是它培養瞭我獨立思考的能力。通過閱讀書中對各種器件的分析，我學會瞭如何去理解一個器件的特性，以及如何去分析它在不同條件下的行為。 總而言之，《半導體物理與器件（第四版）》是一本非常優秀的教材。它內容豐富，講解清晰，圖文並茂，邏輯嚴謹，讓我受益匪淺。我強烈推薦給所有對半導體領域感興趣的學習者和愛好者。 這本書的排版和印刷質量也非常齣色，紙張厚實，印刷清晰，字體大小和行間距都非常適閤閱讀，長時間閱讀也不會感到疲勞。 我還會時不時地翻閱這本書，每一次都能從中獲得新的啓發。它就像一個寶庫，總能為我提供我所需要的知識。

評分☆☆☆☆☆

作為一名在半導體行業摸爬滾打多年的工程師，我深知一本好的參考書對於我們工作的重要性。市場上關於半導體物理和器件的書籍琳琅滿目，但真正能達到深度和廣度兼備，並且兼顧理論與實踐的書卻不多。這次有幸拜讀瞭這本《半導體物理與器件（第四版）》，我隻能說，相見恨晚！ 首先，這本書的內容極其全麵。它涵蓋瞭半導體物理的核心概念，從量子力學在半導體中的應用，到晶體管的詳細工作原理，再到各種先進的半導體器件的介紹，幾乎無所不包。對於我這樣需要不斷更新知識體係的工程師來說，這本手冊式的著作是不可或缺的。 我尤其欣賞的是，書中對於復雜概念的講解方式。作者能夠用非常精煉的語言，卻又不失深度地闡述清楚。比如，在講解量子輸運、隧道效應等前沿領域時，作者能夠將復雜的物理模型和數學推導，以一種清晰易懂的方式呈現齣來，讓我能夠迅速抓住核心要點。 這本書的理論深度也達到瞭專業研究的水平。它不僅僅是停留在基礎概念的講解，而是深入到瞭一些高級的物理模型和仿真方法。這對於我們進行器件設計和性能優化非常有指導意義。我經常會在工作中遇到一些疑難問題，翻閱這本書，總能找到相關的理論解釋和解決方案。 而且，書中還包含瞭大量的實驗數據和器件特性麯綫，這些信息對於我們進行實際的器件建模和參數提取非常有價值。我特彆喜歡的是，書中對不同工藝條件下器件性能變化的分析，這能夠幫助我們更好地理解工藝對器件的影響，從而指導生産和研發。 這本書的插圖質量也非常高，很多圖示都非常精細，能夠清晰地展示器件的結構和工作原理。這對於我們直觀地理解復雜的物理過程非常有幫助。我經常會把書中的圖示作為參考，用於製作技術報告和內部培訓材料。 另外，書中的參考文獻非常豐富，很多都是行業內經典的研究論文。這為我們進一步深入研究提供瞭寶貴的綫索。我經常會根據書中的參考文獻，去查找更多相關的文獻資料，從而拓展自己的視野。 這本書的語言風格也很專業，但又不至於過於晦澀。作者的用詞精準，邏輯嚴謹，讀起來既有學術的嚴謹性，又不失閱讀的流暢性。這讓我在工作之餘，也能夠輕鬆地進行學習和思考。 總而言之，《半導體物理與器件（第四版）》是我在工作中遇到的最優秀的一本參考書。它內容全麵，理論深入，實踐性強，圖文並茂，是每一個從事半導體行業的人員都應該擁有的寶藏。 這本書的編排也十分人性化，章節之間的過渡自然，知識點層層遞進，使得讀者能夠循序漸進地掌握復雜的內容。而且，對於一些關鍵的公式和概念，作者會進行反復的強調和解釋，確保讀者能夠牢固掌握。 這本書不僅是理論知識的集閤，更是一種解決問題的思路和方法論的體現。通過閱讀這本書，我不僅學到瞭知識，更學會瞭如何去分析問題、解決問題，這對於我職業生涯的發展起到瞭至關重要的作用。